一种镀膜晶片校正设备制造技术

本发明专利技术公开了一种镀膜晶片校正设备，包括沿撞击器撞击方向依次布置的撞击器、待镀膜的晶片以及用于对晶片定位的定位部，所述定位部的定位面正对晶片，晶片受撞击器的撞击后与定位部的定位面紧密贴合。本发明专利技术通过设置撞击器对待镀膜的晶片进行撞击，使晶片与正对晶片的定位部紧密贴合在一起，保证所有晶片之间距离固定，使得后续压电晶片上的镀膜位置相同。使得后续压电晶片上的镀膜位置相同。使得后续压电晶片上的镀膜位置相同。

【技术实现步骤摘要】
一种镀膜晶片校正设备


[0001]本专利技术涉及镀膜制造领域，具体是一种镀膜晶片校正设备。

技术介绍

[0002]溅射镀膜技术是用离子轰击靶材表面，把靶材的原子被击出的现象称为溅射。溅射产生的原子沉积在基体表面成膜称为溅射镀膜。通常是利用气体放电产生气体电离，其正离子在电场作用下高速轰击阴极靶体，击出阴极靶体原子或分子，飞向被镀基体表面沉积成薄膜。
[0003]在对压电晶片进行镀膜时，压电晶片通过自动化机械臂放置在校正板上，由于放置时存在微小的距离误差，所有的压电晶片间的距离可能各不相等，导致后续溅射镀膜时，每块压电晶片上镀膜的区域各不相同，影响后续使用，因此亟待解决。

技术实现思路

[0004]为了避免和克服现有技术中存在的技术问题，本专利技术提供了一种镀膜晶片校正设备。本专利技术通过设置撞击器对待镀膜的晶片进行撞击，使晶片与正对晶片的定位部紧密贴合在一起，保证所有晶片之间距离固定，使得后续压电晶片上的镀膜位置相同。
[0005]为实现上述目的，本专利技术提供如下技术方案：
[0006]一种镀膜晶片校正设备，包括沿撞击器撞击方向依次布置的撞击器、待镀膜的晶片以及用于对晶片定位的定位部，所述定位部的定位面正对晶片，晶片受撞击器的撞击后与定位部的定位面紧密贴合。
[0007]作为本专利技术进一步的方案：所述晶片以及定位部均布置在校正板上，所述校正板固定后受撞击器的撞击而产生振动，使晶片由于惯性与定位部的定位面紧密贴合。
[0008]作为本专利技术再进一步的方案：所述校正板上开设有容置槽供待镀膜的晶片放入其中，所述定位部开设在容置槽内。
[0009]作为本专利技术再进一步的方案：所述容置槽即为定位部；所述容置槽内至少一段槽壁为直角壁，与晶片紧密贴合的直角壁即为定位部的定位面。
[0010]作为本专利技术再进一步的方案：所述容置槽内自下而上凸设有直角状的凸起部，所述凸起部即为定位部，凸起部与晶片紧密贴合的直角壁即为定位部的定位面。
[0011]作为本专利技术再进一步的方案：所述容置槽底部开口，校正板下方固定有负压装置，负压装置制造负压使得晶片被吸附在容置槽上。
[0012]作为本专利技术再进一步的方案：所述校正板为水平固定在箱体上的方形板，所述撞击器包括X轴撞击器和Y轴撞击器，所述X轴撞击器和Y轴撞击器分别垂直撞击校正板两段相邻的板壁，撞击力的合力方向指向定位部；所述箱体上设置有与X轴撞击器和Y轴撞击器位置对应的限位块，限位块与校正板抵接以防止校正板受撞击器的撞击而产生位移。
[0013]作为本专利技术再进一步的方案：所述校正板包括自上而下层叠布置的上溅射镀膜板、定位板以及下溅射镀膜板，所述容置槽开设在定位板上；所述上溅射镀膜板和下溅射镀
膜板的板身上开设有与容置槽位置对应的溅射镀膜孔，且上溅射镀膜板以及下溅射镀膜板上的溅射镀膜孔形状关于定位板镜像对称。
[0014]作为本专利技术再进一步的方案：所述校正板还包括上防护板和下防护板，所述上防护板和下防护板将上溅射镀膜板、定位板以及下溅射镀膜板夹紧固定；所述上防护板和下防护板上均开设有与容置槽位置对应的孔以方便溅射镀膜。
[0015]作为本专利技术再进一步的方案：所述上防护板为金属制板，所述下防护板为磁性板；下防护板板身吸附在金属制的箱体上，所述下防护板和上防护板彼此吸附从而将上溅射镀膜板、定位板以及下溅射镀膜板夹紧。
[0016]与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：
[0017]1、本专利技术通过设置撞击器对待镀膜的晶片进行撞击，使晶片与正对晶片的定位部紧密贴合在一起，保证所有晶片之间距离固定，使得后续压电晶片上的镀膜位置相同。
[0018]2、本专利技术将晶片和定位部布置在校正板上，使撞击器直接撞击校正板使校正板产生振动，在振动的同时使晶片由于惯性与定位面紧密贴合，从而完成压电晶片的定位。
[0019]3、本专利技术通过在校正板上开设容置槽供晶片放入其中，防止晶片在定位过程中发生窜逃，圈定了每块晶片的活动范围；定位部设置在容置槽内，可以有多种选择，将容置槽的至少一段槽壁设为直角壁即可满足定位的需求，或者在定位槽内设置直角状的凸起部亦可以满足定位的需求，为后续容置槽的加工提供了多种选择。
[0020]4、本专利技术在校正板下方固定有负压装置，在撞击定位的过程中可以将晶片吸附在容置槽上，通过吸附使得晶片可小幅度慢慢位移从而与定位部对接，避免撞击后晶片产生大幅度位移与定位部碰撞从而造成晶片损伤。
[0021]5、本专利技术通过在箱体上设置X轴撞击器和Y轴撞击器，使两个撞击器的合力指向定位部从而实现撞击定位；撞击器的撞击合力指向定位部即可，使后续定位过程撞击器的数量和位置可以有多种选择；限位板的设置防止校正板受撞击器的撞击而产生大幅度位移，保证了定位过程的稳定性。
[0022]6、本专利技术的校正板包括自上而下层叠布置的上溅射镀膜板、定位板以及下溅射镀膜板，容置槽开设在定位板上，当晶片在定位板上定位完成后，可直接通过上溅射镀膜板和下溅射镀膜板上的溅射镀膜孔对晶片做溅射镀膜处理；上溅射镀膜板、定位板以及下溅射镀膜板通过上防护板和下防护板彼此磁吸的方式夹紧固定，更易拆装。
附图说明
[0023]图1为本专利技术的结构的立体图。
[0024]图2为本专利技术的俯视图。
[0025]图3为本专利技术中校正板的爆炸图。
[0026]图4为本专利技术中定位部板身的放大图。
[0027]图中：1、箱体；2、撞击器；3、校正板；4、限位块；31、上防护板；32、上溅射镀膜板；33、定位板；34、下溅射镀膜板；35、下防护板。
具体实施方式
[0028]下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完
整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。
[0029]请参阅图1～4，本专利技术实施例中，一种镀膜晶片校正设备，包括用于放置待镀膜晶片的校正板3，校正板3根据实际生产的需要可选择为单层板或多层板。为了方便后续的溅射镀膜，本方案中的校正板3为多层板。如图3所示，校正板3包括自上而下层叠布置的上防护板31、上溅射镀膜板32、定位板33、下溅射镀膜板34以及下防护板35。
[0030]其中定位板33板身上开设有容置槽供晶片放入其中。容置槽内开设有孔，即方便了后续自下而上对晶片底部溅射镀膜，也方便了在校正板3底部固定负压装置，通过制造负压使得晶片被吸附在容置槽上。
[0031]上溅射镀膜板32和下溅射镀膜板33的板身上开设有与容置槽位置对应的溅射镀膜孔，且上溅射镀膜板32以及下溅射镀膜板34上的溅射镀膜孔形状关于定位板33镜像对称，从而保证了后续溅射镀膜区域的一致性。
[0032]整个校正板3固定在金属制的箱体1上，其中下防护板35为磁性板，上防护板31为金属制板。下防护板35一端吸附在箱本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种镀膜晶片校正设备，其特征在于，包括沿撞击器(2)撞击方向依次布置的撞击器(2)、待镀膜的晶片以及用于对晶片定位的定位部，所述定位部的定位面正对晶片，晶片受撞击器(2)的撞击后与定位部的定位面紧密贴合。2.根据权利要求1所述的一种镀膜晶片校正设备，其特征在于，所述晶片以及定位部均布置在校正板(3)上，所述校正板(3)固定后受撞击器(2)的撞击而产生振动，使晶片由于惯性与定位部的定位面紧密贴合。3.根据权利要求2所述的一种镀膜晶片校正设备，其特征在于，所述校正板(3)上开设有容置槽供待镀膜的晶片放入其中，所述定位部开设在容置槽内。4.根据权利要求3所述的一种镀膜晶片校正设备，其特征在于，所述容置槽即为定位部；所述容置槽内至少一段槽壁为直角壁，与晶片紧密贴合的直角壁即为定位部的定位面。5.根据权利要求3所述的一种镀膜晶片校正设备，其特征在于，所述容置槽内自下而上凸设有直角状的凸起部，所述凸起部即为定位部，凸起部与晶片紧密贴合的直角壁即为定位部的定位面。6.根据权利要求3所述的一种镀膜晶片校正设备，其特征在于，所述容置槽底部开口，校正板(3)下方固定有负压装置，负压装置制造负压使得晶片被吸附在容置槽上。7.根据权利要求2所述的一种镀膜晶片校正设备，其特征在于，所述校正板(3)为水平固定在箱体(1)上的方形板，所述撞击器(2)包括X轴撞击器和Y轴撞击器，所述X轴撞击器和Y轴撞击器分别垂直撞...

【专利技术属性】
技术研发人员：董书霞，汤玉根，汪鑫，潘小龙，
申请(专利权)人：合肥晶威特电子有限责任公司，
类型：发明
国别省市：