温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本申请公开了一种CIS器件的隔离区形成方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成第一外延层；在第一外延层上方形成第一硬掩膜层；通过光刻和刻蚀工艺，在第一外延层中形成若干条间隔分布地第一类沟槽；去除第一硬掩膜层；在第一类沟槽内填充第二外...该专利属于华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华虹半导体(无锡)有限公司;上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。