阵列基板及其制备方法、显示面板技术

一种阵列基板，包括衬底、设置于衬底上的低温多晶硅薄膜晶体管和氧化物薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管包括第一有源层，第一有源层上依次层叠覆盖有栅极绝缘层和层间绝缘层，栅极绝缘层包括氧硅化物层，氧化物薄膜晶体管包括第二有源层，层间绝缘层上设置有凹槽，凹槽与低温多晶硅薄膜晶体管不具有交叠面，凹槽贯穿层间绝缘层，且凹槽的深度延伸至氧硅化物层的表面，第二有源层位于凹槽内的氧硅化物层表面。将LTPO显示面板中的氧化物薄膜晶体管的第二有源层下方的含有高氢含量的第一层间绝缘层去除，使得第二有源层与下方的低氢含量的第一栅极绝缘层接触，从而降低第二有源层周围的氢含量，提高氧化物薄膜晶体管的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
目前在显示面板领域，为了实现高响应速度、高对比度、高亮度的屏幕显示，有机发光二极管技术在显示领域得到了大幅的发展。但是随着可穿戴设备以及可穿戴显示领域的发展，以及在目前电池领域技术未得到显著突破的背景下，人们对显示设备的功耗要求越来越高。目前用于驱动薄膜晶体管和开关薄膜晶体管的低温多晶硅技术是一种主流技术趋势，低温多晶硅薄膜晶体管的功耗较低。但是由于低温多晶硅的载流子迁移率较大，存在漏电流较高的问题。因此LTPO(LowTemperaturePolycrystalline-SiOxide，低温多晶氧化物)技术应运而生。它结合了低温多晶硅和氧化物两者的优异点，形成了一种响应速度快，功耗更低的LTPO解决方案。LTPO同时采用了两种有源层，在形成低温多晶硅有源层上的层间绝缘层时，需要在层间绝缘层引入氮硅化物(SiNx)，在活化和补氢制程时以提供氢。但是氧化物有源层对于氢含量较为敏感，氢含量过高会导致氧化物有源层呈现导体化效应，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：/n衬底；/n低温多晶硅薄膜晶体管，设置于所述衬底上，包括第一有源层，所述第一有源层上依次层叠覆盖有栅极绝缘层和层间绝缘层，所述栅极绝缘层包括氧硅化物层，其中，所述层间绝缘层上设置有凹槽，所述凹槽在所述衬底上的正投影与所述低温多晶硅薄膜晶体管在所述衬底上的正投影错开；以及，/n氧化物薄膜晶体管，包括第二有源层；其中，/n所述凹槽贯穿所述层间绝缘层，且所述凹槽的深度延伸至所述氧硅化物层的表面，所述第二有源层位于所述凹槽内的所述氧硅化物层表面。/n

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
衬底；
低温多晶硅薄膜晶体管，设置于所述衬底上，包括第一有源层，所述第一有源层上依次层叠覆盖有栅极绝缘层和层间绝缘层，所述栅极绝缘层包括氧硅化物层，其中，所述层间绝缘层上设置有凹槽，所述凹槽在所述衬底上的正投影与所述低温多晶硅薄膜晶体管在所述衬底上的正投影错开；以及，
氧化物薄膜晶体管，包括第二有源层；其中，
所述凹槽贯穿所述层间绝缘层，且所述凹槽的深度延伸至所述氧硅化物层的表面，所述第二有源层位于所述凹槽内的所述氧硅化物层表面。


2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括设置于所述第一有源层上的第一栅极，所述第一栅极与所述第一有源层之间设置有第一栅极绝缘层，所述第一栅极上覆盖有第一层间绝缘层，所述凹槽贯穿所述第一层间绝缘层，且所述凹槽的深度延伸至所述第一栅极绝缘层的表面。


3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管包括设置于所述第一有源层上的第一栅极和金属层，所述第一栅极与所述第一有源层之间设置有第一栅极绝缘层，所述金属层与所述第一栅极之间设置有第二栅极绝缘层，所述金属层上覆盖有第一层间绝缘层，所述凹槽依次贯穿所述第一层间绝缘层和所述第二栅极绝缘层，且所述凹槽的深度延伸至所述第一栅极绝缘层的表面。


4.根据权利要求2或3所述的阵列基板，其特征在于，所述低温多晶硅薄膜晶体管还包括设置于所述第一层间绝缘层上的第一连接层，所述第一层间绝缘层还包括第一过孔，所述第一连接层通过所述第一过孔与所述第一有源层连接，所述第一连接层与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚吉祥，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北;42