一种光刻机对准标记制作方法技术

本发明专利技术涉及半导体芯片加工制造领域。本发明专利技术提供一种背照式图像传感器的光刻机对准标记制作方法，在键合前的两片晶圆上通过任意光刻机分别制作红外对准标记；在键合、减薄后，通过红外光刻机找到存在于两片晶圆中的红外对准标记，利用此红外对准标记在减薄后的晶圆表面制作专用光刻机标记。通过制作红外光刻机对准标记，实现了背照式图像传感器在键合、减薄后的精确对准，从而可以在减薄后的晶圆上直接制作后层对准标记，进而后续结构的对准和光刻可以使用任意一种光刻机完成。可以使用任意一种光刻机完成。可以使用任意一种光刻机完成。

【技术实现步骤摘要】
一种光刻机对准标记制作方法


[0001]本专利技术涉及半导体芯片加工制造领域，特别涉及一种适用于背照式图像传感器的光刻机对准标记制作方法。

技术介绍

[0002]现代光刻设备是半导体生产制造过程中不可或缺的一部分，它利用光学系统把掩膜版上的图形精确地投影曝光到涂过光刻胶的晶圆上，再经过显影获得特殊的图案。掩膜版上设计的图形都有特定的位置要求，即要求本层图形与前层图形精确对准从而形成特定的立体结构。为了实现这个目的，需要对晶圆进行对准操作，即确定待曝光晶圆上图形的位置、方向和变形，而这一过程不仅需要利用光刻机的自动对准系统，还要求在晶圆上提前制作对准标记。以尼康光刻机为例，它的对准标记分为粗对准标记(search mark)和精对准标记(EGA mark)，这两种标记分别用在粗对准阶段和精对准阶段。
[0003]对于背照式图像传感器而言，在CMOS图像传感器晶圆(CIS)与读出电路晶圆(ROIC)键合及减薄之后，晶圆表面十分平整且没有任何标记，因此无法进行精确的对准。一般情况下，可以采用盲开的方式，即通过晶圆凹口(notch)确定前层对准本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种光刻机对准标记的制作方法，其特征在于，在键合前的两片晶圆上通过任意光刻机分别制作红外对准标记；在键合、减薄后，通过红外光刻机找到存在于两片晶圆中的红外对准标记，利用此红外对准标记在减薄后的晶圆表面制作专用光刻机标记。2.如权利要求1所述的光刻机对准标记的制作方法，其特征在于，操作步骤为：S1：在CMOS图像传感器晶圆与读出电路晶圆键合前，使用任意光刻机在两种晶圆相应位置制作红外对准标记；S2：在红外对准标记制作完成后，进行常规的键合及减薄工艺。3.如权利要求2所述的光刻机对准标记的制作方法，其特征在于，步骤S1所述红外对准标记每片晶圆上至少有6个，分别在CMOS图像传感器晶圆与读出电路晶圆边缘均匀分布。4.如权利要求2所述的光刻机对准标记的制作方...

【专利技术属性】
技术研发人员：方小磊，陈涛，刘耀聪，张凯，蔡雨杉，李天成，
申请(专利权)人：长春长光圆辰微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：