正型光敏材料制造技术

本发明专利技术公开了一种光敏组合物，其包含a)至少一种光致产酸剂；b)至少一种酚醛清漆聚合物；c)至少一种丙烯酸酯聚合物,其包含具有结构(I)的组分；d)至少一种缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料,其包含一种或多种具有结构(I I)的化合物；e)至少一种杂环硫醇化合物,其包含选自通用结构(I I I)、(I I Ia)或(I I Ib)的环结构；及f)至少一种溶剂。本文中还公开了使用此组合物以形成抗蚀剂图案的方法及使用这些抗蚀剂图案以产生金属线的方法。本文还公开了具有结构(I I)的化合物及化合物的混合物。物。物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】正型光敏材料
专利

[0001]本专利申请是在光刻胶成像的领域中。更具体地，本专利申请公开了且要求保护可适用于(但不限于)铜、亲硫(chalcophile)、硅或反射性基板上的正型光敏材料及其中的添加剂。
[0002]背景
[0003]光刻胶组合物用于显微光刻法中，该显微光刻法用于制备诸如集成电路装置制造中的微型化电子组件。一般而言，在这些方法中，将光刻胶组合物的经涂布膜施加至基板(诸如硅片)用以制备集成电路、电路板及平板显示器基板。经涂布基板随后经烘烤以蒸发光刻胶组合物中的任何溶剂且使涂层固定于基板上。随后对基板的经烘烤涂布表面进行以图像方式暴露至光化辐射。
[0004]此光化辐射暴露导致经涂布表面的暴露区域中的化学转化。可见光、紫外(UV)光、远紫外(EUV)、电子束及X射线辐射能量是现今常用于显微光刻法中的辐射类型。在此以图像方式暴露之后，经涂布基板用显影剂溶液处理以溶解并移除基板的经涂布表面的辐射暴露区域(针对正型光刻胶)或未暴露区域(针对负型光刻胶)。
[0005]在此显影操作之后，现在部分未受保护的基板可用基板蚀刻剂溶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种正型光敏组合物，其包含：a)至少一种光致产酸剂；b)至少一种酚醛清漆聚合物；c)至少一种丙烯酸酯聚合物，其包含具有结构(I)的组分，其中R1至R6独立地为
‑
H或
‑
CH3，A为直链或支链C2至C
10
亚烷基，B为C1至C
12
伯或仲未经取代的直链、支链、环状或脂环族烷基，C为C1至C
12
伯或仲未经取代的直链、支链、环状或脂环族烷基，D为键联基团，其为直接价键，或直链或支链C1至C
10
亚烷基，Ar为经取代或未经取代的芳族基或杂芳族基，E为直链或支链C2至C
10
亚烷基，G为酸可裂解基团，t为0摩尔％至约40摩尔％，v为0摩尔％至约15摩尔％，w为0摩尔％至约45摩尔％，x为0摩尔％至约80摩尔％，y为约20摩尔％至约50摩尔％且z为约20摩尔％至约50摩尔％，且另外其中t、v、w、x、y及z的总和等于100摩尔％；d)至少一种缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料，其包含一种或多种具有结构(II)的化合物，其中，W为分子量为600或更少的有机部分，其中W与其键结的氧形成醚键，m为1至3的整数，且n为1至4的整数，且其他限制条件为当m为1时，n为3或4，且当m为2或3时，n为1至4的整数，n
’
为0或1，e)至少一种杂环硫醇化合物，其包含选自通用结构(III)、(IIIa)或(IIIb)的环结构，或其互变异构体；及
其中，所述环结构为具有4至8个原子的单环结构或具有5至20个原子的多环结构；且其中该单环结构或该多环结构包含芳族、非芳族或杂芳环，且在所述结构(III)中，X选自由C(Rt1)(Rt2)、O、S、Se及Te组成的组；在所述结构(IIIa)中，Y选自由C(Rt3)及N组成的组；在所述结构(IIIb)中，Z选自由C(Rt3)及N组成的组；且Rt1、Rt2及Rt3独立地选自由以下各者组成的组：H、具有1至8个碳原子的经取代的烷基、具有1至8个碳原子的未经取代的烷基、具有2至8个碳原子的经取代的烯基、具有2至8个碳原子的未经取代的烯基、具有2至8个碳原子的经取代的炔基、具有2至8个碳原子的未经取代的炔基、具有6至20个碳原子的经取代的芳族基、具有3至20个碳原子的经取代的杂芳族基、具有6至20个碳原子的未经取代的芳族基及具有3至20个碳原子的未经取代的杂芳族基；f)至少一种溶剂。2.根据权利要求1的正型光敏组合物，其中具有结构(II)的所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料为其中部分W为选自由脂族烃、脂族烷基醚、双(烷基)砜及双(烷基)酮组成的组的脂族部分的缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料。3.根据权利要求1的正型光敏组合物，其中具有结构(II)的缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料为其中部分W为选自以下各者的芳族部分的缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料：芳烃、多环芳烃、双(芳基)醚、联苯、双(芳基)砜、双(苯基)亚烷基、(烷基)(芳基)酮、双(芳基)酮、双(芳基)砜及(烷基)(芳基)砜。4.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中m为1。5.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中m为2。6.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中m为3。7.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中n为1。8.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中n为2。9.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中n为3。10.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中n为4。11.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中n
