检查光掩模的方法与系统、计算机可读取的存储介质技术方案

一种检查光掩模的方法与系统、计算机可读取的存储介质，该检查光掩模的方法包括将来自一发光源的光导入一光掩模的一第一面，使得该光的至少一部分透过该光掩模传送。从该光透过该光掩模被传送且从该光掩模的一第二面可观察的部分检测一第一光掩模图像。通过将一曝光模拟模型应用于一光掩模设计而产生一第二光掩模图像。并判定该第一光掩模图像及该第二光掩模图像之间的一差异。本发明专利技术可用以检查光掩模的缺陷。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光掩模缺陷分析。
技术介绍
半导体光刻程序使用光掩模来图案化。集成电路(IC)技术持续进展到具有微小特征线及增加密度的电路布局。由于此一持续的进展之故，即使是光掩模上非常小的缺陷也会对生产良率造成负面影响。
技术实现思路
为克服现有技术缺陷，本专利技术提供了一种检查光掩模的方法，其包括将来自一发光源的光导入一光掩模的一第一面，使得该光的至少一部分透过该光掩模传送。从该光的透过该光掩模被传送且从该光掩模的一第二面可观察的部分检测一第一光掩模图像。通过将一曝光模拟模型应用于一光掩模设计而产生一第二光掩模图像。并判定该第一光掩模图像及该第二光掩模图像之间的一差异。本专利技术也提供一种检查光掩模的系统，其包括：一光刻模拟显微镜，用以产生一光掩模在类似晶片生产时的一第一图像；第一运算逻辑，其包含一曝光模拟模型，用以：接收一光掩模设计作为输入；模拟在该光掩模设计上光衍射的效果；产生一第二光掩模图像作为输出；第二运算逻辑，其包含一比较器，用以比较该第一光掩模图像及该第二光掩模图像。本专利技术还提供一种检查光掩模的系统，其包括：一第一数据输入机制，用以接收一第一光掩模图像，其是由将一光掩模曝光于一光源所产生，并检测为穿透该光掩模的光的一图像图案；一第二数据输入机制，用以接收一第二光掩模图像，其通过将一曝光模拟模型应用于一光掩模设计所产生；以及一计算机，用以分别从该第一及第二数据输入机制接收该第一及第二光掩模图像，并判定该第一光掩模图像及该第二光掩模图像之间的一差异。-->本专利技术还提供一种软件程序，其存储于一可存储介质，并包含指令，用以：将一第一光掩模图像载入一第一内存中；判定一第一值，其表示在该第一光掩模图像上一位置的曝光量；将一第二光掩模图像载入一第二内存中；判定一第二值，其表示对应于该第一光掩模图像的该位置的该第二光掩模图像上一位置的曝光量；及计算该第一值及该第二值的一差异。本专利技术可用以检查光掩模的缺陷。附图说明图1显示依据本专利技术一实施例的用以分析半导体光掩模缺陷的系统。图2显示用以产生一曝光基础的光掩模图像。图3显示用以产生一模型基础的光掩模图像。图4显示依据本专利技术一实施例的用以比较两个光掩模图像的方法的流程图。图5显示依据本专利技术另一实施例的用以比较两个光掩模图像的方法的流程图。图6显示3个示例性的光掩模图像。图7显示依据本专利技术一实施例的显示一图像的方法的流程图。图8显示依据图7所示本专利技术实施例方法所产生的一光掩模图像。其中，附图标记说明如下：100～系统；102～第一光掩模图像；104～缺口；106a-106b～线段；108～第二光掩模图像；110～线段；111～位置；112～比较器；113～结果图像；114～位置；200～系统；202～光源；204a～光束；208～光掩模；210～光掩模图案；204b～图案化光；300～系统；302～光掩模设计；304～模型；306～光掩模图像；602～第一光掩模图像；602a～像素；602b～像素；604～第二光掩模图像；604a～像素；604b～像素；606～结果图像；606a～像素；602b～像素。具体实施方式为了让本专利技术的目的、特征、及优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，做详细的说明。-->本专利技术涉及光刻系统及用于一光刻系统的分析光掩模缺陷的方法。本专利技术说明书提供不同的实施例来说明本专利技术不同实施方式的技术特征。其中，实施例中的各元件的配置是为说明之用，并非用以限制本专利技术。且实施例中图式标号的部分重复，是为了简化说明，并非意指不同实施例之间的关联性。参见图1，其显示依据本专利技术一实施例的用以分析半导体光掩模缺陷的系统100。系统100组成并设计为用以比较2个光掩模图像，并产生一结果的光掩模比较图像，其细节如后述。比较系统100包含一第一光掩模图像102，其可以通过后述的曝光基础模拟系统产生。在一实施例中，第一光掩模图像102为一灰阶点阵图图像，其中每一像素具有一介于0到255范围的值。图1中所示的第一光掩模图像102显示一缺口104。缺口104为在第一光掩模图像102中漏失的线段106a-106b的一部分。在第一光掩模图像102的缺口104可能是由用以产生第一光掩模图像102的光掩模的缺陷所造成。需了解，缺口104绘制得相对大些以利清楚的讨论，在某些实施例中其可以是非常小的缺陷。比较系统100也包含一第二光掩模图像108，其可以通过后述的模型基础模拟系统产生。在一实施例中，第二光掩模图像108为一灰阶点阵图图像，其中每一像素具有一介于0到255范围的值。图1中所示的第二光掩模图像108具有一线段110。线段110是连续的，且在位置111并不具有缺口。在第二光掩模图像108的位置111对应于第一光掩模图像102的缺口104的位置。再参见图1，系统100包含一比较器112，用以比较该第一光掩模图像102及该第二光掩模图像108。在本实施例中，比较器112为一计算机，其包含一处理单元、内存、及输出/输入，用以接收第一光掩模图像102及第二光掩模图像108，并提供一比较结果，其细节如后述。需了解的是，比较器可以由多个分离系统产生，或者可以为任何下述系统任意一个，如图2及图3所示。比较器112产生一结果图像113。在一实施例中，结果图像113为一灰阶点阵图图像，其中每一像素具有一介于0到255范围的值。在另一实施例中，结果图像113包含的像素具有的值落在-255～255的范围。例如，在结果-->图像113中一像素的值可以为第一光掩模图像102的一像素的值和第二光掩模图像108中对应的像素的值的差异。在一实施例中，结果图像113中一像素的值为第一光掩模图像102的一像素的值和第二光掩模图像108中对应的像素的值的差异的绝对值。如图1所示，结果图像113包含在位置114的一标记，其中该像素值和结果图像113中其他像素的值有相当差异。在其他实施例中，第一光掩模图像102和第二光掩模图像108在位置114的差异可以在结果图像113中显示为黑色、白色、彩色、平行线相交的阴影，或任何其他可观察的方式来表示在位置114的不同。位置114的标记对应于在第二光掩模图像108的位置111没有出现的第一光掩模图像102的缺口104。位置114的标记表示第一光掩模图像102在缺口104处和第二光掩模图像108的位置111有明显的不同。位置114的标记可以表示用以产生第一光掩模图像102的光掩模有缺陷。参见图2，其显示用以产生第一光掩模图像102的一曝光基础光刻模拟系统200。在一实施例中，系统200为可购得的光刻模拟显微镜，例如CarlZeiss Microelectronics Systems的航空图像测量系统(Aerial ImageMeasurement System，AIMS)。系统200包含一光源202用以提供光束204a。光源202可以为适当的电磁能光源，例如紫外光(UV)、深紫外光(DUV)、或X光源。更详细说，光源202可以为波长为365nm(I-line)的水银灯；波长为248nm的氟化氪(KrF)准分子激光；波长为193nm的氟化氩(ArF)准分子激光。再者，可以使用浸入技术以降低光束204a的有效波长。光束204a被导向包含光掩模图案210的光掩模208。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种检查光掩模的方法，其包括：将来自一发光源的光导入一光掩模的一第一面，使得该光的至少一部分穿透该光掩模；从该部分穿透过该光掩模的光且从该光掩模的一第二面可观察的部分检测一第一光掩模图像；通过将一曝光模拟模型应用于一光掩模设计而产生一第二光掩模图像；以及判定该第一光掩模图像及该第二光掩模图像之间的一差异。

【技术特征摘要】
US 2007-2-28 60/892,084;US 2007-5-10 11/747,1501.一种检查光掩模的方法，其包括：将来自一发光源的光导入一光掩模的一第一面，使得该光的至少一部分穿透该光掩模；从该部分穿透过该光掩模的光且从该光掩模的一第二面可观察的部分检测一第一光掩模图像；通过将一曝光模拟模型应用于一光掩模设计而产生一第二光掩模图像；以及判定该第一光掩模图像及该第二光掩模图像之间的一差异。2.如权利要求1所述的检查光掩模的方法，其中该光掩模设计为一GDSII文件。3.如权利要求1所述的检查光掩模的方法，其中该检测的步骤由一航空图像测量系统进行。4.如权利要求1所述的检查光掩模的方法，其中判定一差异包括：从该第一光掩模图像的一部分判定一第一值；从该第二光掩模图像的一部分判定一第二值；以及从该第一值及该第二值判定一差异。5.如权利要求4所述的检查光掩模的方法，其中从该第一值及该第二值判定的该差异为该第一值及该第二值判定的算术差。6.如权利要求4所述的检查光掩模的方法，其中该第一光掩模图像的该部分包含该第一光掩模图像的一像素。7.如权利要求4所述的检查光掩模的方法，其中该...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄良荣，段成龙，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]