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本发明涉及SiC MOSFET试验技术领域，公开了一种SiC MOSFET功率循环试验方法和试验电路，包括确定SiC MOSFET的沟道关断电压值和沟道导通电压值；在功率循环试验中，根据沟道导通电压值和沟道关断电压值分别将SiC MOSFE...该专利属于中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))授权不得商用。