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本发明提供了一种分栅快闪存储器的制备方法，包括：提供衬底，所述衬底包括存储区和逻辑区，在所述衬底上形成有浮栅层及控制栅层，所述浮栅层及所述控制栅层顺次覆盖所述衬底的正面；通过炉管生长工艺形成介质层，所述介质层覆盖所述控制栅层以及所述衬底的背...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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