切割带及半导体部件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种切割带及半导体部件的制造方法。切割带(10)具有切割带主体(15)和保护切割带主体(15)的保护层(16)，切割带主体(15)具有粘着剂层(11)和支撑粘着剂层(11)的第一基材膜(12)，保护层(16)具有第二基材膜(14)和将第二基材膜(14)接合于第一基材膜(12)的粘合剂层(13)。

【技术实现步骤摘要】
切割带及半导体部件的制造方法
本专利技术涉及切割带及半导体部件的制造方法。本申请基于2019年10月28日在日本申请的特愿2019-195485号主张优先权，并将其内容援引于此。
技术介绍
切割带用于半导体部件的制造工序。具体而言，如专利文献1～3所记载，在将粘贴于切割带上的半导体晶片切断(切割)为半导体芯片后，将半导体芯片从切割带剥离(拾取)。在专利文献4所记载的切割固晶片的情况下，在片材上切割半导体晶片后，将半导体芯片与膜状粘合剂一起从基材上的粘着剂层剥离(拾取)。在日本特开2003-105292号公报中记载有在基材膜的一面具有光交联型抗静电粘着剂层的切割带。在日本特开2010-225753号公报中记载有在环刚度为预定的范围内的基材膜上具有粘着剂层的切割带。在日本特开2010-251722号公报中记载有在紫外线透过性的基材膜上具有含有聚硫醇的紫外线固化型粘着剂层的切割带。在国际公开第2017/154619号中记载有在基材上具备粘着剂层和膜状粘合剂的切割固晶片。专利技术内容技术问本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种切割带，其特征在于，所述切割带具有切割带主体和保护所述切割带主体的保护层，所述切割带主体具有粘着剂层和支撑所述粘着剂层的第一基材膜，/n所述保护层具有第二基材膜和将所述第二基材膜接合于所述第一基材膜的粘合剂层。/n

【技术特征摘要】
20191028 JP 2019-1954851.一种切割带，其特征在于，所述切割带具有切割带主体和保护所述切割带主体的保护层，所述切割带主体具有粘着剂层和支撑所述粘着剂层的第一基材膜，
所述保护层具有第二基材膜和将所述第二基材膜接合于所述第一基材膜的粘合剂层。


2.根据权利要求1所述的切割带，其特征在于，所述粘着剂层能够因照射能量射线而发生固化，从而使粘着力降低，所述第一基材膜、所述第二基材膜和所述粘合剂层能够使所述能量射线透过，即使在照射所述能量射线后，所述粘合剂层也将所述第二基材膜接合于所述第一基材膜。


3.根据权利要求1或2所述的切割带，其特征在于，所述切割带的延伸率为80％以上，所述粘合剂层的延伸率比所述第一基材膜的延伸率大并且比所述第二基材膜的延伸率大。


4.根据权利要求1或2所述的切割带，其特征在于，所述第一基材膜和所述第二基材膜包括树脂膜，所述树脂膜包括聚酰亚胺树脂、聚醚砜树脂、聚苯硫醚树脂、聚醚醚酮树脂、...

【专利技术属性】
技术研发人员：铃木佑奈，千嶋宪治，野村直宏，
申请(专利权)人：藤森工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP