用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池技术

本公开涉及用于制造太阳能电池的方法，包括：提供由半导体材料构成的基底，基底具有第一类型；通过扩散技术在基底的正面形成具有第二类型的第一半导体区域，第二类型与第一类型相反；在基底的背面提供钝化膜；对基底的背面进行激光开槽，使得在钝化膜处形成多个开槽区域，其中在每个开槽区域的宽度内包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑对开槽区域进行开槽的部分，第二部分表示不以激光光斑对开槽区域进行开槽的部分；在基底的正面提供正电极，使得正电极与具有第二类型的第一半导体区域接触；以及述基底的背面提供背电极，使得背电极通过开槽区域与具有第一类型的基底接触。型的基底接触。型的基底接触。

【技术实现步骤摘要】
用于制造太阳能电池的方法和太阳能电池


[0001]本公开的各实施例涉及太阳能电池领域，具体地涉及一种用于制造太阳能电池的方法和相应的太阳能电池。

技术介绍

[0002]目前晶体硅太阳能电池大多数以P型硅片为基底材料，P型电池在实际环境中经过光照后电池效率会发生极大的衰减，绝对效率会降低至1-2％，即所谓的光致衰减(LID：Light induced degradation)。
[0003]光致衰减现象最早在1973年由Fishcher等人发现，并同时研究在黑暗条件下对电池加正向偏压，也会发生电池效率衰减，即所谓的电致衰减(CID：Current induced degradation)。
[0004]光致衰减常作为太阳能电池品质检测的一个标准，而电致衰减则极少作为标准。但是太阳能电池的光致衰减过程经常受到天气等因素的影响，所以电致衰减的检测逐渐被广大研究人员所认可，并探究其机理。
[0005]电致衰减一方面类似光致衰减，证实是由于硅片中导入过剩载流子使硅片中形成复合中心，即著名的B-O缺陷体或金属杂质缺陷。由于目前对电致本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于制造太阳能电池的方法，包括：提供由半导体材料构成的基底，所述基底具有第一类型；通过扩散技术在所述基底的正面处形成具有第二类型的第一半导体区域，所述第二类型与所述第一类型相反；在所述基底的背面提供钝化膜；对所述基底的背面进行激光开槽，使得在所述钝化膜处形成多个开槽区域，其中在每个所述开槽区域的宽度内包括交替布置的第一部分和第二部分，第一部分表示以激光光斑对所述开槽区域进行开槽的部分，第二部分表示不以激光光斑对所述开槽区域进行开槽的部分；在所述基底的正面提供正电极，使得所述正电极与具有第二类型的所述第一半导体区域接触；以及在所述基底的背面提供背电极，使得所述背电极通过所述开槽区域与具有第一类型的所述基底接触。2.根据权利要求1所述的方法，其中通过改变所述激光光斑的排列能够调整所述开槽区域的开槽面积。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述激光光斑包括实线部分和虚线部分，所述激光光斑的实线部分的宽度限定所述开槽区域的第一部分的宽度，所述激光光斑的虚线部分的宽度限定所述开槽区域的第二部分的宽度，并且通过改变所述实线部分与所述虚线部分的比例来调整所述开槽区域的开槽面积。4.根据权利要求3所述的方法，其中所述实线部分的范围为0.5mm-1mm，所述虚线部分的范围为0.2mm-1mm。5.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中通过激光频率为700-950kHz、雕刻速度为20000-35000mm/s、激光光斑直径为20-40μm、激光根数为149根的激光工艺来进行所述激光开槽。6.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，其中所述开槽面积为165-400mm2。7.根据权利要求1至4中任一项所述的方法，还包括：在通过扩散技术形成具有第二类型的所述第一半导体区域之前，对所述基底进行表...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕锦滇，林纲正，陈刚，
申请(专利权)人：浙江爱旭太阳能科技有限公司，
类型：发明
国别省市：