处理盒和电子照相设备制造技术

本发明专利技术涉及处理盒和电子照相设备。提供在维持令人满意的电位变动的同时抑制横向行进的处理盒。处理盒包括：包括第一支承体、最下层和感光层的电子照相感光构件；和包括第二支承体和导电层的充电构件。在当通过在使交流电压变化的同时对最下层施加交流电压来测量阻抗时，阻抗的相位达到45

【技术实现步骤摘要】
处理盒和电子照相设备


[0001]本公开涉及包括电子照相感光构件和充电构件的处理盒和电子照相设备。

技术介绍

[0002]与电子照相感光构件(下文中有时简称为"感光构件")有关的电子照相过程主要包括充电、曝光、显影和转印四个过程，并且根据需要包括例如清洁和预曝光等过程。其中，充电过程和曝光过程是对于形成静电潜像至关重要的过程，其包括控制感光构件的电荷分布以将感光构件表面设定为期望的电位分布。充电过程包括从充电构件(充电单元)向电子照相感光构件产生放电，由此使感光构件表面带电。在该情况下，在没有适当地设计感光构件和充电构件的电特性以及电特性的频率依赖性时，发生放电变得过度而引起感光构件的介质击穿的现象(下文中有时称为"泄漏")和由放电的不稳定引起的带电不良现象，由此造成问题。因此，直接在感光构件的支承体上与感光层分开地形成具有受控制的电阻的层(下文中称为"最下层")从而电遮蔽由支承体的表面上的毛刺等引起的凹凸，由此抑制泄漏和带电不良。
[0003]当从电阻的观点考虑感光构件特性时，从抑制泄漏和通过提高带电能力来抑制带电不良的观点，期望电阻是高的。然而，当电阻过度增大时，光敏度在曝光过程中劣化。特别地，当通过使用具有高电阻的感光构件反复进行图像打印时，电荷除去不令人满意，因此，通过长期使用，电荷在感光构件内部累积。因此，使亮区电位逐渐上升(下文中有时称为"电位变动")，并且使得与暗区电位的对比度减小。因此，当考虑曝光过程时，优选感光构件具有低的电阻。
[0004]迄今为止，考虑到频率依赖性，通过基于阻抗设计最下层和感光构件的电特性来优化电特性。这样，对于取决于例如充电过程或曝光过程等电子照相过程而变化的特征时间尺度，根据各过程来优化对应于各时间常数的频带中的电特性，由此解决上述问题。
[0005]同时，作为在充电过程中构成为将电荷施加至感光构件的充电构件，迄今为止主要使用电晕型充电构件和辊型充电构件等。其中，电晕型充电构件需要比辊型充电构件的施加电压高的施加电压，因此所需的电源的尺寸和成本造成问题。相比之下，辊型充电构件需要低的施加电压，因此可以将电源的尺寸和成本抑制为小的。然而，辊型充电构件的问题在于，带电的均匀性和稳定性差于电晕型充电构件的带电的均匀性和稳定性。
[0006]此外，在辊型充电构件(下文中有时称为"充电辊")中，使充电辊与感光构件彼此直接接触。因此，由于对感光层的异物污染和由对感光层的冲击引起的凹痕，感光构件被局部损坏直至最下层的表面，或者在其中形成孔，结果是使在局部区域施加至感光构件的电压极大地分压至最下层。在这样的情况下，大电流通过所述区域从感光构件的表层侧流向支承体侧。于是，电荷向充电辊的供给变得不足，并且无法充分地进行向感光构件表面的放电，结果是沿充电辊的长度方向发生线状带电不良。当在该状态下打印图像时，输出具有沿感光构件的长度方向绘制在其上的黑线的图像(下文中称为"横向行进图像(lateral running image)")。由于不能完全控制异物污染和由冲击引起的凹痕(dent)的发生，因此
该现象(下文中称为"横向行进")成为问题。
[0007]在日本专利申请特开No.H10-268541中，记载了在表面具有氧化铝膜的铝基体(base)上包括含有光导电性材料的感光层的感光构件。通过控制氧化铝膜的阻抗，抑制由局部带电不良引起的起雾。
[0008]在日本专利申请特开No.2016-139052中，记载了包括其中复阻抗分量(complex impedance component)变为最大时的角频率ω
max
(rad)满足2≤ω
max
≤10的底涂层的感光构件。当将底涂层的阻抗控制在上述范围内时，抑制在充电过程中由电荷在底涂层中的过度移动引起的异常放电的发生，并且抑制具有低的图像浓度的图像中的条纹状图像缺陷。
[0009]在日本专利申请特开No.2002-3651中，记载了具有海-岛结构的橡胶组合物以及包括由该橡胶组合物形成的弹性体层的充电构件，所述海-岛结构包括由包含体积固有电阻率为1
×
10
12
Ω
·
cm以下的原料橡胶A作为主要组分的离子导电性橡胶材料制成的聚合物连续相、和由通过将导电颗粒与原料橡胶B配混从而使原料橡胶B导电来获得的电子导电性橡胶材料制成的聚合物颗粒相。当离子导电性橡胶材料和电子导电性橡胶材料形成海-岛结构时，充电构件的电阻稳定性是优异的。
[0010]根据由本专利技术人进行的研究，在日本专利申请特开No.H10-268541、日本专利申请特开No.2016-139052和日本专利申请特开No.2002-3651中记载的电子照相感光构件和充电构件中，难以在维持令人满意的电位变动的同时抑制横向行进。

技术实现思路

[0011]本公开的一个方面涉及提供能够在维持令人满意的电位变动的同时抑制横向行进的处理盒。此外，本公开的另一方面涉及提供能够形成高品质电子照相图像的电子照相设备。
[0012]根据本公开的一个方面，提供一种处理盒，其包括：电子照相感光构件和充电构件，所述处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体，其中所述电子照相感光构件包括具有圆筒形状的第一支承体、直接形成在所述第一支承体上的最下层、和形成在所述最下层上的感光层，其中所述充电构件为包括具有圆柱形状的第二支承体和形成在所述第二支承体上的第二导电层的电子照相用充电构件，其中所述第二导电层包括包含第一橡胶的基质和分散在所述基质中的多个域，其中所述多个域各自包含第二橡胶和电子导电剂，其中所述基质的体积电阻率ρ
M
为所述多个域各自的体积电阻率ρ
D
的1.0
×
105倍以上，并且其中，在当通过使交流电压在频率1.0
×
10-2
(Hz)至1.0
×
106(Hz)的范围内变化的同时将该交流电压施加至所述最下层来测量阻抗时，阻抗的相位达到45
°
时的最大频率由f
OPC
(Hz)表示的情况下，并且在当通过使交流电压在频率1.0
×
10-2
(Hz)至1.0
×
106(Hz)的范围内变化的同时将该交流电压施加至所述充电构件来测量阻抗时，阻抗的相位达到45
°
时的最大频率由f
C
(Hz)表示的情况下，所述f
OPC
和所述f
C
满足下式(D1)和下式(D2)中的一者的关系：
[0013]10≤f
OPC
/f
C
≤10,000
ꢀꢀ
式(D1)
[0014]0.0001≤f
OPC
/f
C
≤0.1
ꢀꢀ
式(D2)。
[0015]根据本公开的另一方面，提供一种电子照相设备，其包括：电子照相感光构件和充电构件，其中所述电子照相感本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种处理盒，其包括：电子照相感光构件；和充电构件，所述处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体，其特征在于，所述电子照相感光构件包括具有圆筒形状的第一支承体、直接形成在所述第一支承体上的最下层、和形成在所述最下层上的感光层，其中所述充电构件为包括具有圆柱形状的第二支承体和形成在所述第二支承体上的第二导电层的电子照相用充电构件，其中所述第二导电层包括包含第一橡胶的基质和分散在所述基质中的多个域，其中所述多个域各自包含第二橡胶和电子导电剂，其中所述基质的体积电阻率ρ
M
为所述多个域各自的体积电阻率ρ
D
的1.0
×
105倍以上，并且其中，在当通过在使交流电压在频率1.0
×
10-2
Hz至1.0
×
106Hz的范围内变化的同时将该交流电压施加至所述最下层来测量阻抗时，阻抗的相位达到45
°
时的最大频率由f
OPC
表示的情况下，并且在当通过在使交流电压在频率1.0
×
10-2
Hz至1.0
×
106Hz的范围内变化的同时将该交流电压施加至所述充电构件来测量阻抗时，阻抗的相位达到45
°
时的最大频率由f
C
表示的情况下，所述f
OPC
和所述f
C
满足下式(D1)和下式(D2)中之一的关系：10≤f
OPC
/f
C
≤10,000
ꢀꢀ
式(D1)0.0001≤f
OPC
/f
C
≤0.1
ꢀꢀ
式(D2)，其中所述f
OPC
和所述f
C
的单位为Hz。2.根据权利要求1所述的处理盒，其中，在所述电子照相感光构件和所述充电构件中，所述f
OPC
和所述f
C
满足下式(D3)和下式(D4)中的一者的关系：30≤f
OPC
/f
C
≤3,000
ꢀꢀ
式(D3)0.0003≤f
OPC
/f
C
≤0.03
ꢀꢀ
式(D4)。3.根据权利要求1所述的处理盒，其中，在所述电子照相感光构件中，所述f
OPC
为5Hz以上。4.根据权利要求1所述的处理盒，其中，在所述电子照相感光构件中，所述f
OPC
为100Hz以上。5.根据权利要求1所述的处理盒，其中当在所述电子照相感光构件中在f
OPC
/10的频率下所述最下层的每单位面积的阻抗由z
OPC
表示时，并且当在所述充电构件中在f
C
/10的频率下所述充电构件的每单位面积的阻抗由z
C
表示时，所述z
OPC
和所述z
C
满足下式(D5)的关系：(z
OPC
×
z
C

【专利技术属性】
技术研发人员：牧角康平，渡口要，樋山史幸，山内一浩，菊池裕一，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：