一种CMOS图像传感器及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，包括：在半导体衬底中形成隔离区，限定CMOS图像传感器的单位像素的有源区；在半导体衬底上形成栅极；形成覆盖隔离区的边界区域的掩模层；使用掩模层进行杂质的离子注入；在有源区的一部分中形成钳位光电二极管的扩散区，其中扩散区与所述隔离区间隔开地形成。通过在扩散区域之间的边界部分注入杂质，防止了钳位光电二极管PDD和隔离区域的损坏，并且减小了在CMOS图像传感器中的暗电流。

【技术实现步骤摘要】
一种CMOS图像传感器及其制造方法
本专利技术涉及一种CMOS图像传感器及其制造方法
，具体涉及一种减少暗电流的CMOS图像传感器及其制造方法。
技术介绍
一般来说，图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体器件，一般分为电耦合器件(CCD)和互补MOS(CMOS)图像传感器。一个CCD通常包括多个MOS电容器，每个MOS电容器相邻地放置，将电荷存储在其中一个MOS电容器上，然后转移到MOS电容器旁边的一个MOS电容器上。CCD具有驱动方式复杂，功耗高，制造工艺复杂，加工步骤繁多等缺点。此外，CCD的缺点是很难制作一个紧凑的产品，因为很难将各种电路，如控制电路，信号处理电路，模拟/数字转换电路等集成到单个芯片中。目前，作为一种克服CCD缺点的下一代图像传感器，CMOS图像传感器越来越受到关注。CMOS图像传感器的每个单元像素是采用CMOS技术在半导体衬底上形成的光电二极管和MOS晶体管的开关器件。CMOS图像传感器一般包括控制电路，信号处理电路等外围电路，并通过MOS晶体管依次检测每个单元像素的输出。因此，随着在每个单元像本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CMOS图像传感器的结构，其特征在于，包括：在半导体衬底(20)中形成隔离区(23)，限定CMOS图像传感器的单位像素(200)的有源区；在所述半导体衬底(20)上形成栅极(223)；形成覆盖所述隔离区的边界区域的掩模层；使用掩模层进行杂质的离子注入；在有源区的一部分中形成钳位光电二极管(210)的扩散区，其中所述扩散区与所述隔离区(23)间隔开地形成。/n

【技术特征摘要】
1.一种CMOS图像传感器的结构，其特征在于，包括：在半导体衬底(20)中形成隔离区(23)，限定CMOS图像传感器的单位像素(200)的有源区；在所述半导体衬底(20)上形成栅极(223)；形成覆盖所述隔离区的边界区域的掩模层；使用掩模层进行杂质的离子注入；在有源区的一部分中形成钳位光电二极管(210)的扩散区，其中所述扩散区与所述隔离区(23)间隔开地形成。


2.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的结构，其特征在于，所述钳位光电二极管(210)结构表面的高掺杂P+钳位层将Si/Si02界面与电荷收集区域的N埋层隔离开,减小此处产生的暗电流。


3.如权利要求1所述的CMOS图像传感器的结构，其特征在于，还包括在所述栅极的上形成钝化层(260)；所述钝化层(260)由绝缘材料构成。


4.如权利要求3所述的CMOS图像传感器的结构，其特征在于，所述钝化层包括单层的氧化物层或单层的氮化物层中的任何一种；所述钝化层还可以包括多层的至少一个氧化物层和至少一个氮化物层。


5.一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，步骤包括：
S1：在半导体衬底中形成隔离区(23)，限定CMOS图像传感器的单位像素的有源区；
S2：在所述半导体衬底上形...

【专利技术属性】
技术研发人员：王欣洋，刘洋，李扬，马成，
申请(专利权)人：长春长光辰芯光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：吉林;22