半导体结构、集成芯片及其制造方法技术

本公开的各种实施例涉及一种包括电阻器结构的集成芯片。电阻层上覆在衬底之上。电阻器结构上覆在衬底之上。电阻器结构包括电阻层的电阻器区段及上覆在电阻器区段之上的导通孔结构。环结构封闭电阻器结构。环结构从导电结构上方的第一点连续延伸到电阻层的底表面下方的第二点。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构、集成芯片及其制造方法
本公开涉及半导体结构、集成芯片及其制造方法。
技术介绍
现代的集成芯片使用各种各样的装置来达成各种不同的功能性。一般来说，集成芯片包括有源装置及无源装置。有源装置包括晶体管(例如，金属氧化物半导体场效晶体管(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor，MOSFET))，而无源装置包括电感器、电容器以及电阻器。电阻器广泛地用于例如电阻器-电容器(resistor-capacitor，RC)电路、功率驱动器(powerdriver)、功率放大器(poweramplifier)、射频(radiofrequency，RF)应用等诸多应用中。
技术实现思路
本公开实施例提出一种集成芯片，包括：衬底；电阻层，上覆在所述衬底之上；电阻器结构，上覆在所述衬底之上，其中所述电阻器结构包括：所述电阻层的电阻器区段；上覆在所述电阻器区段之上的导电结构；及封闭所述电阻器结构的环结构，其中所述环结构从所述导电结构上方的第一点连续延伸到所述电阻层的底表面下方的第二点。...

【技术保护点】
1.一种集成芯片，其特征在于包括：/n衬底；/n电阻层，上覆在所述衬底之上；/n电阻器结构，上覆在所述衬底之上，其中所述电阻器结构包括：/n所述电阻层的电阻器区段；/n上覆在所述电阻器区段之上的导电结构；及/n封闭所述电阻器结构的环结构，其中所述环结构从所述导电结构上方的第一点连续延伸到所述电阻层的底表面下方的第二点。/n

【技术特征摘要】
20191031 US 62/928,545;20200213 US 16/789,8391.一种集成芯片，其特征在于包括：
衬底；
电阻层，上覆在所述衬底之上；
电阻器结构，上覆在所述衬底之上，其中所述电阻器结构包括：
所述电阻层的电阻器区段；
上覆在所述电阻器区段之上的导电结构；及
封闭所述电阻器结构的环结构，其中所述环结构从所述导电结构上方的第一点连续延伸到所述电阻层的底表面下方的第二点。


2.根据权利要求1所述的集成芯片，其中所述环结构包括：
导电体，环绕所述电阻层的所述电阻器区段；及
介电衬垫，沿着所述导电体的侧壁设置，以将所述导电体与所述电阻层分开，其中所述导电体及所述介电衬垫延伸穿过所述电阻层。


3.根据权利要求2所述的集成芯片，还包括：
直接上覆在导线之上的导通孔，其中所述导通孔从所述第一点连续延伸到所述第二点，其中所述导通孔从所述环结构横向偏移非零距离；且
其中所述电阻层从所述介电衬垫连续延伸到所述导通孔，使得所述电阻层横向封闭所述导通孔。


4.一种半导体结构，其特征在于包括：
衬底；
电阻层，上覆在所述衬底之上；
电阻器结构，上覆在所述衬底之上，其中所述电阻器结构包括所述电阻层的电阻器区段、上覆在所述电阻器区段之上的接触结构及上覆在所述接触结构之上的介电结构；及
隔离结构，连续包绕所述电阻器区段的外周边，其中所述隔离结构包括导电体及沿着所述导电体的相对侧壁延伸的第一衬垫。


5.根据权利要求4所述的半导体结构，其中所述隔离结构连续延伸穿过所述电阻层的厚度。...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭俊聪，卢玠甫，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71