【技术实现步骤摘要】
SiCMOSFET功率循环试验方法
本专利技术涉及SiCMOSFET试验
，特别是涉及一种SiCMOSFET功率循环试验方法。
技术介绍
与SiIGBT器件相比，SiCMOSFET具有更低的开关损耗，更高的工作温度，高十倍的击穿场强等诸多优越的电气性能。近年来，SiCMOSFET器件的可用性和成熟度已得到显著改善，SiCMOSFET在降低功耗、提高集成度以及提高系统效率方面有着巨大的优势，在电机驱动、汽车电子、开关电源及光伏发电等领域有着广阔的应用前景。功率循环试验是评价SiCMOSFET器件可靠性的一项重要指标，准确的结温监测是评估功率循环试验结果的基本条件。目前，传统的SiMOSFET的功率循环试验方法应用于SiCMOSFET器件存在结温监测误差大，影响可靠性评估的准确性。
技术实现思路
基于此，有必要针对目前的SiCMOSFET功率循环试验方法存在结温监测误差大的问题，提供一种SiCMOSFET功率循环试验方法。一种SiCMOSFET功率循环试验方法，包括确定SiCMOSFET的沟道关...
【技术保护点】
1.一种SiC MOSFET功率循环试验方法，其特征在于，包括：/n确定SiC MOSFET的沟道关断电压值和沟道导通电压值；/n根据所述沟道导通电压值，将所述SiC MOSFET的栅源电压设置为第一电压，所述第一电压使得所述SiC MOSFET的沟道导通，并向所述SiC MOSFET提供加热电流，使所述SiCMOSFET在导通时间内升温；/n根据所述沟道关断电压值，将所述SiC MOSFET的栅源电压设置为第二电压，所述第二电压使得所述SiC MOSFET的沟道关断，使所述SiC MOSFET在关断时间内降温，并向所述SiCMOSFET的反向二极管提供感应电流；/n监测所...
【技术特征摘要】
1.一种SiCMOSFET功率循环试验方法，其特征在于，包括：
确定SiCMOSFET的沟道关断电压值和沟道导通电压值；
根据所述沟道导通电压值，将所述SiCMOSFET的栅源电压设置为第一电压，所述第一电压使得所述SiCMOSFET的沟道导通，并向所述SiCMOSFET提供加热电流，使所述SiCMOSFET在导通时间内升温；
根据所述沟道关断电压值，将所述SiCMOSFET的栅源电压设置为第二电压，所述第二电压使得所述SiCMOSFET的沟道关断，使所述SiCMOSFET在关断时间内降温，并向所述SiCMOSFET的反向二极管提供感应电流；
监测所述SiCMOSFET在导通瞬间和关断瞬间的结温变化，根据所述结温变化判断所述SiCMOSFET的退化状况。
2.根据权利要求1所述的SiCMOSFET功率循环试验方法，其特征在于，所述SiCMOSFET包括反向体二极管，所述确定SiCMOSFET的沟道关断电压值，包括：
向所述SiCMOSFET施加不同电压值的栅源电压；
获取在不同栅源电压下所述反向体二极管导通电压与导通电流的导通特性曲线；
当所述导通特性曲线不再变化时，此时所述栅源电压的电压值为所述沟道关断电压值。
3.根据权利要求2所述的SiCMOSFET功率循环试验方法，其特征在于，在确定SiCMOSFET的沟道关断电压值后，所述方法还包括：
向所述SiCMOSFET施加不同电压值的栅源电压；
根据所述反向体二极管的结电压与所述SiCMOSFET结温的导数和所述栅源电压之间的关系式绘制曲线；
判断曲线的导数在所述沟道关断电压值处是否为零，以对所述沟道关断电压值进行验证。
4.根据权利要求3所述的SiCMOSFET功率循环试验方法，其特征在于，所述反向体二极管的...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈媛，贺致远，陈义强，侯波，刘昌，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：广东;44
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