制造半导体器件的方法和半导体器件技术

在制造包括Fin FET的半导体器件的方法中，形成鳍结构，鳍结构具有由SiGe制成的上部鳍结构和由与上部鳍结构不同的材料制成的底部鳍结构，在鳍结构上方形成覆盖层，对由覆盖层覆盖的鳍结构执行热操作，以及在上部鳍结构的源极/漏极区域中形成源极/漏极外延层。热操作改变上部鳍结构中的锗分布。本发明专利技术的实施例还涉及半导体器件。还涉及半导体器件。还涉及半导体器件。

【技术实现步骤摘要】
制造半导体器件的方法和半导体器件


[0001]本专利技术的实施例涉及制造半导体器件的方法和半导体器件。

技术介绍

[0002]随着半导体工业为了追求更高的器件密度、更高的性能和更低的成本而向纳米技术工艺节点发展，来自制造和设计问题的挑战引起诸如鳍式场效应晶体管(Fin FET)的三维设计的发展，并且使用具有高k(介电常数)材料的金属栅极结构。金属栅极结构通常通过使用栅极替换技术来制造，并且源极和漏极通过使用外延生长方法来形成。

技术实现思路

[0003]本专利技术的实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括鳍式场效应晶体管(Fin FET)，所述方法包括：形成鳍结构，所述鳍结构具有由SiGe制成的上部鳍结构和由与所述上部鳍结构不同的材料制成的底部鳍结构；在所述鳍结构上方形成覆盖层；对由所述覆盖层覆盖的所述鳍结构执行热操作；以及在所述上部鳍结构的源极/漏极区域中形成源极/漏极外延层，其中，所述热操作改变所述上部鳍结构中的锗分布。
[0004]本专利技术的另一实施例提供了一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括鳍式场效应晶体管(Fin FET)，所述方法包括：形成鳍结构，所述鳍结构具有由SiGe制成的上部鳍结构和由与所述上部鳍结构不同的材料制成的底部鳍结构；在所述鳍结构上方形成覆盖层；对由所述覆盖层覆盖的所述鳍结构执行热操作；以及在所述上部鳍结构的源极/漏极区域中形成源极/漏极外延层，其中，所述热操作改变所述上部鳍结构中的锗分布。2.根据权利要求1所述的方法，其中，在形成所述源极/漏极外延层之前执行所述热操作。3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热操作是熔融激光退火。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述熔融激光退火使所述上部鳍结构的熔融，然后使所述上部鳍结构重结晶为具有与执行所述熔融激光退火之前不同的锗分布。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述热操作之前的所述上部鳍结构的Ge浓度以原子百分比计在从15％至30％的范围内。6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述热操作之后，所述上部鳍结构的表面处或附近的Ge浓度高于所述上部鳍结构的中心处的Ge浓度。7.根据权利要求6所述的方法，其中，Ge浓度在距所述上部鳍结构的表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张筱君，沈冠杰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：