溅射靶以及用于制造溅射靶的粉体制造技术

本发明专利技术提供一种含Ru以及硼的溅射靶。该溅射靶的主要成分是Ru，含有熔点比B

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】溅射靶以及用于制造溅射靶的粉体
本专利技术涉及一种溅射靶以及用于制造溅射靶的粉体。更具体地，涉及一种含Ru的溅射靶以及用于制造该溅射靶的粉体。
技术介绍
在以硬盘驱动器为代表的磁记录的领域，作为负责记录的磁性薄膜的材料，使用以强磁性金属Co、Fe、或Ni为基材的材料。例如，在采用平面内磁记录方式的硬盘的记录层中，使用以Co为主要成分的Co－Cr系、Co－Cr－Pt系的强磁性合金。近年硬盘驱动器等的磁记录高容量化正在发展。为了实现该高容量化，提高磁记录层中的晶粒的分离性，由此，降低晶粒之间的相互作用很重要。在专利文献1中，公开了Ru－xCoO合金的基底层。另外，在专利文献1中公开了，在第二基底层150b中形成氧化物的晶界，促进粒子之间的分离性，并且还有提高构成基底层150的Ru以及主记录层160的晶体取向性的作用。在专利文献2中，公开了具备非磁性中间层和磁性层的垂直磁记录介质。另外，在专利文献2中，公开了第1非磁性中间层采用Ru，以及第2非磁性中间层采用CoCr合金。在专利文献3中，公开了在非磁性基板上隔着基底层具本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种溅射靶，其主要成分是Ru，含有熔点比B

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180925 JP 2018-1783811.一种溅射靶，其主要成分是Ru，含有熔点比B2O3高且含硼的复合氧化物。


2.如权利要求1所述的溅射靶，其中，B的含量为0.01wt％以上。


3.如权利要求1或2所述的溅射靶，其中，靶的相对密度为90％以上。


4.如权利要求1至3中任一项所述的溅射靶，其中，除了Ru、B和O以外，还含有从Co、Cr、Mn以及Ti中选择的1种以上作为构成元素。


5.如权利要求1至4中任一项所述的溅射靶，其中，所述复合氧化物的熔点为750℃以上。


6.如权利要求1至5中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：岩渊靖幸，佐藤敦，下宿彰，清水正义，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP