多通道高场非对称波形离子迁移管制造技术

本发明专利技术提供的一种多通道高场非对称波形离子迁移管，包括迁移区以及设置在所述迁移区的输出端的检测区；所述迁移区包括柱状内电极和环状外电极，所述环状外电极套设在所述柱状内电极外，所述环状外电极与所述柱状内电极之间形成电极间隙；其中，在所述电极间隙内设置有贯穿式隔离柱，所述贯穿式隔离柱将所述电极间隙划分为至少一个迁移通道；并且，所述柱状内电极和所述环状外电极通过所述贯穿式隔离柱实现同轴设置。利用上述发明专利技术能够解决现有的圆筒型迁移管的内、外电极间隙大、离子信号较弱，且内、外电极难以保证同轴的问题。外电极难以保证同轴的问题。外电极难以保证同轴的问题。

【技术实现步骤摘要】
多通道高场非对称波形离子迁移管


[0001]本专利技术涉及离子迁移
，更为具体地，涉及一种多通道高场非对称波形离子迁移管。

技术介绍

[0002]迁移管是高场非对称波形离子迁移谱仪的重要组成部分。通过在迁移管中的迁移区的两电极上施加高电压不对称波形，当电场强度大于10000V/cm时，随着电场强度的变化，此时的离子迁移率也会发生非线性的变化。在高电场情况下(电场强度大于10000V/cm)，离子的迁移率与电场强度的关系如下式所示：
[0003]K＝K0[1+α1(E/N)2+α2(E/N)4+
···
][0004]式中，K为离子在高电场下的迁移率，K0为离子在低电场下的迁移率，E为迁移区内的电场强度，N为气体分子密度α1、α2为离子迁移率分解系数。高场下离子迁移率大于低场时离子迁移率的离子，被称为A类型离子，高场下离子迁移率约等于低场时离子迁移率的离子，被称为B类型离子，高场下离子迁移率小于低场时离子迁移率的离子，被称为C类型离子。这样，被电离的气体分子随载气通过迁移区的过程中得以区分开来。<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种多通道高场非对称波形离子迁移管，包括迁移区以及设置在所述迁移区的输出端的检测区；其特征在于，所述迁移区包括柱状内电极和环状外电极，所述环状外电极套设在所述柱状内电极外，在所述环状外电极与所述柱状内电极之间形成有电极间隙；其中，在所述电极间隙内设置有贯穿式隔离柱，所述贯穿式隔离柱将所述电极间隙划分为至少一个迁移通道；并且，所述柱状内电极和所述环状外电极通过所述贯穿式隔离柱实现同轴设置。2.如权利要求1所述的多通道高场非对称波形离子迁移管，其特征在于，所述检测区包括柱状敏感极和套设在所述柱状敏感极外的环状偏转极，所述柱状敏感极与所述环状偏转极之间形成检测通道；并且，在所述环状偏转极的内壁上贴设有离子阻挡层。3.如权利要求2所述的多通道高场非对称波形离子迁移管，其特征在于，所述离子阻挡层为绝缘制件。4.如权利要求3所述的多通道高场非对称波形离子迁移管，其特征在于，在所述柱状内电极的外壁上开设有与所述贯穿式隔离柱对应的第一定位槽，所述贯穿式隔离...

【专利技术属性】
技术研发人员：唐飞，周金力，曾悦，王晓浩，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：