处理盒和电子照相设备制造技术

技术编号:28136918 阅读:16 留言:0更新日期:2021-04-21 19:07
本发明专利技术涉及处理盒和电子照相设备。一种处理盒,其包括具有第一支承体和感光层的电子照相感光构件;和充电构件。在感光构件中,当测量使电压在变化的同时施加至表面时流动的电流时,在图中低电场区域的斜率a1和高电场区域的斜率a2满足a2/a1≥1.50。充电构件包括具有导电性外表面的第二支承体,和包括基体和分散在基体中的多个域的第二导电层,域的至少一部分露出至至少包括基体、和域的至少一部分的外表面,并且基体的体积电阻率ρ

【技术实现步骤摘要】
处理盒和电子照相设备


[0001]本公开涉及各自包括电子照相感光构件和充电构件的处理盒和电子照相设备。

技术介绍

[0002]涉及电子照相感光构件(以下,也简称为"感光构件")的电子照相法主要包括充电、曝光、显影和转印四个过程,并且根据需要添加如清洁或预曝光等过程。在这些过程中,充电过程和曝光过程为控制感光构件的电荷分布并且在感光构件的表面上形成期望的电位分布的过程,其为用于形成静电潜像的重要过程。
[0003]然而,从电阻的观点考虑感光构件的特征,期望的是在充电时感光构件具有高电阻,但是相对地,期望的是在曝光时感光构件具有低电阻,二者存在权衡的关系。具体地,在充电过程中,期望的是通过来自充电构件的放电或由于充电构件的摩擦带电而给予感光构件的电荷通过暗衰减等而不消除,并且保持暗区电位。因此,必要的是,感光构件在充电时其暗部具有高电阻。
[0004]相对地,在曝光过程中,期望的是,仅有通过曝光单元的光照射部分的电荷快速消除,并且亮区电位接近0[V],换言之,感光度(luminous sensitivity)高。因此,必要的是,感光构件在曝光时其亮部具有低电阻。
[0005]如上所述,使暗区电位和亮区电位之间的差异增大,从而赋予感光构件的电阻在充电时和曝光时之间大的差异。因此,特别是为了形成其中曝光部与非曝光部之间的距离小的高频潜像分布和获得高分辨率图像,要求电阻的差异大。
[0006]另一方面,电晕型或辊型等已经常规地并且主要地用作充电单元以在充电过程中给予感光构件电荷。在这些类型当中,与辊型相比,电晕型所必需的施加电压高,由此,所需的电源的尺寸和成本成为问题。此外,电晕型产生大量的臭氧,并且从环境的观点,存在问题;另外,由于臭氧和水分的附着使得感光构件的表面电阻降低,并且通过由于感光构件的表面上的电荷转移使得曝光过程中形成的电荷分布塌陷的现象而潜像分布模糊的所谓的图像缺失也是问题。
[0007]另一方面,在辊型中,施加电压低,并且电源的尺寸和成本可以抑制得低;另外,产生的臭氧的量少。因此,从环境的观点,辊型是优异的,并且对于图像缺失也是有效的。然而,辊型具有在带电的均匀性方面比电晕型差的问题。
[0008]在日本专利申请特开No.2015-210366中,记载了一种感光构件,其包括:支承体;以使得赋予电压(V)-电流(I)特性非线性的方式而形成的第一导电层(在日本专利申请特开No.2015-210366中,第一导电层称为底涂层,但是在下文将称为"第一导电层",在本公开中,进一步,第一导电层与感光层之间形成的层在本公开中的下文称为"底涂层");和形成在其上的感光层。该非线性(以下,称为"非线性电阻性(varistor property)")是指当电压取作横轴并且电流取作纵轴时的图(以下,称为"V-I曲线")向下凸。因为第一导电层具有此类非线性电阻性,因而在由第一导电层分担的电压相对小的充电时第一导电层的电阻变大;从支承体的电荷注入被阻止;和由浮垢(以下,也称为"起雾")引起的带点不良得到抑
制。另一方面,由于光照射使得电荷移动通过感光层。结果,在由第一导电层分担的电压变得相对大而曝光时,第一导电层的电阻暂时减小,并且通过第一导电层中的电荷捕获引起的残像(也称为"重影(ghost)")得到抑制.
[0009]在日本专利申请特开No.H05-142846中,记载了一种感光构件,其包括:导电性基材;感光层;和具有非线性电阻性的表面保护层(以下,也简称为“保护层”)。因为保护层具有非线性电阻性,因而在由保护层分担的电压相对小而充电时,保护层的电阻变得大,并且暗区电位得到保持;因此,保护层可以稳定地充电至高电位。另一方面,在由于光照射使得电荷在感光层中移动而曝光时,作为结果,由保护层分担的电压变得相对大,保护层的电阻暂时降低,并且电荷在保护层中快速移动,从而感光度提高。由此,在不损害带电特性的情况下,暗区电位与亮区电位之间的差异会增大。
[0010]在日本专利申请特开No.2006-154565中,记载了一种充电辊,其在表面与配置为表面在与感光构件接触的同时旋转的轴之间具有电子导电性材料和离子导电性材料分散在其中的导电性弹性层。电子导电性材料具有大的V-I曲线的非线性并且在粘结剂树脂中的分散均匀性方面也差。另一方面,离子导电性材料在V-I曲线的线性方面和在粘结剂树脂中的分散均匀性方面是优异的,但是具有通过材料组分的渗出而污染感光构件的问题。于是,通过这两种材料杂合在其中的充电构件的使用,在离子导电性材料的渗出降低的同时,电子导电性材料在粘结剂树脂中的分散均匀性可以提高,并且可以获得具有令人满意的均匀性的带电特性。
[0011]日本专利申请特开No.2002-003651记载了:具有基体-域结构(matrix-domain structure)的橡胶组合物;和包括由橡胶组合物形成的弹性层的充电构件,该基体-域结构包括包含主要由体积固有电阻率为1
×
10
12
Ω
·
cm以下的原料橡胶A形成的离子导电性橡胶材料的聚合物的连续相、和由已经通过混合在原料橡胶B中的导电性颗粒使得导电化的电子导电性橡胶材料形成的聚合物的颗粒相。由离子导电性橡胶材料和电子导电性橡胶材料形成的基体-域结构由此可以抑制如感光构件等被充电构件的污染,带电均匀性优异,并且同时降低环境变化对V-I曲线的非线性和变化以及电特性的影响。

技术实现思路

[0012]根据本专利技术人的研究,在日本专利申请特开No.2015-210366、日本专利申请特开No.H05-142846、日本专利申请特开No.2006-154565和日本专利申请特开No.2002-003651任意者中记载的电子照相感光构件和充电单元中,感光构件和充电构件的组合还没有完全优化,因此,其具有在保持感光构件的感光度的同时抑制长期重复使用时或在高温高湿环境下贮存后的图像缺失的问题。
[0013]因此,本公开的目的是提供一种处理盒,其包括电子照相感光构件和充电构件,并且在保持感光度的同时抑制长期重复使用时或在高温高湿环境下贮存后的图像缺失。
[0014]上述目的通过以下本公开来实现。具体地,根据本公开的处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体,并且包括电子照相感光构件和充电构件,其中电子照相感光构件包括第一支承体和感光层,当测量使电压在变化的同时施加至电子照相感光构件的表面时流动的电流时,在其中横轴为感光层中电场强度E[V/m]的平方根和纵轴为电流的常用对数的图中,存在斜率(gradient)变化的点,并且当在其中电场强度小于斜率改变的点处的区域
中图的斜率由a1表示,和在其中电场强度大于斜率改变的点处的区域中图的斜率由a2表示时,a2/a1为1.50以上;和充电构件包括具有导电性外表面的第二支承体,和设置在第二支承体的外表面上的第二导电层,其中第二导电层包括包含第一橡胶的基体,和分散在基体中的多个域,其中域包括第二橡胶和电子导电剂,域的至少一部分露出至充电构件的外表面,并且充本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理盒,其可拆卸地安装至电子照相设备的主体,所述处理盒包括:电子照相感光构件;和充电构件,其特征在于,所述电子照相感光构件包括第一支承体和感光层,当测量使电压在变化的同时施加至所述电子照相感光构件的表面时流动的电流时,在其中横轴为所述感光层中电场强度E V/m的平方根和纵轴为所述电流的常用对数的图中,存在斜率改变的点,并且当在其中电场强度小于所述斜率改变的点处的电场强度的区域中所述图的斜率由a1表示,在其中电场强度大于所述斜率改变的点处的电场强度的区域中所述图的斜率由a2表示时,a2/a1为1.50以上;和所述充电构件包括具有导电性外表面的第二支承体,和设置在所述第二支承体的外表面上的第二导电层,其中所述第二导电层包括包含第一橡胶的基体,和分散在所述基体中的多个域,其中所述域包含第二橡胶和电子导电剂,所述域的至少一部分露出至所述充电构件的外表面,并且所述充电构件的外表面至少包括所述基体、和所述域的至少一部分,其中当所述基体的体积电阻率由ρ
M
Ω
·
cm表示和所述域的体积电阻率由ρ
D
Ω
·
cm表示时,ρ
M
为ρ
D
的1.0
×
105倍以上。2.根据权利要求1所述的处理盒,其中在所述电子照相感光构件中,所述斜率a2和a1满足a2/a1≥1.80。3.根据权利要求2所述的处理盒,其中在所述电子照相感光构件中,所述斜率a2和a1满足a2/a1≥2.20。4.根据权利要求1所述的处理盒,其中在所述电子照相感光构件中,在所述电场强度的平方根E
*0.5
为3000(V/m)
0.5
以上且9000(V/m)
0.5
以下的范围内存在所述斜率改变的点。5.根据权利要求4所述的处理盒,其中在所述电子照相感光构件中,在所述电场强度的平方根E
*0.5
为5000(V/m)
0.5
以上且7000(V/m)
0.5
以下的范围内存在所述斜率改变的点。6.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员:渡口要牧角康平樋山史幸菊池裕一山内一浩荒木广隆宫泽诚一
申请(专利权)人:佳能株式会社
类型:发明
国别省市:

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