太阳能电池表面钝化方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池表面钝化方法，包括以下步骤：步骤S1，提供太阳能电池原始硅片，对原始硅片进行镀膜前的预处理；步骤S2，对硅片正面镀双层氮化硅膜；步骤S3，对硅片背面镀氧化镓膜；步骤S4，对步骤S３中的硅片退火处理，然后在硅片背面镀第二介质膜；步骤S5，对硅片背面激光开窗；步骤S6，对硅片进行丝网印刷金属化处理，获得电池片。本发明专利技术采用对硅片表面镀氧化镓膜的方法，氧化镓膜能够钝化硅片表面的悬挂不饱和键，具有良好的场钝化和化学钝化效果，解决氧化铝膜、氮化硅膜等存在吸水问题、无场钝化问题、高耗能等问题。高耗能等问题。高耗能等问题。

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池表面钝化方法


[0001]本专利技术涉及太阳能电池
，尤其是一种太阳能电池表面钝化方法。

技术介绍

[0002]太阳能光伏电池是一种把太阳的光能直接转化为电能的新型电池。目前通常使用的是以硅为基底的硅光伏电池，包括单晶硅、多晶硅和非晶硅光伏电池。PERC电池（Passivated Emitter and Rear Cell，发射极和背面钝化技术）是一种新型的光伏电池技术，PERC电池与常规电池最大的区别在于背表面介质膜钝化，采用局域金属接触，有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。TOPCon（Tunnel Oxide Passivated Contact，隧穿氧化钝化接触）作为一种新型钝化技术已经成为研究热点，该技术是在电池表面生成一层超薄的可隧穿的氧化层和一层高掺杂的多晶硅层。此外，还有异质结（比如HJT）电池结构。这些高效电池结构的重要变化是改进正背面的复合状态，无论是P型硅片还是N型硅片，硅片表面均存在一定浓度的悬挂不饱和键，这都是导致电子空穴对复合的一个重要原因，所以需要降低该原因导致的不良电子空穴对复本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：包括以下步骤：步骤S1，提供太阳能电池原始硅片，对原始硅片进行镀膜前的预处理；步骤S2，对硅片正面镀双层氮化硅膜；步骤S3，对硅片背面镀氧化镓膜；步骤S4，对步骤S3中的硅片退火处理，然后在硅片背面镀第二介质膜；步骤S5，对硅片背面激光开窗；步骤S6，对硅片进行丝网印刷金属化处理，获得电池片。2.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S2进一步包括：在管式PECVD内对硅片的正面镀两层氮化硅膜，总厚度控制在78
±
10nm范围内，总折射率控制在2.12
±
0.05范围内；其中第一层氮化硅厚度为15～25nm，折射率为2.25～2.45；第二层氮化硅厚度为40～60nm，折射率为1.85～2.05。3.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S3进一步包括：镀氧化镓的方法为通过ALD、PEALD、PECVD以及LPCVD设备镀氧化镓膜中的一种。4.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S3进一步包括：通过PEALD对硅片的背面镀氧化镓膜，参与镀氧化镓膜的反应气体包括TMGa、臭氧以及辅助气体；通过调节TMGa和臭氧比例进行反应制备氧化镓膜，镀膜速率控制在0.7
Å
/循环，膜厚控制在20
±
55nm范围内，折射率为1.5～1.7；辅助气体为氩气、氨气、硅烷、笑气中的一种或多种。5.根据权利要求1所述的太阳能电池表面钝化方法，其特征在于：步骤S3进一步包括：与TMGa一起生成氧化镓膜的反应物...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈庆敏，初仁龙，何乃文，黄昭凯，汪松柏，
申请(专利权)人：无锡松煜科技有限公司，
类型：发明
国别省市：