一种RT探测器及其应用制造技术

本发明专利技术公开了一种RT探测器及其应用，包含若干个子探测器，每个所述子探测器用以观察至少一个外设外延片；若干个所述子探测器的分布方式为阵列式分布；每个所述子探测器各包含一个光源和若干个子接收器；所述光源用于发出入射光；所述子接收器用于接收由外延片形成的光信号，并对所接收的光信号进行光电转换以获得电信号；本发明专利技术温度监控对象明确且唯一，同时采用反射率曲线方式进行了温度监控；实现了生长全过程的RT曲线有效监控，进而实现了外延片组分和均匀性生长控制。

【技术实现步骤摘要】
一种RT探测器及其应用
本专利技术涉及半导体材料生长制备领域，具体涉及一种RT探测器及其应用。
技术介绍
薄膜外延是制造半导体器件薄膜的关键工艺，它是一种复杂的物理化学反应过程。影响外延生长的参数很多，这些参数决定了器件的光电特性和良品率，生长参数的微小偏差会导致器件良品率和性能指数级衰减。薄膜外延生长的原位监测是薄膜外延生长系统的"眼睛"，用于实时在线检测外延薄膜生长过程中的参数。目前，有相关方法实现了外延片温度、厚度、生长率、应力等参数的在线检测，但随着外延生长过程中要求控制的组分、膜层厚度以及长膜质量越来越高，需要监测系统可以同时检测薄膜生长的物性变化、生长速率、薄膜质量等多种参数，以便及时调整外延参数，实现薄膜外延生长过程的最优化。在外延材料生长制备过程中，需要对生长温度进行精确的监控。常用的监控手段有两种，分别是(RT)和(TC)。其中，RT为wafer表面的温度，通过监控反射率曲线实现，TC为石墨盘温度，通过热电偶检测。生长过程中，高温条件下外延层材料与衬底的热膨胀系数不同，在应力作用下外延片发生翘曲，导致反射信号超出探测器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种RT探测器，其特征在于：包含若干个子探测器，每个所述子探测器用以观察至少一个外设外延片；若干个所述子探测器的分布方式为阵列式分布；/n每个所述子探测器各包含一个光源和若干个子接收器；/n所述光源用于发出入射光；/n所述子接收器用于接收由外延片形成的光信号，并对所接收的光信号进行光电转换以获得电信号。/n

【技术特征摘要】
1.一种RT探测器，其特征在于：包含若干个子探测器，每个所述子探测器用以观察至少一个外设外延片；若干个所述子探测器的分布方式为阵列式分布；
每个所述子探测器各包含一个光源和若干个子接收器；
所述光源用于发出入射光；
所述子接收器用于接收由外延片形成的光信号，并对所接收的光信号进行光电转换以获得电信号。


2.根据权利要求1所述的一种RT探测器，其特征在于：所述光源的形状为眼球状。


3.根据权利要求1所述的一种RT探测器，其特征在于：所述入射光的波长范围为300~1800nm。


4.根据权利要求1所述的一种RT探测器，其特征在于：所述阵列式分布为同心圆式排列或点阵式排列。


5.根据权利要求1所述的一种RT探测器，其特征在于：所述子探测器的密度为1个/10cm2~1个/3cm2。...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘雪珍，张小宾，高熙隆，刘建庆，杨文奕，
申请(专利权)人：中山德华芯片技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44