’
为0。12.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中n
’
为1。13.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(IVa
‑
1)的化合物，其中n为3至4，且Rw为OH或部分(IVb
‑
1)，其中表示此部分中的连接点；
14.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(IV
‑
1)的化合物，其中n为3至4；15.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(IVa
‑
2)的化合物，其中n为1至4，且Rw1为OH或部分(IVb
‑
2)，其中表示此部分中的连接点；表示此部分中的连接点；16.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(IV
‑
2)的化合物，其中n为1至4；17.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(IVa
‑
3)的化合物，其中n为1至4，且Rw2为OH或部分(IVa)，其限制条件为不超过一个Rw2为部分(IVb
‑
3)，其中表示此部分中的连接点；
18.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(IV
‑
3)的化合物，其中n为1至4；19.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述有机部分W选自由结构(Wa)、(Wb)、(Wc)、(Wd)、(We)及(Wf)的部分组成的组；其中表示这些有机部分中的每一者内的连接点，其中其与结构(II)的所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料中的氧形成醚键；Xa为选自由以下各者组成的组的部分：直接价键、亚烷基、
‑
SO2‑
、
‑
C(＝O)
‑
及
‑
O
‑
；Ra1、Rb1及Rc独立地选自C1至C5烷基或C2至C5亚烷基氧基烷基；Ra2选自C1至C5烷基、C2至C5亚烷基氧基烷基、C1至C5烷氧基、卤化物、C1至C5烷基磺酰基、C1至C5烷基羰基及C1至C5烷基羰氧基，且n”在0至12范围内；20.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，所述有机部分W为选自由结构(Wa1)、(Wb1)、(Wc1)、(Wd1)及(We1)的部分组成的组，其中：表示这些有机部分中的每一者内的连接点，其中其与结构(II)的所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料中的氧形成醚键；
21.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(Va
‑
1)的化合物，其中Rw3为OH或结构(Vb
‑
1)的部分，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为m为2至3，n
’
为1或0；及Xa选自由以下各者组成的组：直接价键、亚烷基、
‑
SO2‑
、
‑
C(＝O)
‑
及
‑
O
‑
；22.根据权利要求21的正型光敏组合物，其中m为2。23.根据权利要求21的正型光敏组合物，其中m为3。24.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(V
‑
1)的化合物，其中m为2至3，且另外其中，Xa选自由以下各者组成的组：直接价键、亚烷基、
‑
SO2‑
、
‑
C(＝O)
‑
及
‑
O
‑
25.根据权利要求24的正型光敏组合物，其中m为2。26.根据权利要求24的正型光敏组合物，其中m为3。27.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(Va
‑
2)的化合物，其中Rw4为OH或结构(Vb
‑
2)的部分，其中表示此部分中的连接点，且另外其中，Xa选自由以下各者组成的组：直接价键、亚烷基、
‑
SO2‑
、
‑
C(＝O)
‑
及
‑
O
‑
，
28.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(V
‑
2)的化合物，且另外其中，Xa选自由以下各者组成的组：直接价键、亚烷基、
‑
SO2‑
、
‑
C(＝O)
‑
及
‑
O
‑
29.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(Va
‑
3)的化合物，其中Rw5为OH或结构(Vb
‑
3)的部分，其中表示此部分中的连接点；30.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料为具有结构(V
‑
3)的化合物，31.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(Va
‑
4)的化合物，其中Rw6为OH或结构(Vb
‑
4)的部分，其中表示此部分中的连接点
32.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物为具有结构(V
‑
4)的化合物，33.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(Va
‑
5)的化合物，其中Rw7为OH或结构(Vb
‑
5)的部分，其中表示此部分中的连接点，34.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料为具有结构(V
