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本发明提供一种闪存器件的制造方法，通过在半导体衬底上依次形成浮栅材料层和垫氮化层，所述浮栅材料层具有第一厚度，所述垫氮化层具有第二厚度，并且所述垫氮化层与所述浮栅材料层两者的总厚度在一预设厚度内，以保证所述浮栅材料层具有一定的厚度，从而改善...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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