发光二极管外延片制备方法技术

本发明专利技术公开了发光二极管外延片制备方法，属于发光二极管制作领域。在通入一段时间有机金属源进入反应腔后，金属有机化合物化学气相淀积设备的喷头处也会留下部分氮化物的附着物颗粒，间歇性地向反应腔内通入有机金属源，并在每次停止向反应腔内通入有机金属源的期间，反应腔内同时通入载气与氯气，氯气进入反应腔内之前会先与附着在喷头上的附着物颗粒之间反应，并形成气态氯化物。喷头上会附着的氮化物的附着物颗粒与氯气反应并以气态状最后会排出反应腔，由此减小喷头上附着的氮化物的附着物颗粒，会落入氮化物外延层内的附着物颗粒减少，氮化物外延层的晶体质量与表面平整度均会得到提高。度均会得到提高。度均会得到提高。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管外延片制备方法


[0001]本专利技术涉及发光二极管制作领域，特别涉及一种发光二极管外延片制备方法。

技术介绍

[0002]发光二极管是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，正在被迅速广泛地得到应用，如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等，提高芯片发光效率是发光二极管不断追求的目标。
[0003]发光二极管的外延片通常包括衬底及层叠在衬底上的氮化物外延层，氮化物外延层在形成时，需要将衬底放在金属有机化合物化学气相淀积设备的反应腔内，金属有机化合物化学气相淀积设备的喷头向反应腔内喷入载气、反应气源与金属有机源，反应气源与金属有机源在反应腔内反应并在衬底的表面依次沉积氮化物外延层。
[0004]但在喷头向反应腔内通入载气、反应气源与金属有机源的过程中，部分反应气源与金属有机源容易在喷头处进行预反应，导致喷头上会形成较多附着物颗粒，附着物颗粒容易在喷头工作的过程中掉落至衬底或正在生长的氮化物外延层，会增加氮化物外延层的内部杂质并降低氮化物外延层的表面平整度。

技术实现思路

[0005]本专利技术实施例提供了发光二极管外延片制备方法，能够减小氮化物外延层的内部杂质并提高氮化物外延层的表面平整度。所述技术方案如下：
[0006]本专利技术实施例提供了一种发光二极管外延片，发光二极管外延片制备方法包括：
[0007]提供一衬底；
[0008]向反应腔内持续通入载气，间歇性地通入有机金属源，以在所述衬底生长氮化物外延层，其中，在每次停止向所述反应腔内通入所述有机金属源的期间，向所述反应腔内通入氯气。
[0009]可选地，有机金属源的总通入时长与氯气的总通入时长之比为3～10。
[0010]可选地，每次通入有机金属源的时长，与每次通入氯气的时长之比为2～10。
[0011]可选地，每次氯气的通入时长为5～20s。
[0012]可选地，氯气的通入总次数为2～8次。
[0013]可选地，每次氯气的通入流量为200～500sccm。
[0014]可选地，若氮化物外延层中包含的元素元原子的活跃度均小于Al原子，每次氯气的通入流量为200～300sccm；若氮化物外延层中包含活跃度大于或等于Al的原子，每次氯气的通入流量为300～500sccm。
[0015]可选地，所述发光二极管外延片制备方法还包括：
[0016]向所述反应腔持续通入氨气。
[0017]可选地，每次向所述反应腔内通入的载气与氯气的流量的比值为10～30。
[0018]可选地，向反应腔内持续通入载气，间歇性地通入有机金属源，以在衬底生长氮化
物外延层，包括：
[0019]在每次所述反应腔内的生长参数需要调整时，停止向所述反应腔通入所述有机金属源的期间，向所述反应腔内通入氯气。
[0020]本专利技术实施例提供的技术方案带来的有益效果至少包括：
[0021]向反应腔内通入的有机金属源会反应并在衬底上逐渐沉积得到氮化物外延层。同时，在通入一段时间有机金属源进入反应腔后，金属有机化合物化学气相淀积设备的喷头处也会留下部分氮化物的附着物颗粒，因此间歇性地向反应腔内通入有机金属源，并在每次停止向反应腔内通入有机金属源的期间，反应腔内同时通入载气与氯气，氯气进入反应腔内之前会先与附着在喷头上的附着物颗粒之间反应，并形成气态氯化物。喷头上会附着的氮化物的附着物颗粒与氯气反应并以气态状最后会排出反应腔，由此减小喷头上附着的氮化物的附着物颗粒，喷头上的附着物颗粒减少，可能落入氮化物外延层内的附着物颗粒相应减少，氮化物外延层的晶体质量与表面平整度均会得到提高。
附图说明
[0022]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0023]图1是本专利技术实施例提供的一种发光二极管外延片制备方法流程图；
[0024]图2是本专利技术实施例提供的另一种发光二极管外延片制备方法流程图；
[0025]图3是本公开实施例提供的又一种发光二极管外延片制备方法流程图；
[0026]图4是本公开实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图；
[0027]图5是本公开实施例提供的第四种发光二极管外延片制备方法流程图；
[0028]图6是本公开实施例提供的时间对比图。
具体实施方式
[0029]为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术实施方式作进一步地详细描述。
[0030]除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”、“第三”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。同样，“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制，而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现在“包括”或者“包含”前面的元件或者物件涵盖出现在“包括”或者“包含”后面列举的元件或者物件及其等同，并不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”、“顶”、“底”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则所述相对位置关系也可能相应地改变。
[0031]图1是本专利技术实施例提供的一种发光二极管外延片制备方法流程图，参考图1可知，本专利技术实施例提供了一种发光二极管外延片，该发光二极管外延片制备方法包括：
[0032]S101：提供一衬底。
[0033]S102：向反应腔内持续通入载气，间歇性地通入有机金属源，以在衬底生长氮化物外延层，其中，在每次停止向反应腔内通入有机金属源的期间，向反应腔内通入氯气。
[0034]向反应腔内通入的有机金属源会反应并在衬底上逐渐沉积得到氮化物外延层。同时，在通入一段时间有机金属源进入反应腔后，金属有机化合物化学气相淀积设备的喷头处也会留下部分氮化物的附着物颗粒，因此间歇性地向反应腔内通入有机金属源，并在每次停止向反应腔内通入有机金属源的期间，反应腔内同时通入载气与氯气，氯气进入反应腔内之前会先与附着在喷头上的附着物颗粒之间反应，并形成气态氯化物。喷头上会附着的氮化物的附着物颗粒与氯气反应并以气态状最后会排出反应腔，由此减小喷头上附着的氮化物的附着物颗粒，喷头上的附着物颗粒减少，可能落入氮化物外延层内的附着物颗粒减少，氮化物外延层的晶体质量与表面平整度均会得到提高。氮化物外延层的晶体质量与表面平整度的提高，则可以有效提高氮化物外延层的发光效率。
[0035]并且喷头上的附着物颗粒减少，那么附着物颗粒过多而导致喷头的喷孔堵塞的本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法包括：提供一衬底；向反应腔内持续通入载气，间歇性地通入有机金属源，以在所述衬底生长氮化物外延层，其中，在每次停止向所述反应腔内通入所述有机金属源的期间，向所述反应腔内通入氯气。2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述有机金属源的总通入时长与所述氯气的总通入时长之比为3～10。3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，每次通入所述有机金属源的时长，与每次通入所述氯气的时长之比为2～10。4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，每次所述氯气的通入时长为5～20s。5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述氯气的通入总次数为2～8次。6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，每次所述氯气的通入流量为200～5...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪威威，尚玉平，梅劲，董彬忠，
申请(专利权)人：华灿光电浙江有限公司，
类型：发明
国别省市：