一种量子点发光二极管及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种量子点发光二极管及其制备方法，所述量子点发光二极管包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的发光层；其中，所述发光层包括：间隙材料、分散于所述间隙材料中的量子点；所述间隙材料的透光率大于80％，所述间隙材料的折射率大于1.2。本发明专利技术通过将量子点分散于间隙材料中，使得间隙材料填充了量子点之间的间隙，由于该间隙材料具有高的透光率和折射率，从而增强了量子点中光子的取出，进而提高了量子点发光二极管的发光效率；同时，减弱了量子点对光子的吸收，降低量子点本征发光引起的光老化，提高了器件寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种量子点发光二极管及其制备方法
本专利技术涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。
技术介绍
量子点，是半径小于或者接近波尔激子半径的纳米晶颗粒，其粒径一般介于3-20nm之间。量子点具有量子限域效应，受激发后可以发射荧光。而且量子点具有独特的发光特性，例如激发峰宽，发射峰窄，发光光谱可调等性质，使得其在光电发光领域具有广阔的应用前景。量子点发光二极管，就是将胶体量子点作为发光层的器件，在不同的导电材料之间引入所述发光层从而得到所需要波长的光，具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快等优点。量子点纳米颗粒一般采用旋涂的方式形成器件的发光层，每个量子点之间会形成较多低折射率的空隙，这些低折射率空隙的存在，导致发光层内的光子容易在量子点内发生全反射降低器件的发光效率，由于空隙和量子点的折射率差，量子点也容易吸收来自其他量子点的光子，从而进一步降低器件发光效率，同时，由于较多的光子被束缚在发光层内部，会加速量子点材料的光老化，从而影响QLED器件的寿命。单独量子点纳米颗粒旋涂成膜后不够致密，器件的漏电流较本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的发光层；/n其中，所述发光层包括：间隙材料、分散于所述间隙材料中的量子点；所述间隙材料的透光率大于80％，所述间隙材料的折射率大于1.2。/n

【技术特征摘要】
1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：阳极、阴极、设置于所述阳极和阴极之间的发光层；
其中，所述发光层包括：间隙材料、分散于所述间隙材料中的量子点；所述间隙材料的透光率大于80％，所述间隙材料的折射率大于1.2。


2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述间隙材料的折射率大于1.2，小于2.0；和/或
所述间隙材料为带隙大于等于3eV，小于5eV的绝缘材料；和/或
所述间隙材料的熔点小于200℃。


3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述发光层由间隙材料和分散于所述间隙材料中的量子点组成。


4.根据权利要求3所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述间隙材料选自PMMA、PC、PP、PET中的一种或多种；和/或
所述量子点选自II-VI族化合物、II-V族化合物、IV-VI族化合物、I-III-VI族化合物和I-II-IV-VI族化合物中的一种或多种。


5.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管还包括：
空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述阳极和发光层之间；
空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述空穴注入层和发光层之间；
电子传输层，所述电子传输层设置在所述阴极和发光层之间。


6.一种量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括步骤：
在阳极表面形成发光层，在所述发光层表面形成阴极；或者，在阴极表面形成发光层，在所述发光层表面形成阳极；
其中，所述发光层包括：间隙材料、分散于所述间隙材料中的量子点；所述间隙材料的透光率大于80％，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王天锋，
申请(专利权)人：TCL科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44