一种降低P型晶硅电池串联电阻的方法技术

本发明专利技术公开了一种降低P型晶硅电池串联电阻的方法，包括：S1，对经过电注入或光注入衰减钝化处理的PERC电池施加反向偏压；S2，在所述PERC电池施加所述反向偏压的同时对所述PERC电池进行热退火。通过在PERC电池在经过高温PECVD，烧结，电注入或光注入衰减钝化处理之后，在施加反偏电压的同时进行热退火，促使H

【技术实现步骤摘要】
一种降低P型晶硅电池串联电阻的方法


[0001]本专利技术涉及电池片处理
，具体地涉及一种降低P型晶硅电池串联电阻的方法。

技术介绍

[0002]PERC电池因为其低成本高效率的特点占据晶硅电池市场份额接近70％，目前PERC电池量产效率达到23％以上。
[0003]目前,工业生产初期采用掺硼硅片+光注入或电注入技术解决衰减问题。后续随着掺镓硅片技术成熟和专利的授权，掺镓硅片路线逐渐成为单晶PERC的主流硅片选择，进一步解决了P型单晶PERC衰减偏大的问题。
[0004]在P型掺硼和掺镓单晶PERC电池制备过程中，在电池正背面会通过PECVD的方式制备SiNx薄膜，氮化硅起到减反射和氢钝化的作用。SiNx薄膜成为氢的来源，在电池制备PECVD工序后的热处理过程中，氢扩散进入硅基体内，在硅片中再分布起到钝化作用。钝化作用的激发过程通常都需要一定载流子注入+热处理过程来实现，但是该热处理过程会促使氢向前表面扩散富集，在发射区和耗尽区与P结合形成H
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P对中和P掺杂作用，带来串联电阻Rs增大和效率损失。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种降低P型晶硅电池串联电阻的方法，其特征在于，包括：S1，对经过电注入或光注入衰减钝化处理的PERC电池施加反向偏压；S2，在所述PERC电池施加所述反向偏压的同时对所述PERC电池进行热退火。2.如权利要求1所述降低P型晶硅电池串联电阻的方法，其特征在于，所述S1，包括对所述PERC电池施加所述反向偏压的电压值为0.1V～10V。3.如权利要求2所述降低P型晶硅电池串联电阻的方法，其特征在于，所述S2包括：在所述PERC电池施加恒定的所述反向偏压、锯齿状的所述反向偏压或脉冲时的反向偏压的同时对所述PERC电池进行热退火。4.如权利要求3所述降低P型晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：余浩，方灵新，单伟，何胜，徐伟智，黄海燕，陆川，
申请(专利权)人：海宁正泰新能源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：