切割带及半导体部件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种切割带及半导体部件的制造方法。切割带(10)具有切割带主体(15)和保护切割带主体(15)的保护层(16)，切割带主体(15)具有粘着剂层(11)和支撑粘着剂层(11)的第一基材膜(12)，保护层(16)具有第二基材膜(14)和将第二基材膜(14)接合于第一基材膜(12)的粘合剂层(13)。

【技术实现步骤摘要】
切割带及半导体部件的制造方法
本专利技术涉及切割带及半导体部件的制造方法。本申请基于2019年10月28日在日本申请的特愿2019-195485号主张优先权，并将其内容援引于此。
技术介绍
切割带用于半导体部件的制造工序。具体而言，如专利文献1～3所记载，在将粘贴于切割带上的半导体晶片切断(切割)为半导体芯片后，将半导体芯片从切割带剥离(拾取)。在专利文献4所记载的切割固晶片的情况下，在片材上切割半导体晶片后，将半导体芯片与膜状粘合剂一起从基材上的粘着剂层剥离(拾取)。在日本特开2003-105292号公报中记载有在基材膜的一面具有光交联型抗静电粘着剂层的切割带。在日本特开2010-225753号公报中记载有在环刚度为预定的范围内的基材膜上具有粘着剂层的切割带。在日本特开2010-251722号公报中记载有在紫外线透过性的基材膜上具有含有聚硫醇的紫外线固化型粘着剂层的切割带。在国际公开第2017/154619号中记载有在基材上具备粘着剂层和膜状粘合剂的切割固晶片。
技术实现思路
技术问题在切割带上将半导体晶片切割后，在拾取半导体芯片时，进行通过紫外线照射等使粘着剂层的粘着力降低的工序、对切割带沿长边方向拉伸的工序(扩展)。另外，进行用销从切割带的背面(基材侧)向上推的工序等。切割后的半导体芯片需要被保持在切割带上经过上述预定的工序直到拾取为止。然而，如果在切割时切割带发生劣化，则有时切割带无法耐受扩展的张力而断裂或半导体芯片会意外地从切割带脱落。r>本专利技术是鉴于上述情况而作出的，其课题在于提供一种能够维持切割后的切割带的强度的切割带和半导体部件的制造方法。技术方案为了解决上述课题，本方式提供一种切割带，其特征在于，上述切割带具有切割带主体和保护上述切割带主体的保护层，上述切割带主体具有粘着剂层和支撑上述粘着剂层的第一基材膜，上述保护层具有第二基材膜和将上述第二基材膜接合于上述第一基材膜的粘合剂层。在本方式的切割带中，也可以构成为上述粘着剂层能够因照射能量射线而发生固化，从而使粘着力降低，上述第一基材膜、上述第二基材膜和上述粘合剂层能够使上述能量射线透过，即使在照射上述能量射线后，上述粘合剂层也将上述第二基材膜接合于上述第一基材膜。在本方式的切割带中，也可以构成为上述切割带的延伸率为80％以上，上述粘合剂层的延伸率比上述第一基材膜的延伸率大并且比上述第二基材膜的延伸率大。在本方式的切割带中，也可以构成为上述第一基材膜和上述第二基材膜包括选自聚酰亚胺(PI)树脂、聚醚砜(PES)树脂、聚苯硫醚(PPS)树脂、聚醚醚酮(PEEK)树脂、聚酰胺酰亚胺(PAI)树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂、环氧树脂、氟树脂的树脂膜。在本方式的切割带中，也可以构成为在上述粘着剂层的与上述第一基材膜相反一侧的粘着面具有剥离膜。另外，本方式的半导体部件的制造方法的特征在于，上述半导体部件的制造方法至少包括：将粘贴有上述任意一种切割带的半导体晶片切断成半导体芯片的工序；以及将上述半导体芯片从上述切割带剥离的工序。技术效果根据本专利技术的上述各方式，即使切割带主体在切割时发生劣化，也能够利用保护层来维持切割后的切割带的强度。因此，即使在半导体部件的制造方法中，也能够抑制半导体芯片从切割带脱落而提高生产率。附图说明图1是表示切割带的一例的截面图。图2是表示切割后的切割带的一例的截面图。符号说明10…切割带、11…粘着剂层、11a…粘着面、12…第一基材膜、13…粘合剂层、14…第二基材膜、14a…背面、15…切割带主体、16…保护层、17…剥离膜、21…被粘附体、22…切割槽。具体实施方式以下，基于优选的实施方式参照附图对本专利技术进行说明。本实施方式的切割带10具有：被使用于切割半导体晶片等被粘附体(未图示)的切割带主体15以及保护切割带主体15的保护层16。切割带主体15具有粘着剂层11和支撑粘着剂层11的第一基材膜12。保护层16具有第二基材膜14和将第二基材膜14接合于第一基材膜12的粘合剂层13。粘着剂层11利用粘着力将半导体晶片等被粘附体固定。被粘附体被固定于粘着剂层11的粘着面11a。作为构成粘着剂层11的粘着剂，可列举丙烯酸系粘着剂、有机硅系粘着剂、聚氨酯系粘着剂等。