CIS器件的隔离区形成方法技术

本申请公开了一种CIS器件的隔离区形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成第一外延层；在第一外延层上方形成第一硬掩膜层；通过光刻和刻蚀工艺，在第一外延层中形成若干条间隔分布地第一类沟槽；去除第一硬掩膜层；在第一类沟槽内填充第二外延层；形成第二硬掩膜层；通过光刻和刻蚀工艺，在第一外延层中形成若干条间隔分布地第二类沟槽，第一外延层中的第二类沟槽与第一类沟槽垂直，第一类沟槽和第二类沟槽的深度相同；去除第二硬掩膜层；在第二类沟槽内填充第二外延层；解决了制作CIS器件的隔离区时封口不彻底的问题；达到了降低外延封口难度，优化隔离区质量的效果。

【技术实现步骤摘要】
CIS器件的隔离区形成方法
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种CIS器件的隔离区形成方法。
技术介绍
CIS(CMOSImageSensor，COMS图像传感器)是利用光电二极管存储电荷，然后根据重置源跟随器晶体管，行选择晶体管将信号输出。图像传感器的感光度与像素单元的尺寸大小强相关，为了在小尺寸的像素单元上提高感光度，需要在纵向上拓展光电二极管的空间。目前，光电二极管大多是通过光刻和离子注入工艺形成的。在形成光电二极管之前，需要在衬底上制作隔离区，通过隔离区划分出一个一个地像素单元。针对小尺寸的CIS器件，光刻工艺会受到光刻胶的深宽比限制，以及离子注入工艺会离子注入的深度和浓度限制，现有的材料难以满足工艺需求。
技术实现思路
为了解决相关技术中的问题，本申请提供了一种CIS器件的隔离区形成方法。该技术方案如下：一方面，本申请实施例提供了一种CIS器件的隔离区形成方法，该方法包括：通过光刻和刻蚀工艺，在第一外延层中形成若干条间隔分布地第一类沟槽；去除第一硬掩膜层；在第一类沟本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种CIS器件的隔离区形成方法，其特征在于，所述方法包括：/n在衬底上形成第一外延层，所述第一外延层具有第一导电类型；/n在所述第一外延层上方形成第一硬掩膜层；/n通过光刻和刻蚀工艺，在所述第一外延层中形成若干条间隔分布地第一类沟槽；/n去除所述第一硬掩膜层；/n在所述第一类沟槽内填充第二外延层；第二外延层具有第二导电类型，第一导电类型和第二导电类型相反；/n形成第二硬掩膜层；/n通过光刻和刻蚀工艺，在所述第一外延层中形成若干条间隔分布地第二类沟槽，所述第一外延层中的第二类沟槽与第一类沟槽垂直，所述第一类沟槽和所述第二类沟槽的深度相同；/n去除所述第二硬掩膜层；/n在所述第二类沟槽内填充第...

【技术特征摘要】
1.一种CIS器件的隔离区形成方法，其特征在于，所述方法包括：
在衬底上形成第一外延层，所述第一外延层具有第一导电类型；
在所述第一外延层上方形成第一硬掩膜层；
通过光刻和刻蚀工艺，在所述第一外延层中形成若干条间隔分布地第一类沟槽；
去除所述第一硬掩膜层；
在所述第一类沟槽内填充第二外延层；第二外延层具有第二导电类型，第一导电类型和第二导电类型相反；
形成第二硬掩膜层；
通过光刻和刻蚀工艺，在所述第一外延层中形成若干条间隔分布地第二类沟槽，所述第一外延层中的第二类沟槽与第一类沟槽垂直，所述第一类沟槽和所述第二类沟槽的深度相同；
去除所述第二硬掩膜层；
在所述第二类沟槽内填充第二外延层。


2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过CVD工艺形成硬掩膜层。


3.根据权利要求1或2所述的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳龙，黄鹏，范晓，王函，陈广龙，钱文生，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32