‑
5)的化合物，35.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(Va
‑
6)的化合物，其中Rw8为OH或结构(Vb
‑
6)的部分，其中表示此部分中的连接点，36.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸
缩合物材料包含至少一种具有结构(V
‑
6)的化合物，37.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(Va
‑
7)的化合物，其中Rw9为OH或结构(Vb
‑
7)的部分，其中表示此部分中的连接点，且另外其中Xa为亚烷基部分，38.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(V
‑
7)的化合物，其中Xa为亚烷基部分，39.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(Va
‑
8)的化合物，其中Ra及Rb独立地为C1至C5烷基部分，或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，且Rw10为OH或结构(Vb
‑
8)的部分，其中表示此部分中的连接点，连接点，40.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(V
‑
8)的化合物，其中Ra及Rb独立地为C1至C5烷基部分，或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，41.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸
缩合物材料包含至少一种具有结构(Va
‑
9)的化合物，其中Rw11为OH或结构(Vb
‑
9)的部分，其中表示此部分中的连接点42.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料为具有结构(V
‑
9)的化合物，43.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(Va
‑
10)的化合物，其中Rw12为OH或部分(Vb
‑
10)，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为不超过一个Rw12为该部分(Vb
‑
10)，且另外其中，Xa选自由以下各者组成的组：直接价键、亚烷基、
‑
SO2‑
、
‑
C(＝O)
‑
及
‑
O
‑
；44.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(Va
‑
11)的化合物，其中Rw13为OH或部分(Vb
‑
11)，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为不超过一个Rw13为(Vb
‑
11)，45.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料为结构(V
‑
11)的化合物，
46.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(Va
‑
12)的化合物，其中Rw14为OH或部分(Vb
‑
12)，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为不超过一个Rw14为该部分(Vb
‑
12)，47.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料为结构(V
‑
12)的化合物，48.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(Va
‑
13)的化合物，其中Rw15为OH或部分(Vb
‑
13)，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为不超过一个Rw15为该部分(Vb
‑
13)，49.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料为结构(V
‑
13)的化合物，50.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(Va
‑
14)的化合物，其中Rw16为OH或部分(Vb
‑
14)，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为不超过一个Rw16为该部分(Vb
‑
14)，51.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料为结构(V
‑
14)的化合物，
52.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(Va
‑
15)的化合物，其中Rw17为OH或部分(Vb
‑
15)，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为不超过一个Rw17为该部分(Vb
‑
15)，且另外其中Xa为亚烷基部分，53.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料为结构(V
‑
15)的化合物，其中Xa为亚烷基部分，54.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(Va
‑
16)的化合物，其中Rw18为OH或部分(Vb
‑
16)，其中表示这些部分中的连接点，其限制条件为不超过一个Rw18为该部分(Vb
‑
16)，且另外其中，Ra及Rb独立地为C1至C5烷基部分，或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，55.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料为结构(V
