发光装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一发光装置，其具有一第一电极；一发光叠层位于第一电极之上；一第一接触层位于发光叠层之上，其中第一接触层具有一第一接触链以及多个第一接触线与第一接触链连接；一第一导电柱位于发光叠层之中，且电连接第一电极与第一接触层；以及一保护层介于第一导电柱与发光叠层之间。

【技术实现步骤摘要】
发光装置本申请是中国专利技术专利申请(申请号：201610666583.0，申请日：2012年04月13日，专利技术名称：发光装置)的分案申请。
本专利技术涉及一种发光装置，特别是涉及一种具有导电柱的发光装置。
技术介绍
发光二极管(Light-emittingDiode；LED)目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据储存装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上。如图11所示，LED具有一n型半导体层1104、一主动层1106与一p型半导体层1108依序形成于一基板1102之上，部分p型半导体层1108与主动层1106被移除以曝露部分n型半导体层1104，一p型电极a1与一n型电极a2分别形成于p型半导体层1108与n型半导体层1104之上。因为n型电极a2需要足够的面积以利后续制作工艺进行，例如打线，所以大部分的主动层1106被移除，导致发光效率降低。此外，上述的LED更可以进一步地与其他元件组合连接以形成一发光装置(light-emittingapparatus)。图12为现有的发光装置结构示意图，如图12所示，一发光装置1200包含一具有至少一电路1204的次载体(sub-mount)1202；至少一焊料1206(solder)位于上述次载体1202上，通过此焊料1206将上述LED1210粘结固定于次载体1202上并使LED1210的基板1212与次载体1202上的电路1204形成电连接；以及，一电连接结构1208，以电连接LED1210的电极1214与次载体1202上的电路1204；其中，上述的次载体1202可以是导线架(leadframe)或大尺寸镶嵌基底(mountingsubstrate)，以便发光装置12的电路规划并提高其散热效果。
技术实现思路
本专利技术公开一种发光装置，以解决上述问题。本专利技术提供一发光装置，具有第一电极、发光叠层、电连接结构以及第二电极。发光叠层位于第一电极之上且具有侧壁。发光叠层包含主动层以及第一半导体层，第一半导体层具有一上表面。电连接结构位于上述上表面之上且于上述侧壁延伸，电连接第一电极与第一半导体层。第二电极与主动层重叠且与第一电极不重叠。第一电极具有第一部分与主动层重叠以及第二部分与电连接结构重叠。本专利技术提供一发光装置，具有支持基板、多个发光单元、第一电极、绝缘层、第二电极以及黏结层。多个发光单元位于支持基板上且包含发光叠层。第一电极电连接于发光叠层。绝缘层位于第一电极与发光叠层之间。第二电极电连接于发光叠层，且与第一电极不重叠。黏结层，位于支持基板与多个发光单元之间。黏结层的材料为绝缘材料，且绝缘层与第一电极和第二电极直接接触。本专利技术提供一发光装置，具有第一电极、发光叠层、凹部、接触层、以及导电柱。发光叠层位于第一电极之上，包含主动层。凹部位于发光叠层中。接触层位于发光叠层之上且与主动层重叠。导电柱位于凹部中且电连接第一电极与接触层。第一电极具有第一部分与主动层重叠以及第二部分与导电柱重叠。凹部的面积小于第一电极的面积，且接触层的宽度大于导电柱的宽度。附图说明图1A-图1E为本专利技术第一实施例的发光装置的制造流程图；图1F为本专利技术图1E所示的发光装置的侧视图；图1G为本专利技术另一实施例的发光装置的剖视图；图2A为本专利技术第二实施例的发光装置的上视图；图2B为本专利技术图2A所示的发光装置的剖视图；图3为本专利技术第三实施例的发光装置的剖视图；图4为本专利技术第四实施例的发光装置的剖视图；图5为本专利技术第五实施例的发光装置的剖视图；图6为本专利技术第六实施例的发光装置的剖视图；图7为本专利技术第七实施例的发光装置的剖视图；图8A为本专利技术第八实施例的上视图；图8B为本专利技术图8A所示的发光装置的剖视图；图9A-图9C为本专利技术第九实施例的发光装置的制造流程图；图9D为本专利技术图9C所示的发光装置的上视图；图10为本专利技术第十实施例的发光装置的剖视图；图11为现有的LED的剖视图；图12为现有的发光装置结构示意图；图13为本专利技术一实施例的光源产生装置的示意图；图14为本专利技术一实施例的背光模块的示意图。