闪存器件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种闪存器件的制造方法，通过在半导体衬底上依次形成浮栅材料层和垫氮化层，所述浮栅材料层具有第一厚度，所述垫氮化层具有第二厚度，并且所述垫氮化层与所述浮栅材料层两者的总厚度在一预设厚度内，以保证所述浮栅材料层具有一定的厚度，从而改善后续形成的浮栅尖端的高度和尖锐程度，避免出现因所述浮栅材料层过薄而导致的所述浮栅尖端的高度过低以及尖锐程度过钝的问题，由此提高闪存器件的擦除性能。进一步的，通过使所述垫氮化层与所述浮栅材料层两者的总厚度在一预设厚度内，在后续形成浅沟槽隔离结构时，可以避免出现浅沟槽隔离结构的深宽比过大的问题。

【技术实现步骤摘要】
闪存器件的制造方法
本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种闪存器件的制造方法。
技术介绍
闪存为一种非易变性存储器，其运作原理是通过改变晶体管或存储单元的临界电压来控制门极通道的开关，以达到存储数据的目的，从而使存储在存储器中的数据不会因电源中断而消失。在闪存器件中，浮栅尖端的高度与尖锐程度会影响浮栅在编程、擦写时候耦合的电压，从而影响闪存在编程、擦写时的性能。而且浮栅尖端的尖锐程度和闪存的擦写性能具有很强的相关性。因此，精确控制浮栅的尖端对于控制闪存的性能具有很强的现实意义。在现有的闪存器件的制造方法中，通常包括：在衬底上依次形成浮栅层和垫氮化层，然后，在所述浮栅层、所述垫氮化层及所述衬底中形成浅沟槽隔离结构，并对浅沟槽隔离结构进行平坦化工艺，以及，去除所述垫氮化层，暴露出所述浮栅层，接着，刻蚀所述浮栅层，以形成浮栅尖端。在对闪存器件进行擦除操作时，可以利用所述浮栅尖端进行放电，提高擦除效率，从而提高闪存器件的性能。如果所述浮栅尖端的高度过低以及尖锐程度过钝，会降低闪存器件的擦除性能，进一步的，所述浮栅尖端的高度与尖锐本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：/n提供一半导体衬底；/n在所述半导体衬底上依次形成浮栅材料层和垫氮化层，所述浮栅材料层具有第一厚度，所述垫氮化层具有第二厚度，并且所述垫氮化层与所述浮栅材料层两者的总厚度在一预设厚度内；/n刻蚀所述垫氮化层、所述浮栅材料层及部分厚度的所述半导体衬底，以形成浅沟槽，所述浅沟槽贯穿所述垫氮化层和所述浮栅材料层，并延伸至所述半导体衬底中；/n形成隔离层，所述隔离层填充所述浅沟槽并延伸覆盖所述垫氮化层的顶面；/n对所述隔离层及所述垫氮化层执行化学机械研磨工艺，以去除所述垫氮化层顶面的所述隔离层，并形成浅沟槽隔离结构；其中，所述化学机械研磨工艺采用的研磨液...

【技术特征摘要】
1.一种闪存器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供一半导体衬底；
在所述半导体衬底上依次形成浮栅材料层和垫氮化层，所述浮栅材料层具有第一厚度，所述垫氮化层具有第二厚度，并且所述垫氮化层与所述浮栅材料层两者的总厚度在一预设厚度内；
刻蚀所述垫氮化层、所述浮栅材料层及部分厚度的所述半导体衬底，以形成浅沟槽，所述浅沟槽贯穿所述垫氮化层和所述浮栅材料层，并延伸至所述半导体衬底中；
形成隔离层，所述隔离层填充所述浅沟槽并延伸覆盖所述垫氮化层的顶面；
对所述隔离层及所述垫氮化层执行化学机械研磨工艺，以去除所述垫氮化层顶面的所述隔离层，并形成浅沟槽隔离结构；其中，所述化学机械研磨工艺采用的研磨液包括二氧化铈；
去除剩余的所述垫氮化层，暴露出所述浮栅材料层；
刻蚀所述浮栅材料层，以形成浮栅，所述浮栅具有浮栅尖端。


2.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的顶面与所述垫氮化层的顶面平齐，所述浅沟槽隔离结构的形成方法包括：
对所述隔离层及所述垫氮化层执行所述化学机械研磨工艺，使所述隔离层的顶面与所述垫氮化层的顶面平齐，以形成浅沟槽隔离结构。


3.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构的顶面高于所述浮栅材料层的顶面并低于所述垫氮化层的顶面，所述浅沟槽隔离结构的形成方法包括：
对所述隔离层及所述垫氮化层执行所述化学机械研磨工艺，使所述隔离层的顶面与所述垫氮化层的顶面平齐；
去除剩余的部分厚度的所述隔离层，使所述隔离层的顶面低于所述垫氮化层的顶面，以形成浅沟槽隔离结构。


4.如权利要求2或3所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，在对所述隔离层及所述垫氮化层执行所述化学机械研磨工艺时，所述化学机械研磨工艺对所述隔离层的研磨速率与对所述垫氮化层的研磨速率之比为20：1～40:1。


5.如权利要求1所述的闪存器件的制造方法，其特征在于，所述预设厚度小于或者等于1700埃；
所述第一厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙访策，黄冲，曹子贵，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31