分栅快闪存储器的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种分栅快闪存储器的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，在所述衬底上形成有浮栅层及控制栅层，所述浮栅层及所述控制栅层顺次覆盖所述衬底的正面；通过炉管生长工艺形成介质层，所述介质层覆盖所述控制栅层以及所述衬底的背面；刻蚀所述介质层、所述控制栅层及所述浮栅层直至暴露出所述衬底，以在所述存储区形成开口；填充字线栅层在所述开口中，所述字线栅层还延伸覆盖所述衬底的正面的介质层；采用湿法刻蚀工艺减薄所述衬底的背面的介质层；去除所述衬底的正面的介质层上方的字线栅层；去除所述逻辑区的介质层及所述逻辑区的控制栅层。本发明专利技术解决了现有技术中分栅快闪存储器晶圆易翘曲和工艺繁杂的问题。

【技术实现步骤摘要】
分栅快闪存储器的制备方法
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种分栅快闪存储器的制备方法。
技术介绍
在目前的半导体产业中，存储器件在集成电路产品中占了相当大的比例，存储器中的快闪存储器的发展尤为迅速。它的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息，具有集成度高、较快的存取速度和易于擦除等多项优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。一般快闪存储器分为两种类型：叠栅快闪存储器和分栅快闪存储器。分栅快闪存储器由于其特殊的结构，相比叠栅快闪存储器在编程和擦除的时候都体现出其独特的性能优势，应用尤为广泛。分栅快闪存储器结构分为存储区和逻辑区，在制造分栅快闪存储器时采用炉管生长工艺形成介质层，导致衬底的正面和背面均形成介质层且形成的介质层的厚度一致，由于衬底的正面的介质层是为了保护存储区的字线栅极，所以衬底的正面的介质层厚度较厚，就会导致衬底的背面的介质层也较厚，在逻辑区的介质层和控制栅层刻蚀后，逻辑区和存储区的厚度存在差异，而衬底的背面的介质层较厚产生的拉应力较大，会导致晶圆翘曲。在晶圆进行量检和目检时，将晶圆放置于机台本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，包括：/n提供衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，在所述衬底上形成浮栅层及控制栅层，所述浮栅层及所述控制栅层顺次覆盖所述衬底的正面；/n通过炉管生长工艺形成介质层，所述介质层覆盖所述控制栅层以及所述衬底的背面；/n刻蚀所述介质层、所述控制栅层及所述浮栅层直至暴露出所述衬底，以在所述存储区形成开口；/n填充字线栅层在所述开口中，所述字线栅层还延伸覆盖所述衬底的正面的介质层；/n采用湿法刻蚀工艺减薄所述衬底的背面的介质层；/n去除所述衬底的正面的介质层上方的字线栅层；/n去除所述逻辑区的介质层及所述逻辑区的控制栅层。/n

【技术特征摘要】
1.一种分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，在所述衬底上形成浮栅层及控制栅层，所述浮栅层及所述控制栅层顺次覆盖所述衬底的正面；
通过炉管生长工艺形成介质层，所述介质层覆盖所述控制栅层以及所述衬底的背面；
刻蚀所述介质层、所述控制栅层及所述浮栅层直至暴露出所述衬底，以在所述存储区形成开口；
填充字线栅层在所述开口中，所述字线栅层还延伸覆盖所述衬底的正面的介质层；
采用湿法刻蚀工艺减薄所述衬底的背面的介质层；
去除所述衬底的正面的介质层上方的字线栅层；
去除所述逻辑区的介质层及所述逻辑区的控制栅层。


2.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺减薄所述衬底的背面的介质层的步骤包括：
将所述衬底浸入刻蚀槽中，所述刻蚀槽中的刻蚀剂腐蚀所述衬底的背面的介质层的至少部分厚度。


3.如权利要求2所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，所述刻蚀剂包括磷酸。


4.如权利要求3所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，所述磷酸的温度为150℃～170℃。


5.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，所述衬底的背面的介质层减薄后的厚度为


6.如权利要求1所述的分栅快闪存储器的制备方法，其特征在于，所述介质层的材质包括氮化硅、氮氧化硅或二氧化硅中的一种或多种。


7.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨辉，陈宏，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31