‑
16)的化合物，其中Ra及Rb独立地为C1至C5烷基部分，或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，56.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(Va
‑
17)的化合物，其中Rw19为OH或部分(Vb
‑
17)，其中表示这些部分中的连接点，其限制条件为不超过一个Rw19为该部分(Vb
‑
17)，且另外其中
57.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料为结构(V
‑
17)的化合物，58.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(VIa
‑
1)的化合物，其中Rw20为OH或结构(VIb
‑
1)的部分，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为m为2至3，n
’
为0或1，且另外其中，Ra1及Rb1独立地选自C1至C5烷基或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，59.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(VI
‑
1)的化合物，其中Ra1及Rb1独立地选自C1至C5烷基或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，且m为2或360.根据权利要求59的正型光敏组合物，其中m为3。61.根据权利要求59的正型光敏组合物，其中m为2。62.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(VIa
‑
2)的化合物，其中Rw21为OH或结构(VIb
‑
2)的部分，其中表示此部分中的连接点，且另外其中，Ra1及Rb1独立地选自C1至C5烷基或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，
63.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(VI
‑
2)的化合物，其中Ra1及Rb1独立地选自C1至C5烷基或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，64.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(VIa
‑
3)的化合物，其中Rw22为OH或部分(VIb
‑
3)，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为不超过一个Rw22为该部分(VIb
‑
3)，且另外其中，Ra1及Rb1独立地选自C1至C5烷基或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，65.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种具有结构(VI
‑
3)的化合物，其中Ra1及Rb1独立地选自C1至C5烷基或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，66.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(VIIa
‑
1)的化合物，其中Rw23为OH或结构(VIIb
‑
1)的部分，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为m为1、2或3，且n
’
为0或1，且另外其中，Ra2选自C1至C5烷基或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分；
67.根据权利要求66的正型光敏组合物，其中m为3。68.根据权利要求66的正型光敏组合物，其中m为2。69.根据权利要求66的正型光敏组合物，其中m为1。70.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(VII
‑
1)的化合物，其中Ra2选自C1至C5烷基或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，且m为1、2或3，71.根据权利要求70的正型光敏组合物，其中m为3。72.根据权利要求70的正型光敏组合物，其中m为2。73.根据权利要求70的正型光敏组合物，其中m为1。74.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(VIIa
‑
2)的化合物，其中Rw24为OH或部分(VIIb
‑
2)，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为不超过一个Rw24为该部分(VIIb
‑
2)，且另外其中，Ra2为C1至C5烷基或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，
75.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料具有结构(VIIa)，其中Ra2为C1至C5烷基或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，76.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(VIIa
‑
3)的化合物，其中Rw25为OH或部分(VIIb
‑
3)，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为不超过一个Rw25为该部分(VIIb
‑
3)，且另外其中，Ra2为C1至C5烷基或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，
