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本公开涉及用于制造太阳能电池的方法，包括：提供由半导体材料构成的基底，基底具有第一类型；通过扩散技术在基底的正面形成具有第二类型的第一半导体区域，第二类型与第一类型相反；在基底的背面提供钝化膜；对基底的背面进行激光开槽，使得在钝化膜处形成多...
该专利属于浙江爱旭太阳能科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江爱旭太阳能科技有限公司授权不得商用。

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