【技术实现步骤摘要】
湿法刻蚀基台及湿法制程化学台
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种湿法刻蚀基台及湿法制程化学台。
技术介绍
伴随着半导体生产制程越来越先进，湿法刻蚀所面临的问题也越来越多。膜层沉积之前，晶片保存在无尘室的承片架上，无尘室有等级之分，即便是等级最低的无尘室也避免不了环境中有机物气体和微小颗粒的侵入，再加上前一道制程中离子、分子、颗粒等带来的污染，会影响膜层的正常生长，具体地，细微的颗粒会随着膜层生长为大的颗粒，从而使膜层突起，离子则在高温作用下在膜层中扩散，从而影响膜层的电阻率。此外，沉积后的膜层，如果表面还残留颗粒，若后一道制程是刻蚀，会阻挡刻蚀的深入，若是曝光，会影响膜层图案的形态，若是化学机械研磨，会造成膜层刮伤。通常地，膜层在沉积前后通过RCA清洗工艺进行清洗，目前较优选的方案是在RCA清洗之前先分别通过硫酸双氧水(SPM)和稀释的氢氟酸(DHF)进行清洗。在整个制程中，由于机台内部的静电产生的感生电荷聚集达到一个量级后爆炸溅射，使清洗之后的晶片依然会产生缺陷。因此，如何避免制程中机台内部电荷聚集是一个亟
【技术保护点】
1.一种湿法刻蚀基台，其特征在于，包括反应腔室、管路组件及静电导流件，/n所述管路组件包括刻蚀管及清洗管，所述刻蚀管用于向所述反应腔室通入刻蚀液；所述清洗管用于向所述反应腔室通入清洗液；/n所述静电导流件贴附于所述刻蚀管和所述清洗管中的至少一个上。/n
【技术特征摘要】
1.一种湿法刻蚀基台，其特征在于，包括反应腔室、管路组件及静电导流件，
所述管路组件包括刻蚀管及清洗管，所述刻蚀管用于向所述反应腔室通入刻蚀液；所述清洗管用于向所述反应腔室通入清洗液；
所述静电导流件贴附于所述刻蚀管和所述清洗管中的至少一个上。
2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀基台，其特征在于，所述静电导流件呈管状，套设于所述刻蚀管和/或所述清洗管之外周。
3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀基台，其特征在于，所述静电导流件具有两个槽孔组，每个所述槽孔组包括多个沿所述静电导流件的延伸方向间隔排布的槽孔，所述槽孔沿径向贯通所述静电导流件；两个所述槽孔组沿径向分布于所述静电导流件的延长线的两侧，且沿所述静电导流件的延伸方向错位排布。
4.根据权利要求2所述的湿法刻蚀基台，其特征在于，所述静电导流件具有沿自身的延伸方向开设的边缘缝，所述静电导流件用于通过所述边缘缝套设在所述刻蚀管和/或所述清洗管...
【专利技术属性】
技术研发人员：许浩浩，吴智翔，刘鹏，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31
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