【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及集成电路的设计和制造，尤其涉及用于改善制造集成电路的光刻工艺的系统和方法。
技术介绍
用于集成电路(IC)的电子设计过程包括描述IC或电子系统的行为属性、架构属性、功能属性、以及结构属性。设计团队通常从非常抽象的目标产品的行为模型开始，并以IC芯片上的各种结构、器件、以及互连的物理描述结束。半导体代工厂使用物理描述来产生制造IC所需的掩膜和测试程序。在设计、验证、以及制造电子设计的整个过程中，EDA工具广泛地被设计者所使用。光刻是一种光学印刷和制造工艺，通过其可以将光掩模上的特征成像和限定到涂覆在衬底上的感光层。光掩模可以用于在给定衬底以及许多衬底上的许多位置上产生相同的原始图案(masterpattern)。光刻和光掩模对于集成电路(IC)的有效制造以及IC产业的发展是相当关键的。对于IC制造应用而言，光掩模特征对应于各种基本物理IC元件，所述元件包括诸如晶体管以及互连线、接触和通孔的功能电路元件以及不是功能电路...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种使用光刻制造设备来印刷用于IC产品的图像的方法，
该方法包括：
识别一个或多个关键特征，所述一个或多个关键特征对应于所
述IC产品上的由于间距尺寸问题而无法在所述光刻制造设备的单次
曝光中被印刷的一个或多个特征；
识别一个或多个非关键特征，所述一个或多个非关键特征对应
于所述IC产品上的可以在所述光刻制造设备的单次曝光中被印刷的
一个或多个特征；
如果需要则分割所述一个或多个非关键特征中的任何一个；以
及
产生用于使用第一次曝光来制造所述一个或多个关键特征中的
第一组以及使用第二次曝光来制造所述一个或多个关键特征中的第
二组的数据。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述产生数据的操作包括
产生掩膜分配信息，其中所述第一组对应于第一掩膜而所述第二组
对应于第二掩膜。
3.如权利要求1所述的方法，其中，所述识别一个或多个关键
特征的操作包括识别最小宽度(MIN_CRIT_WIDTH)大于或等于可
印刷的尺寸且最大宽度(MAX_CRIT_WIDTH)小于可使用单次曝
光印刷的尺寸的形状。
4.如权利要求1所述的方法，其中，所述分割非关键特征的操
作识别邻接或相邻于关键特征的非关键特征。
5.如权利要求4所述的方法，其中，逻辑切割线与根据邻接或
相邻于所述非关键特征的关键特征的数量和设置而被分割的所述非
关键特征相关联。
6.如权利要求1所述的方法，还包括：
在两个形状之间设置间隙；以及
在所述间隙中产生多边形。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述一个或多个非关键特
征与所述第一组或所述第二组相关联。
8.如权利要求7所述的方法，其中，非关键特征与非关键特征
之间的距离确定哪一组与所述非关键特征相关联。
9.如权利要求1所述的方法，其中，在非关键特征与关键特征
之间产生较大的空间，以处理被过分限制的布图。
10.如权利要求1所述的方法，还包括校错。
11.如权利要求1所述的方法，其中，修改所述一个或多个关
键或非关键特征，以处理所述光刻制造设备的光刻效应的预期物理
特性。
12.如权利要求11所述的方法，其中，对于所述第一次曝光的
印刷的一部分与对于所述第二次曝光的印刷的一部分重叠。
13.一种使用光刻制造设备来印刷用于IC产品的图像的方法，
该IC产品具有比可在单次曝光中印刷的间距还小的间距。
14.如权利要求13所述的方法，还包括将布图分成两次或多次
曝光，每次曝光具有任意细的线但大于必要的间距。
15.如权利要求13所述的方法，还包括：
从一个或多个第二特征中识别所述IC产品上的应该经受单独曝
光的一个或多个第一特征；
使用第一次曝光印刷所述一个或多个第一特征；以及
使用第二次曝光印刷所述一个或多个第二特征。
16.如权利要求15所述的方法，其中，产生对应于所述一个或
多个第一特征的用于第一掩膜的第一数据，并且产生对应于所述一
个或多个第二特征的第二数据。
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