在被粘附体未被固定于粘着剂层11时，也可以在粘着剂层11的粘着面11a具有剥离膜17。第一基材膜12层叠于粘着剂层11的与粘着面11a相反一侧的面。为了提高粘着剂层11与第一基材膜12的接合力，第一基材膜12也可以在其与粘着剂层11之间具有锚固剂层。作为第一基材膜12，虽然未被特别限定，但是可列举包括聚乙烯(PE：polyethene)树脂、聚丙烯(PP：polypropylene)树脂等聚烯烃树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET：Polyethyleneterephthalate)树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT：Polybutyleneterephthalate)树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN：polyethylenenaphthalate)树脂等聚酯树脂；尼龙等聚酰胺(PA：polyamide)树脂、聚酰亚胺(PI：polyimide)树脂、聚碳酸酯(PC：polycarbonate)树脂、聚醚砜(PES：PolyetherSulfone)树脂、聚苯硫醚(PPS：PolyPhenyleneSulfide)树脂、聚醚醚酮(PEEK：polyetheretherketone)树脂、聚酰胺酰亚胺(PAI：Polyamide-imide)树脂、环氧树脂(epoxyresin)、氟树脂(fluorocarbonpolymers)等中的至少一种树脂的树脂膜。另外，构成上述第一基材膜12的树脂的光学特性未被特别限定，无论透明、半透明、不透明均能够使用。第一基材膜12的厚度虽然未被特别限定，但是可列举例如5～500μm。在将固定有粘着剂层11的半导体晶片等被粘附体21切断为半导体芯片等单片状的切割工序中，切断被粘附体21的切割槽22也可以到达粘着剂层11的厚度方向上的至少一部分。并且如图2所示，切割槽22也可以到达第一基材膜12的厚度方向上的至少一部分。在现有技术的切割带中，如果由切割槽造成的损伤到达基材，则存在根据情况切割带无法耐受扩展的张力等问题。在本实施方式的切割带10中，作为保护层16，第二基材膜14介由粘合剂层13接合于第一基材膜12。第二基材膜14与第一基材膜12同样具有能够耐受扩展的张力等的强度。由此，即使切割带主体15的第一基材膜12由于损伤等而发生劣化，也能够利用保护层16来维持切割带10的强度。作为第二基材膜14，虽然未被特别限定，但是可列举包括聚乙烯(PE)树脂、聚丙烯(PP)树脂等聚烯烃树脂；聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)树脂、聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)树脂等聚酯树脂；尼龙等聚酰胺(PA)树脂、聚本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割带，其特征在于，所述切割带具有切割带主体和保护所述切割带主体的保护层，所述切割带主体具有粘着剂层和支撑所述粘着剂层的第一基材膜，/n所述保护层具有第二基材膜和将所述第二基材膜接合于所述第一基材膜的粘合剂层。/n

【技术特征摘要】
20191028 JP 2019-1954851.一种切割带，其特征在于，所述切割带具有切割带主体和保护所述切割带主体的保护层，所述切割带主体具有粘着剂层和支撑所述粘着剂层的第一基材膜，
所述保护层具有第二基材膜和将所述第二基材膜接合于所述第一基材膜的粘合剂层。


2.根据权利要求1所述的切割带，其特征在于，所述粘着剂层能够因照射能量射线而发生固化，从而使粘着力降低，所述第一基材膜、所述第二基材膜和所述粘合剂层能够使所述能量射线透过，即使在照射所述能量射线后，所述粘合剂层也将所述第二基材膜接合于所述第一基材膜。


3.根据权利要求1或2所述的切割带，其特征在于，所述切割带的延伸率为80％以上，所述粘合剂层的延伸率比所述第一基材膜的延伸率大并且比所述第二基材膜的延伸率大。


4.根据权利要求1或2所述的切割带，其特征在于，所述第一基材膜和所述第二基材膜包括树脂膜，所述树脂膜包括聚酰亚胺树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚醚酮树脂、...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木佑奈，千嶋宪治，野村直宏，
申请(专利权)人：藤森工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP