本实用新型专利技术公开了一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，包括芯片基层，芯片基层的正表面设有不少于两个芯片压区，每个芯片压区正面通过再分布引线引出，凸块下金属化层的接触端与再分布引线的开口区连接，凸块下金属化层上方有焊接凸点，凸块下金属化层下方依次设有第一再钝化层、第二再钝化层和钝化层。本实用新型专利技术的UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，可以简化晶圆级封装的工艺流程，通过再布线层连接，可以将芯片上多个芯片压区布局在同一区域，并在连接在同一个UBM层下方，即不需要多层再布线层即可实现相同功能芯片压区的电性互连；且可以优化晶圆级封装的产品结构，多个芯片压区可以通过多个UBM结构的互连导通。
【技术实现步骤摘要】
一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构
本技术涉及一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，属于封装领域。
技术介绍
芯片封装包含电力分配、讯号分配、热量分散、保护作用及支撑作用等功能。当一半导体组件变成更加复杂时，传统的封装技术如导线架封装技术、柔性封装技术、刚性封装技术已不适用于制作较小芯片并具有高密度组件的需求。为了符合较新一代电子产品的封装需求，致力以创造出具可靠性、低成本、体积小及高效率的封装结构。随着芯片线宽特征尺寸越来越小时，传统的封装方式已经不能满足要求，一种先进的晶圆3D互连封装技术（WLP）应运而生。它通过铜凸点和TSV电镀技术实现芯片3D互连封装，可使半导体器件制造商以较低的成本制作出封装更小、功能更强的器件和电路。重分布层(RDL)可以形成在管芯上方并且电连接至管芯中的有源器件。然后，可以形成诸如凸块下金属化层(UBM)上的焊料球的输入/输出(I/O)连接件，以通过RDL电连接至管芯。这样的封装技术的有利特征在于，有可能形成封装件。因此，可以重分布管芯上的I/O焊盘以覆盖比管芯更大的面积，并且因此，可以增加封装在被封装的管芯的表面上的I/O焊盘的数量。随着技术的发展和进步，芯片上压区数量增多且压区分布越趋复杂，若想实现不同芯片压区的跨区域互连导通，往往需要进行多次再分布引线（RDL），并引出多个凸块下金属化层（UBM）实现电连接，工艺流程复杂。
技术实现思路
专利技术目的：为了克服现有技术中存在的不足，本技术提供一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，通过UBM跨越再布线层（RDL层）或再钝化层（Repassivation）互连导通芯片不同区域压区的晶圆级封装新型结构。技术方案：为解决上述技术问题，本技术的一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，包括芯片基层，芯片基层的正表面设有不少于两个间隔的芯片压区，每个芯片压区正面通过再分布引线引出，凸块下金属化层的接触端与再分布引线的开口区连接，凸块下金属化层上方有焊接凸点，凸块下金属化层下方依次设有再钝化层和钝化层。作为优选，所述焊接凸点为焊球凸点、铜柱凸块中的一种。作为优选，所述凸块下金属化层下方设有再布线层。作为优选，所述芯片基层外包裹有绝缘膜层。作为优选，所述绝缘膜层背面粘合有支撑硅。作为优选，所述支撑硅厚度为。作为优选，所述支撑硅外设有金属层。作为优选，所述金属层为Cu、Al、Ti、Ni、Ag多种金属的单层或多层结构，或为Ti/Ni/Ag叠层结构。作为优选，所述金属层外设有背胶层。作为优选，所述背胶层为液体环氧树脂涂布、液态或粉末态环氧树脂模压成型或单层的环氧树脂树脂膜。有益效果：本技术的UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，可以简化晶圆级封装的工艺流程，通过再布线层连接，可以将芯片上远间距的两个或多个芯片压区布局在同一区域，并在连接在同一个UBM层下方，即不需要多层再布线层即可实现相同相同功能芯片压区的电性互连；且可以优化晶圆级封装的产品结构，多个芯片压区可以通过单个焊球凸点（SolderBump）、铜柱凸块(CopperPillarBump)与外部PCB板或其他结构的互连导通。附图说明图1为本技术的结构示意图。图2为一种实施例的结构示意图。图3为另一种实施例的结构示意图。图4为第三种实施例的结构示意图。具体实施方式下面结合附图对本技术作更进一步的说明。如图1所示，本技术为一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，该结构包括芯片硅基层1，芯片硅基层1正面有第一芯片压区11、第二芯片压区12，第一芯片压区11与第二芯片压区12位于芯片的对角线上，芯片硅基层1正面非压区位置有钝化层13，在所述的钝化层13上分布有通过多次光刻、溅射、电镀等工艺形成的第一再钝化层2，所述的第一芯片压区11和第二芯片压区12正面会通过光刻、溅射、电镀等工艺，形成的第一再分布引线31和第二再分布引线32，在所述的第一再分布引线31和第二再分布引线32上方分别有第一再分布引线开口区311和第二再分布引线开口区321，在所述的第一再分布引线开口区311和第二再分布引线开口区321分别与凸块下金属化层4（UBM）的第一接触端41和第二接触端42相连接，在所述的第一再钝化层2上分布有通过多次光刻、溅射、电镀等工艺形成的第二再钝化层5，在所述的凸块下金属化层4（UBM）上方植有焊球凸点6，凸块下金属化层4下方可以设有再布线层33。如图2所示，本结构包括芯片硅基层1，芯片硅基层1背面有绝缘介质膜胶层7，芯片硅基层1正面有芯片第一芯片压区11、芯片第二芯片压区12，第一芯片压区11与第二芯片压区12位于芯片的对角线上，芯片硅基层1正面非压区位置有钝化层13,在所述的钝化层13上分布有通过多次光刻、溅射、电镀等工艺形成的第一再钝化层2，所述的第一芯片压区11和第二芯片压区12正面会通过光刻、溅射、电镀等工艺，形成的第一再分布引线31和第二再分布引线32，在所述的第一再分布引线31和第二再分布引线32上方分别有第一再分布引线开口区311和第二再分布引线开口区321，在所述的第一再分布引线开口区311和第二再分布引线开口区321分别与凸块下金属化层4（UBM）的第一接触端41和第二接触端42相连接，在所述的第一再钝化层2上分布有通过多次光刻、溅射、电镀等工艺形成的第二再钝化层5，在所述的凸块下金属化层4（UBM）上方植有焊球凸点6。如图3所示，本结构包括芯片硅基层1，芯片硅基层1背面有绝缘介质膜胶层7，所述的绝缘介质膜胶层7背后粘合有一定厚度的支撑硅8；芯片硅基层1正面有多个芯片第一芯片压区11、芯片第二芯片压区12，第一芯片压区11与第二芯片压区12位于芯片的对角线上，芯片硅基层1正面非压区位置有钝化层13,在所述的钝化层13上分布有通过多次光刻、溅射、电镀等工艺形成的第一再钝化层2，所述的第一芯片压区11和第二芯片压区12正面会通过光刻、溅射、电镀等工艺，形成的第一再分布引线31和第二再分布引线32，在所述的第一再分布引线31和第二再分布引线32上方分别有第一再分布引线开口区311和第二再分布引线开口区321，在所述的第一再分布引线开口区311和第二再分布引线开口区321分别与凸块下金属化层4（UBM）的第一接触端41和第二接触端42相连接，在所述的第一再钝化层2上分布有通过多次光刻、溅射、电镀等工艺形成的第二再钝化层5，在所述的凸块下金属化层4（UBM）上方植有焊球凸点6。如图4所示，本结构包括芯片硅基层1，芯片硅基层1背面有绝缘介质膜胶7，所述的绝缘介质膜胶层7背后粘合有一定厚度的支撑硅8，所述的支撑硅8后粘合有一定厚度的背胶层9；芯片硅基层1正面有多个芯片第一芯片压区11、芯片第二芯片压区12，芯片硅基层1正面非压区位置有钝化层13,在所述的钝化层13上分布有通过多次光刻、溅射、电镀等工艺形成的第一再钝化层2，所述的第一芯片压区11和第二芯片压区12正面会通过本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，其特征在于：包括芯片基层，芯片基层的正表面设有不少于两个的芯片压区，每个芯片压区正面通过再分布引线引出，凸块下金属化层的接触端与再分布引线的开口区连接，凸块下金属化层上方有焊接凸点，凸块下金属化层下方依次设有再钝化层和钝化层。/n
【技术特征摘要】
1.一种UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，其特征在于：包括芯片基层，芯片基层的正表面设有不少于两个的芯片压区，每个芯片压区正面通过再分布引线引出，凸块下金属化层的接触端与再分布引线的开口区连接，凸块下金属化层上方有焊接凸点，凸块下金属化层下方依次设有再钝化层和钝化层。
2.根据权利要求1所述的UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，其特征在于：所述焊接凸点为焊球凸点、铜柱凸块中的一种。
3.根据权利要求1所述的UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，其特征在于：所述凸块下金属化层下方设有再布线层。
4.根据权利要求1所述的UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，其特征在于：所述芯片基层外包裹有绝缘膜层。
5.根据权利要求4所述的UBM跨越式连接RDL的芯片封装结构，其特征在于：所述绝...
【专利技术属性】
技术研发人员：张杰，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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