有源矩阵基板及其制造方法和内嵌式触摸面板型显示装置制造方法及图纸

一种有源矩阵基板，具备薄膜晶体管、像素电极、像素接触部及共用电极，在薄膜晶体管中，漏极电极隔着下部绝缘层配置在半导体层上，并在形成于下部绝缘层的漏极用开口部内与半导体层的一部分接触，像素接触部具有第1绝缘层、连接电极、第2绝缘层及像素电极，在第2绝缘层上形成有包含像素电极、共用电极及位于其间的电介质层的透明电容部，在从基板的法线方向观看时，漏极用开口部内的漏极电极和半导体层接触的漏极接触区域既不与第1开口部内的连接电极和漏极电极接触的第1接触区域重叠，又不与第2开口部内的像素电极和连接电极接触的第2接触区域重叠，第2接触区域的整个区域与第1接触区域重叠，透明电容部与第1接触区域至少部分地重叠。

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵基板及其制造方法和内嵌式触摸面板型显示装置
本专利技术涉及有源矩阵基板及其制造方法和内嵌式触摸面板型显示装置。
技术介绍
在具备有源矩阵基板的显示装置中，按每个像素设置有像素电极和开关元件。作为开关元件，例如使用薄膜晶体管(ThinFilmTransistor：以下称为“TFT”)。也已提出使用氧化物半导体作为TFT的活性层的材料来代替非晶硅、多晶硅。此外，在本说明书中，有时将与显示装置的像素对应的有源矩阵基板的部分称为“像素区域”或“像素”。作为有源矩阵型的显示装置的动作模式，有时采用FFS(FringeFieldSwitching：边缘场开关)模式、IPS(In-Plane-Switching：面内开关)模式等横向电场方式的模式。在横向电场方式中，在有源矩阵基板设置一对电极(像素电极和共用电极)，在与基板面平行的方向(横向)上对液晶分子施加电场。各像素的像素电极的至少一部分配置为隔着电介质层与共用电极重叠。因此，在像素电极与共用电极重叠的部分会形成电容。该电容能具有作为显示装置中的辅助电容(以下称为“透明辅助电容”)的功能。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有源矩阵基板，/n具有包含多个像素区域的显示区域，/n具备：/n基板；/n薄膜晶体管，其支撑于上述基板，并且与各像素区域相对应地配置；/n像素电极，其在上述各像素区域中配置在上述薄膜晶体管的上方；/n像素接触部，其在上述各像素区域中将上述像素电极电连接到上述薄膜晶体管；以及/n共用电极，其以隔着电介质层与上述各像素区域的上述像素电极至少部分地重叠的方式配置在上述薄膜晶体管的上方，并且与上述像素电极电分离，/n上述有源矩阵基板的特征在于，/n上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、配置在上述半导体层与上述栅极电极之间的栅极绝缘层、源极电极以及漏极电极，上述漏极电极隔着下部绝缘层配置在上述半...

【技术特征摘要】
20191028 US 62/926,5931.一种有源矩阵基板，
具有包含多个像素区域的显示区域，
具备：
基板；
薄膜晶体管，其支撑于上述基板，并且与各像素区域相对应地配置；
像素电极，其在上述各像素区域中配置在上述薄膜晶体管的上方；
像素接触部，其在上述各像素区域中将上述像素电极电连接到上述薄膜晶体管；以及
共用电极，其以隔着电介质层与上述各像素区域的上述像素电极至少部分地重叠的方式配置在上述薄膜晶体管的上方，并且与上述像素电极电分离，
上述有源矩阵基板的特征在于，
上述薄膜晶体管具有半导体层、栅极电极、配置在上述半导体层与上述栅极电极之间的栅极绝缘层、源极电极以及漏极电极，上述漏极电极隔着下部绝缘层配置在上述半导体层上，并且在形成于上述下部绝缘层的漏极用开口部内与上述半导体层的一部分接触，
上述各像素区域的上述像素接触部具有：
上述漏极电极；
第1绝缘层，其覆盖上述漏极电极；
连接电极，其在形成于上述第1绝缘层的第1开口部内与上述漏极电极接触；
第2绝缘层，其覆盖上述连接电极；以及
上述像素电极，其在形成于上述第2绝缘层的第2开口部内与上述连接电极接触，
在上述第2绝缘层上形成有包含上述像素电极、上述共用电极以及位于其间的上述电介质层的透明电容部，
在从上述基板的法线方向观看时，在上述各像素区域中，
上述漏极用开口部内的上述漏极电极和上述半导体层接触的漏极接触区域既不与上述第1开口部内的上述连接电极和上述漏极电极接触的第1接触区域重叠，又不与上述第2开口部内的上述像素电极和上述连接电极接触的第2接触区域重叠，
上述第2接触区域的整个区域与上述第1接触区域重叠，并且
上述透明电容部与上述第1接触区域至少部分地重叠。


2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，
上述有源矩阵基板具备：多个栅极总线，其在第1方向上延伸；以及多个源极总线，其在与上述第1方向交叉的第2方向上延伸，
在上述各像素区域中，上述薄膜晶体管的上述栅极电极电连接到上述多个栅极总线中的对应的1个栅极总线，上述源极电极电连接到上述多个源极总线中的对应的1个源极总线，
在从上述基板的法线方向观看时，在上述对应的1个栅极总线与上述漏极接触区域之间配置有上述像素接触部中的上述第1接触区域和上述第2接触区域。


3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，
在上述各像素区域中，在从上述基板的法线方向观看时，上述漏极电极仅覆盖上述漏极用开口部的一部分，
上述半导体层中的由上述漏极用开口部露出的部分包含与上述漏极电极接触的第1部分以及与上述第1绝缘层接触的第2部分，上述第1部分位于比上述第2部分靠上述像素接触部侧。


4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
在上述各像素区域中，上述像素电极位于比上述共用电极靠上述基板侧，在从上述基板的法线方向观看时，上述透明电容部与上述像素接触部中的上述第1接触区域的整个区域以及上述第2接触区域的整个区域重叠。


5.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
在上述各像素区域中，上述共用电极位于比上述像素电极靠上述基板侧，在从上述基板的法线方向观看时，上述透明电容部与上述像素接触部中的上述第1接触区域部分地重叠，并且与上述第2接触区域不重叠。


6.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
在上述各像素接触部中，在从上述基板的法线方向观看时，上述第1绝缘层中的上述第1开口部的整个底面与上述漏极电极的上表面重叠。


7.根据权利要求1至3中的任意一项所述的有源矩阵基板，
在上述各像素接触部中，在从上述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：相地广西，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP