处理盒和使用其的电子照相设备制造技术

本公开涉及处理盒和使用其的电子照相设备。提供可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，该处理盒包括电子照相感光构件和充电构件，其中充电构件的外表面至少由基质和至少一部分域构成，基质的体积电阻率是域的体积电阻率的1.0

【技术实现步骤摘要】
处理盒和使用其的电子照相设备


[0001]本公开涉及处理盒和使用其的电子照相设备。

技术介绍

[0002]迄今，已经广泛进行了对改善当长期使用电子照相设备或处理盒时的图像品质的研究。
[0003]举例来说，日本专利申请特开No.2002-003651公开了包括橡胶组合物和由橡胶组合物形成的弹性体层的充电构件，橡胶组合物包含包括以下的海岛结构：由主要包含固有体积电阻率为1
×
10
12
Ω
·
cm以下的原料橡胶A的离子导电性橡胶材料形成的聚合物连续相，和由通过将导电性颗粒与原料橡胶B混合来获得并且由此具有导电性的电子导电性橡胶材料形成的聚合物颗粒相。
[0004]日本专利申请特开No.2002-003651中公开的充电构件包括由包含海岛结构的橡胶组合物形成的弹性体层，所述海岛结构中包含离子导电性橡胶材料和电子导电性橡胶材料，使得充电构件具有均匀的电阻。因此，充电构件的电特性随时间稳定，不受例如温度和湿度等环境变化的影响。
[0005]另外，日本专利申请特开No.2014-157308公开了具有通过将充电构件的表面粗糙度Rz和表面电阻rs、以及充电构件的表面和芯金属之间的部分的体积电阻rv设定至特定的范围而改善的充电能力的充电装置。
[0006]在日本专利申请特开No.2018-025707中公开了，经由连续的曝光历史，负电荷在电荷产生层和中间层之间的界面处累积，并且电子照相感光构件的感光度由此降低，并且在电子照相感光构件包括保护层的情况下，正电荷在保护层和电荷输送层之间的界面处残留和累积，并且电子照相感光构件的感光度由此进一步降低。
[0007]另外，在日本专利申请特开No.2018-025707中还公开了，在进行随后打印时的曝光之后，已经受到连续曝光历史的潜像形成部的电位相对于背景部的电位降低，导致图案存储(pattern memory)的发生。
[0008]将日本专利申请特开No.2018-025707中公开的电子照相感光构件用作用于抑制图案存储的单元，其能够通过经由电荷输送层以适当的量吸引存在于界面处的正电荷来将在保护层和电荷输送层之间的界面处累积的正电荷适度地分散在电荷输送层中，并且由此抑制感光度的降低以改善中间层的电子保持性。

技术实现思路

[0009]根据本专利技术人进行的研究，发现在日本专利申请特开No.2002-003651、2014-157308、和2018-025707中公开的构成中，对于在低温低湿环境下抑制图案存储还有改善的余地。
[0010]图案存储是这样的现象：其中，当将具有实心黑带部的图像图案在鼓的圆周方向上重复输出至输出图像的一部分，然后输出没有实心黑带部的整个半色调图像时，原本是
具有实心黑带部的图像图案的实心黑带部的部分在整个半色调图像中以薄的状态输出。
[0011]这是因为，由于电子照相感光构件的实心黑带部的电位上升大，在随后的打印中，在进行整个半色调图像的输出时电位不会返回，并且调色剂浓度由此降低，结果，在整个半色调图像中产生图像的浓度小的部分。作为关注电子照相感光构件和充电构件的结果，本专利技术人发现，通过改善充电构件的充电性，并且进一步改善电子照相感光构件中残留电荷的清除，即使在低温低湿环境下输出具有实心黑带部的图像图案，也可以抑制电位的上升。
[0012]本公开的一个方面涉及提供能够在低温低湿环境下抑制图案存储的发生的处理盒。此外，本公开的另一个方面涉及提供能够形成高品质电子照相图像的电子照相设备。
[0013]根据本公开的一个方面，提供至少一体地支承电子照相感光构件和充电构件、并且可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，
[0014]其中充电构件包括具有导电性外表面的支承体和设置在支承体的外表面上的导电层，
[0015]导电层具有包含第一橡胶的基质和多个分散在基质中的域，
[0016]域包含第二橡胶和电子导电剂，
[0017]至少一部分域露出充电构件的外表面，
[0018]充电构件的外表面至少由基质和至少一部分域构成，
[0019]当将基质的体积电阻率定义为Rcm并且将域的体积电阻率定义为Rcd时，Rcm是Rcd的1.0
×
105倍以上，
[0020]在充电构件的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd为0.1μm以上且5.0μm以下，
[0021]电子照相感光构件依次包括支承体、感光层、和保护层，
[0022]保护层含有组合物的聚合物，所述组合物包含具有可聚合基团的化合物，和
[0023]当测量保护层的表面粗糙度时，突出谷部Rvk为0.01μm以上且0.10μm以下并且负荷长度比率Mr2为75％以上且85％以下，和
[0024]Sd/Rvk为1以上且100以下。
[0025]根据本公开的另一个方面，提供包括电子照相感光构件和充电构件的电子照相设备，
[0026]其中充电构件包括具有导电性外表面的支承体和设置在支承体的外表面上的导电层，
[0027]导电层具有包含第一橡胶的基质和多个分散在基质中的域，
[0028]域包含第二橡胶和电子导电剂，
[0029]至少一部分域露出充电构件的外表面，
[0030]充电构件的外表面至少由基质和至少一部分域构成，
[0031]当将基质的体积电阻率定义为Rcm并且将域的体积电阻率定义为Rcd时，Rcm是Rcd的1.0
×
105倍以上，
[0032]在充电构件的外表面上观察到的域的圆当量直径的平均值Sd为0.1μm以上且5.0μm以下，
[0033]电子照相感光构件依次包括支承体、感光层、和保护层，
[0034]保护层含有组合物的聚合物，所述组合物包含具有可聚合基团的化合物，和
[0035]当测量保护层的表面粗糙度时，突出谷部Rvk为0.01μm以上且0.10μm以下并且负荷长度比率Mr2为75％以上且85％以下，和
[0036]Sd/Rvk为1以上且100以下。
[0037]参照附图，从以下示例性实施方案的描述，本公开的进一步特征将变得显而易见。
附图说明
[0038]图1是根据本公开的实施方案的处理盒中包括的充电构件在垂直于充电构件的长度方向的方向上的截面图。
[0039]图2是根据本公开的实施方案的处理盒中包括的充电构件的外表面的示意图。
[0040]图3示出根据本公开的实施方案的电子照相设备的示意性构成的实例。
[0041]图4示出用于研磨根据本公开的实施方案的处理盒中包括的电子照相感光构件的装置的实例。
具体实施方式
[0042]以下，将参照优选的实施方案详细描述本公开。
[0043]根据本公开的实施方案，提供至少一体地支承电子照相感光构件和充电构件、并且可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，
[0044]其中充电构本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理盒，其可拆卸地安装至电子照相设备的主体，所述处理盒包括电子照相感光构件和充电构件，其特征在于，所述充电构件包括具有导电性外表面的支承体和设置在所述支承体的外表面上的导电层，所述导电层具有包含第一橡胶的基质和多个分散在所述基质中的域，所述域包含第二橡胶和电子导电剂，至少一部分域露出所述充电构件的外表面，所述充电构件的外表面至少由所述基质和至少一部分域构成，当将所述基质的体积电阻率定义为Rcm并且将所述域的体积电阻率定义为Rcd时，Rcm是Rcd的1.0
×
105倍以上，在所述充电构件的外表面上观察到的所述域的圆当量直径的平均值Sd为0.1μm以上且5.0μm以下，所述电子照相感光构件依次包括支承体、感光层、和保护层，所述保护层含有如下组合物的聚合物：所述组合物包含具有可聚合基团的化合物，和当测量所述保护层的表面粗糙度时，突出谷部Rvk为0.01μm以上且0.10μm以下并且负荷长度比率Mr2为75％以上且85％以下，和Sd/Rvk为1以上且100以下。2.根据权利要求1所述的处理盒，其中所述电子照相感光构件的所述保护层的凹凸的平均间隔Sm为10μm以上且40μm以下。3.根据权利要求1所述的处理盒，其中Sd/Rvk为5以上且80以下。4.根据权利要求1所述的处理盒，其中在所述充电构件的外表面上观察到的所述域和相邻的域的壁面之间的距离的平均值Dms为0.2μm以上且6μm以下。5.根据权利要求1所述的处理盒，其中所述保护层至少含有如下组合物的聚合物：所述组合物包含具有三芳基胺结构的化合物。6.根据权利要求1所述的处理盒，其中所述电子照相感光构件和所述充电构件之间的接触宽度为500μm以上且800μm以下。7.一种电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：石塚由香，西田孟，下泽秀春，中村延博，渡部博之，加来贤一，山内一浩，菊池裕一，志田和久，奥田笃，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：