微LED芯片、生长基板、显示面板以及微LED芯片的转移方法技术

本申请公开了一种微LED芯片、生长基板、显示面板以及微LED芯片的转移方法，所述微LED芯片包括：第一掺杂外延层，包括第一区域和第二区域；发光层，至少覆盖部分所述第一区域；第二掺杂外延层，覆盖所述发光层远离所述第一掺杂外延层一侧表面；第一电极，设置于所述第二区域，且与所述发光层处于同侧；第二电极，设置于所述第二掺杂外延层远离所述发光层一侧，且所述第一电极和所述第二电极在所述第一掺杂外延层上的正投影不重合；其中，所述第一电极和所述第二电极在所述微LED芯片的厚度方向上具有高度差，所述高度差大于0.5微米且小于3微米。通过上述方式，本申请能够在激光剥离后使微LED芯片不全部陷入键合层中，易于转移。

【技术实现步骤摘要】
微LED芯片、生长基板、显示面板以及微LED芯片的转移方法
本申请涉及显示
，特别是涉及一种微LED芯片、生长基板、显示面板以及微LED芯片的转移方法。
技术介绍
微LED(LightEmittingDiode，发光二极管)芯片显示技术具有高亮度、高响应速度、低功耗、长寿命等优点，成为人们追求新一代显示技术的研究热点。目前，在微LED显示面板制备过程中，激光剥离和批量转移是十分重要的两道工艺。批量转移的具体过程为：利用转移头将多个微LED芯片进行转移。现有技术中存在微LED芯片在转移过程中不容易被拾取的问题。
技术实现思路
本申请主要解决的技术问题是提供一种微LED芯片、生长基板、显示面板以及微LED芯片的转移方法，能够在激光剥离后使微LED芯片不全部陷入键合层中，易于转移。为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种微LED芯片，所述微LED芯片包括：第一掺杂外延层，包括第一区域和第二区域；发光层，至少覆盖部分所述第一区域；第二掺杂外延层，覆盖所述发光层远离所述第一掺杂外延层一侧表本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微LED芯片，其特征在于，所述微LED芯片包括：/n第一掺杂外延层，包括第一区域和第二区域；/n发光层，至少覆盖部分所述第一区域；/n第二掺杂外延层，覆盖所述发光层远离所述第一掺杂外延层一侧表面；/n第一电极，设置于所述第二区域，且与所述发光层处于同侧；/n第二电极，设置于所述第二掺杂外延层远离所述发光层一侧，且所述第一电极和所述第二电极在所述第一掺杂外延层上的正投影不重合；/n其中，所述第一电极和所述第二电极在所述微LED芯片的厚度方向上具有高度差，所述高度差大于0.5微米且小于3微米。/n

【技术特征摘要】
1.一种微LED芯片，其特征在于，所述微LED芯片包括：
第一掺杂外延层，包括第一区域和第二区域；
发光层，至少覆盖部分所述第一区域；
第二掺杂外延层，覆盖所述发光层远离所述第一掺杂外延层一侧表面；
第一电极，设置于所述第二区域，且与所述发光层处于同侧；
第二电极，设置于所述第二掺杂外延层远离所述发光层一侧，且所述第一电极和所述第二电极在所述第一掺杂外延层上的正投影不重合；
其中，所述第一电极和所述第二电极在所述微LED芯片的厚度方向上具有高度差，所述高度差大于0.5微米且小于3微米。


2.根据权利要求1所述的微LED芯片，其特征在于，
所述第一电极与所述第二电极的厚度相同。


3.根据权利要求2所述的微LED芯片，其特征在于，
在沿所述第一掺杂外延层至所述第二电极方向上，所述第二电极截面为倒梯形，和/或，所述第一电极的截面为倒梯形。


4.根据权利要求1所述的微LED芯片，其特征在于，
所述第一电极凸出于所述第二电极，且在沿所述第一掺杂外延层至所述第二电极方向上，所述第一电极凸出所述第二电极的部分的截面为倒梯形。


5.一种生长基板，其特征在于，所述生长基板包括：
透明衬底；
权利要求1-4中任一项所述的多个微LED芯片，且所述微LED芯片的所述第一掺杂外延层靠近所述透明衬底设置。


6.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括：
驱动基板，所述驱动基板一侧设置有多个阵列排布的焊料柱；
多个权利要求1-4中任一项所述的微LED芯片，所述微LED芯片的所述第一电极和所述第二电极分别与对应位置处的焊料柱电连接，且所述第一电极和所述第二电极对应位置处的所述焊料柱之间具有所述高度差。


7.一种微LED芯片的转移方法，其特征在于，所述转移方法包括：
提供生长基板，其中，所述生长基板包括透明衬底和位...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚志博，夏继业，董小彪，王程功，
申请(专利权)人：成都辰显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51