固态成像装置和电子设备制造方法及图纸

技术编号:28048915 阅读:22 留言:0更新日期:2021-04-09 23:40
本发明专利技术设有:基板,在所述基板上形成有多个光电转换部;凹槽部,所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧;和凹凸特征部,所述凹凸特征部设置在所述凹槽部的面向所述光电转换部的侧壁面上。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态成像装置和电子设备
本技术涉及固态成像装置和电子设备。
技术介绍
传统地,已经提出了其中在划线区域和像素区域之间形成有包围像素区域的凹槽部的固态成像装置(例如,参见专利文献1)。在专利文献1所记载的固态成像装置中,通过凹槽部来停止当分割晶片时所产生的膜剥离和裂纹。引用文献列表专利文献专利文献1:日本专利申请特开No.2015-159275
技术实现思路
专利技术要解决的问题然而,在专利文献1所记载的固态成像装置中,存在以下可能性:到固态成像装置的入射光被凹槽部的侧壁面或底面反射,反射的入射光被配置在固态成像装置的受光面侧的盖玻璃或成像透镜反射,使得不需要的光进入像素区域,由此引起眩光(flare)。本公开的目的是提供能够抑制眩光的固态成像装置和电子设备。问题的解决方案根据本公开的固态成像装置包括:(a)基板,在所述基板上形成有多个光电二极管;(b)凹槽部,所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧;和(c)凹凸部,所述凹凸部设置在所述凹槽部的内部。>此外,根据本公开的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种固态成像装置,包括:/n基板,在所述基板上形成有多个光电转换部;/n凹槽部,所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧;和/n凹凸部,所述凹凸部设置在所述凹槽部的面向所述多个光电转换部侧的侧壁面上。/n

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20180911 JP 2018-169729;20190723 JP 2019-1351471.一种固态成像装置,包括:
基板,在所述基板上形成有多个光电转换部;
凹槽部,所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧;和
凹凸部,所述凹凸部设置在所述凹槽部的面向所述多个光电转换部侧的侧壁面上。


2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述凹凸部具有使来自所述基板的受光面侧的入射光散射的形状。


3.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述凹凸部的凹凸的间距为0.1μm以上且小于100μm,所述间距是平面图中的在相邻凹部的底部之间的距离或在相邻凸部的顶部之间的距离。


4.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述凹凸部具有其中从所述基板的受光面侧观察时三角形连续的锯齿形状。


5.根据权利要求4所述的固态成像装置,其中
所述凹凸部的所述三角形的角度为1°以上且小于80°。


6.根据权利要求5所述的固态成像装置,其中
所述凹凸部的所述三角形的角度为1°以上且60°以下。


7.根据权利要求6所述的固态成像装置,其中
所述凹凸部的所述三角形的角度为30°±10°。


8.根据权利要求3所述的固态成像装置,其中
所述三角形的形状在所述凹槽部的纵向方向的各个位置上各不相同。


9.根据权利要求8所述的固态成像装置,其中
所述凹槽部在划线区域与像素区域之间设置为包围所述像素区域的四边形形状,所述划线区域被刀片切割,所述像素区域包括所述多个所述光电转换部,和
所述凹凸部在形成所述四边形形状的边的所述凹槽部中的所述像素区域的中央侧部分的所述侧壁面上形成为等腰三角形形状,并且在所述像素区域的端部侧部分的所述侧壁面上形成为在所述端部侧的边长于在所述中央侧的边的三角形形状。


10.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述凹凸部具有通过将多个锥状立体物配置成阵列状而获得的形状。


11.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述凹凸部设置在所述凹槽部的两个侧壁面中的每个上。


12.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述基板由硅形成。


13.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中
所述凹槽部在划线区域和像素区域之间设置为包围所述像素区域的四边形形状,所述划线区域被刀片切割,所述像素区域包括所述多个所述光电转换部。


14.根据权利要求13所述的固态成像装置,其中
所述凹凸部仅设置在形成所述四边形形状的边的所述凹槽部的面向所述像素区域的侧的侧壁面上,所述侧壁面与所述像素区域之间的距离小于或等于预定值。


15.一种固态成像装置,包括:
基板,在所述基板上形成有多个光电转换部;和
凹槽部,所述凹槽部设置在所述基板的受光面侧;其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近底面侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的形状。


16.根据权利要求15所述的固态成像装置,其中
所述凹槽部的侧壁面具有越靠近底面侧越向所述凹槽部的宽度方向内侧突出的阶梯形状。


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【专利技术属性】
技术研发人员:马场友彦秀岛直树
申请(专利权)人:索尼半导体解决方案公司
类型:发明
国别省市:日本;JP

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