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本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，包括：在半导体衬底中形成隔离区，限定CMOS图像传感器的单位像素的有源区；在半导体衬底上形成栅极；形成覆盖隔离区的边界区域的掩模层；使用掩模层进行杂质的离子注入；在有源区的一部分中形成钳位光电二...
该专利属于长春长光辰芯光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长春长光辰芯光电技术有限公司授权不得商用。

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