主要元件符号说明1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、1200：发光装置10：成长基板11：第一导电层12：发光叠层122：第一半导体层124、1106：主动层(有源层)126：第二半导体层13：第二导电层131：通道14、84：第一接触层142a、842a、942a：第一接触链142b、842b、942b：第二接触链144、844、944：第一接触线15：反射层16：粘结层161、162：粘结层的附属层17：第一凹部172：内壁18：支持基板19：保护层20：第一导电柱22：第一电极221、241’：第一电极的一部分24：第二电极241、241’、241”：第二电极的一部分30、40、50、60、70、100：绝缘层32：通孔34、80：第二导电柱87：第二凹部92：导电线路97：基座99、101：电连接结构1000：发光单元1000’：第一发光单元1000”：第二发光单元1102、1212：基板1104：n型半导体层1108：p型半导体层1202：次载体1204：电路1206：焊料1208：电连接结构1210：LED1214：电极13：光源产生装置1301：光源1302：电源供应系统1303：控制元件14：背光模块1401：光学元件a1：p型电极a2：n型电极具体实施方式本专利技术的实施例会被详细地描述，并且绘制于附图中，相同或类似的部分会以相同的号码在各附图以及说明出现。图1A-图1F绘示本专利技术的第一实施例的一发光装置1。如图1E所示，发光装置1包含一LED，具有一支持基板18；一粘结层16；一第一接触层14；一发光叠层12；一第一导电层11；一第二导电层13；一反射层15；一保护层19；第一导电柱20；一第一电极22与一第二电极24。如图1A所示，一种制造发光装置1的方法包含提供一成长基板10；依序形成一第一半导体层122、一主动层124与一第二半导体层126于成长基板10之上以形成发光叠层12；以及形成第一接触层14于发光叠层12之上。图1B为图1A的上视图。如图1B所示，第一接触层14被图案化以曝露部分第二半导体层126，且第一接触层14包含一第一接触链142a；一第二接触链142b；以及多个第一接触线144与第一接触链142a及第二接触链142b相接触。第一接触链14本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包含︰/n第一电极；/n发光叠层，位于该第一电极之上且具有侧壁，该发光叠层包含主动层以及第一半导体层，该第一半导体层具有上表面；/n电连接结构，位于该上表面之上且于该侧壁延伸，电连接该第一电极与该第一半导体层；以及/n第二电极，与该主动层重叠且与该第一电极不重叠；/n其中该第一电极具有第一部分与该主动层重叠以及第二部分与该电连接结构重叠。/n

【技术特征摘要】
20110415 US 61/476,1611.一种发光装置，其特征在于，包含︰
第一电极；
发光叠层，位于该第一电极之上且具有侧壁，该发光叠层包含主动层以及第一半导体层，该第一半导体层具有上表面；
电连接结构，位于该上表面之上且于该侧壁延伸，电连接该第一电极与该第一半导体层；以及
第二电极，与该主动层重叠且与该第一电极不重叠；
其中该第一电极具有第一部分与该主动层重叠以及第二部分与该电连接结构重叠。


2.一种发光装置，其特征在于，包含︰
支持基板；
多个发光单元，位于该支持基板上且包含发光叠层；
第一电极，电连接于该发光叠层，
绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怡名，谢明勋，许嘉良，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71