【技术实现步骤摘要】
本申请涉及碳化硅器件测试，特别是涉及一种碳化硅器件的双极退化筛选方法、装置及系统。
技术介绍
1、碳化硅器件中，体二极管的通态压降和器件正向导通电阻随时间增大的现象，称为双极退化。双极退化主要是由sic晶体上的缺陷触发导致的，体二极管在电流流通时电子与空穴复合所释放的能量诱发堆垛层错（stacking fault，sf）在基面位错（basal planedislocations，bpd）处蔓延，直至蔓延至芯片表面后停止，此时双极退化便会饱和。
2、不同厂商的器件在直流和脉冲条件下的双极退化速率不同，对于某些厂商的器件，脉冲应力可能会比直流应力更能加速器件的双极退化；而对于某些厂商的器件，直流应力则比脉冲应力更能加速器件双极退化。在未知哪种条件退化更快的情况下，采用某一种条件进行双极退化筛选可能会增加筛选时间并对器件产生损伤。
技术实现思路
1、基于此，有必要提供一种可以实现快速筛选的碳化硅器件的双极退化筛选方法、装置及系统。
2、第一方面，本申请提供了一种碳化硅器件...
【技术保护点】
1.一种碳化硅器件的双极退化筛选方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述待测碳化硅器件进行直流应力试验，获取第一试验结果，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述待测碳化硅器件进行脉冲应力试验，获取第二试验结果，包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.一种碳化硅器件的双极退化筛选装置，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的碳化硅器件的双极退化筛选装置，其特征在于，所述直流试验模组包括：
7.根...
【技术特征摘要】
1.一种碳化硅器件的双极退化筛选方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述待测碳化硅器件进行直流应力试验，获取第一试验结果，包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述待测碳化硅器件进行脉冲应力试验，获取第二试验结果，包括：
4.根据权利要求1-3任一项所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
5.一种碳化硅器件的双极退化筛选装置，其特征在于，包括：
6.根据权利要求5所述的碳化硅器件的双极退化筛选装置，其特征在于，所述直流试验模组包括：
7.根据权利要求5所述的碳化硅器件的双...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈媛，龙洋涛，何亮，施宜军，侯波，陈兴欢，
申请(专利权)人：中国电子产品可靠性与环境试验研究所工业和信息化部电子第五研究所中国赛宝实验室，
类型：发明
国别省市：
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