含砜基萘亚胺类化合物及其制备方法和应用技术

本申请涉及发光器件技术领域，具体涉及含砜基萘亚胺类化合物及其制备方法和应用。本申请提供的具有式(I)所示结构的含砜基萘亚胺类化合物其具有优异的空穴传输性质及稳定性，将其作为功能层材料应用于光电器件时，可以得到高效率、长寿命的光电器件。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及发光器件，具体涉及一种含砜基萘亚胺类化合物及其制备方法和应用。

技术介绍

1、纯有机材料空穴迁移率较低。为提升器件的空穴注入能力，目前主要有以下两种方式：(1)利用芳香族二胺衍生物或芳香族稠环二胺衍生物作为有机发光二极管的空穴传输材料，以此来提高注入空穴的效率，但这时需要提高使用电压才可以使有机发光二极管充分发光，这就导致了有机发光二极管寿命降低的问题；(2)对空穴注入层进行p型掺杂，其中，掺杂的电子受体如四氰基醌二甲烷(tcnq)或2,3,5,6-四氟四氰基-1,4-苯并醌二甲烷(f4tcnq)等，但存在器件制备工序不稳定导致的寿命降低问题。

技术实现思路

1、基于此，本申请提供一种含砜基萘亚胺类化合物及其制备方法和应用。本申请所提供的含砜基萘亚胺类化合物可以作为掺杂剂掺杂在空穴注入层或空穴传输层中，提高光电器件的效率，延长器件寿命。

2、本申请的第一方面，提供一种含砜基萘亚胺类化合物，具有式(i)所示结构：

3、

4、-nc、-no2、-cf3、-cho、-c本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种含砜基萘亚胺类化合物，其特征在于，具有式(I)所示结构：

2.根据权利要求1所述的含砜基萘亚胺类化合物，其特征在于，Ar为至少一个S1取代或未取代的C6～C40亚芳香基团、至少一个S1取代或未取代的C6～C40亚杂芳香基团；

3.根据权利要求1或2所述的含砜基萘亚胺类化合物，其特征在于，满足以下特征中的一种或多种：

4.根据权利要求3所述的含砜基萘亚胺类化合物，其特征在于，所述含砜基萘亚胺类化合物的结构为：

5.根据权利要求1所述的含砜基萘亚胺类化合物，其特征在于，所述含砜基萘亚胺类化合物的结构为

6.权利要求1～5任一...

【技术特征摘要】

1.一种含砜基萘亚胺类化合物，其特征在于，具有式(i)所示结构：

2.根据权利要求1所述的含砜基萘亚胺类化合物，其特征在于，ar为至少一个s1取代或未取代的c6～c40亚芳香基团、至少一个s1取代或未取代的c6～c40亚杂芳香基团；

3.根据权利要求1或2所述的含砜基萘亚胺类化合物，其特征在于，满足以下特征中的一种或多种：

4.根据权利要求3所述的含砜基萘亚胺类化合物，其特征在于，所述含砜基萘亚胺类化合物的结构为：

5.根据权利要求1所述的含砜基萘亚胺类化合物，其特征在于，所述含砜基萘亚胺类化合物的结构为

6.权利要求1～5任一项所述的含砜基萘亚胺类化合物作为空穴功能层材料的应用。

7.一种权利要求1～5任一项所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱宇，王士攀，庄锦勇，付东，
申请(专利权)人：广东聚华印刷显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：