【技术实现步骤摘要】
一种正性光刻胶组合物及其制备方法
[0001]本专利技术涉及光刻
，尤其涉及一种正性光刻胶组合物及其制备方法。
技术介绍
[0002]光刻胶是一类通过光束、电子束、离子束等能量辐射后，溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，在集成电路和半导体分立器件的微细加工中有着广泛的应用。通过将光刻胶涂覆在半导体、导体和绝缘体材料上，经曝光、显影后留下的部分对底层起保护作用，然后采用蚀刻剂进行蚀刻就可将所需要的微细图形从掩膜版转移到待加工的衬底上，因此光刻胶是微细加工技术中的关键材料。根据光化学反应机理不同，光刻胶分为正性光刻胶与负性光刻胶：曝光后，光刻胶在显影液中溶解性增加，得到与掩膜版相同图形的称为正性光刻胶；曝光后，光刻胶在显影液中溶解性降低甚至不溶，得到与掩膜版相反图形的称为负性光刻胶。两种光刻胶都有各自不同的应用领域，通常来讲，正性光刻胶用的更为普遍，占到光刻胶总量的80％以上。
[0003]光刻技术随着集成电路集成度的提高、加工线宽的缩小，经历了从G线(436nm)光刻，I线(365nm)光刻，到深紫外248nm光刻，...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种正性光刻胶组合物，其特征在于，包括如下质量份数的原料组分：二氧化钛改性酚醛树脂10
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30份、光敏剂1
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5份、有机硅流平剂0.1
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0.3份和有机溶剂40
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70份；其中，所述二氧化钛改性酚醛树脂为分子链接枝有纳米二氧化钛的酚醛树脂。2.根据权利要求1所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，所述分子链接枝有纳米二氧化钛的酚醛树脂是通过将酚醛树脂与含环氧基团硅烷偶联剂改性后的纳米二氧化钛缩合反应形成。3.根据权利要求2所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，所述酚醛树脂为甲酚与甲醛缩合的树脂，分子量为2000
‑
20000。4.根据权利要求2或3所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，所述含环氧基团硅烷偶联剂改性后的纳米二氧化钛是通过将含环氧基团硅烷偶联剂与纳米二氧化钛在醇类溶剂中加热反应得到；优选地，所述含环氧基团硅烷偶联剂为3
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缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3
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缩水甘油氧基丙基甲基二乙氧基硅烷或3
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缩水甘油氧基丙基三乙氧基硅烷中的至少一种。5.根据权利要求1
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4任一项所述的正性光刻胶组合物，其特征在于，所述酚醛树脂与含环...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐娟，周建，王猛，
申请(专利权)人：阜阳申邦新材料技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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