77.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料包含至少一种结构(VIIa
‑
4)的化合物，其中Rw26为OH或部分(VIIb
‑
4)，其中表示此部分中的连接点，其限制条件为不超过一个Rw26为该部分(VIIb
‑
4)，且另外其中，Ra2为C1至C5烷基或C2至C5亚烷基
‑
O
‑
烷基部分，78.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中具有结构(II)的所述缩水甘油基羟基苯甲酸缩合物材料选自由以下各者组成的组：(VIII)、(VIIIa)、(VIIIb)、(VIIIc)、(VIIId)及(VIIIe)；
79.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述至少一种光致产酸剂为鎓盐、二甲酰亚胺磺酸酯、肟磺酸酯、重氮(磺酰基甲基)化合物、二磺酰基亚甲基肼化合物、硝基苯甲基磺酸酯、联咪唑化合物、重氮甲烷衍生物、乙二肟衍生物、β
‑
酮砜衍生物、二砜衍生物、磺酸酯衍生物、磺酸酰亚胺酯衍生物或卤化三嗪化合物。80.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述酚醛清漆聚合物包含一
种或多种选自邻甲酚、对甲酚或间甲酚的甲酚重复单元。81.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述酚醛清漆聚合物为包含至少80摩尔％间甲酚的甲酚酚醛清漆。82.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述丙烯酸酯聚合物为这样的丙烯酸酯聚合物：其中A为亚甲基、亚乙基或1,2
‑
亚丙基，B为甲基、乙基、丙基或丁基，C为甲基、乙基、丙基、丁基、环己基、异冰片基或四氢二环戊二烯基，D为直接价键、亚甲基或亚乙基，E为亚甲基、亚乙基或1,2
‑
亚丙基。83.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述丙烯酸酯聚合物为这样的丙烯酸酯聚合物：其中G为高活化能酸不稳定基团，其选自叔烷基，该叔烷基具有至少一个邻位氢与由z表示的重复单元中的羧酸酯的氧的第三连接点连接形成叔酯；或低活化能保护基，其选自由利用z表示的重复单元中的羧酸酯的氧形成的缩醛或缩酮。84.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述丙烯酸酯聚合物为这样的丙烯酸酯聚合物：其中G为选自以下各者的酸可裂解基团：叔丁基、四氢吡喃
‑2‑
基、四氢呋喃
‑2‑
基、4
‑
甲氧基四氢吡喃
‑4‑
基、1
‑
乙氧基乙基、1
‑
丁氧基乙基、1
‑
丙氧基乙基、3
‑
氧代环己基、2
‑
甲基
‑2‑
金刚烷基、2
‑
乙基
‑2‑
金刚烷基、8
‑
甲基
‑8‑
三环[5.2.1.0 2,6]癸基、1,2,7,7
‑
四甲基
‑2‑
降冰片基、2
‑
乙酰氧基薄荷基、2
‑
羟基薄荷基、1
‑
甲基
‑1‑
环己基乙基、4
‑
甲基
‑2‑
氧代四氢
‑
2H
‑
吡喃
‑4‑
基、2,3
‑
二甲基丁
‑2‑
基、2,3,3
‑
三甲基丁
‑2‑
基、1
‑
甲基环戊基、1
‑
乙基环戊基、1
‑
甲基环己基、1
‑
乙基环己基、1,2,3,3
‑
四甲基双环[2.2.1]庚
‑2‑
基、2
‑
乙基
‑
1,3,3
‑
三甲基双环[2.2.1]庚
‑2‑
基、2,6,6
‑
三甲基双环[3.1.1]庚
‑2‑
基、2,3
‑
二甲基戊
‑3‑
基或3
‑
乙基
‑2‑
甲基戊
‑3‑
基。85.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述丙烯酸酯聚合物为这样的丙烯酸酯聚合物：其中t为0摩尔％，v为约2摩尔％至约15摩尔％，w为0摩尔％，x为约5摩尔％至约30摩尔％，y为约20摩尔％至约45摩尔％，且z为约20摩尔％至约45摩尔％，R2为甲基，R4及R5为甲基，且R6为H。86.根据权利要求85的正型光敏组合物，其中D为亚甲基，Ar为苯基，E为
‑
CH2‑
CH(CH3)
‑
基团，其中此基团的
‑
CH2‑
部分连接至由y表示的重复单元的羧酸酯氧，且G为叔丁基。87.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述丙烯酸酯聚合物为这样的丙烯酸酯聚合物：其中t为0摩尔％，v为约2摩尔％至约15摩尔％，w为约5摩尔％至约20摩尔％，x为约5摩尔％至约50摩尔％，y为约20摩尔％至约45摩尔％，且z为约20摩尔％至约45摩尔％，R2及R3为H且R3、R4及R6为甲基。88.根据权利要求87的正型光敏组合物，其中A为亚乙基，B为甲基，D为亚甲基，Ar为苯基，E为
‑
CH2‑
CH(CH3)
‑
基团，其中此基团的
‑
CH2‑
部分连接至该由y表示的重复单元的羧酸酯氧，且G为叔丁基或1
‑
乙基环戊基。89.根据权利要求1至81中任一项的正型光敏组合物，其中所述丙烯酸酯聚合物为这样的丙烯酸酯聚合物：其中t为约5摩尔％至约30摩尔％，v为约2摩尔％至约15摩尔％，w为0摩尔％，x为0摩尔％，y为约20摩尔％至约45摩尔％，且z为约20摩尔％至约45摩尔％，R1为甲基，R2为H，R5及R6为甲基。90.根据权利要求89的正型光敏组合物，其中C为甲基，E为
‑
CH2‑
CH(CH3)
‑
基团，其中此基团的
‑
CH2‑
部分连接至该由y表示的重复单元的羧酸酯氧，且G为叔丁基或1
‑
乙基环戊基。
91.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述丙烯酸酯聚合物为这样的丙烯酸酯聚合物：其中t为约5摩尔％至约30摩尔％，v为约2摩尔％至约15摩尔％，w为0摩尔％，x为约10摩尔％至约30摩尔％，y为约20摩尔％至约45摩尔％，且z为约20摩尔％至约45摩尔％，R1、R2、R4及R5为甲基，且R6为H。92.根据权利要求91的正型光敏组合物，其中C为异冰片基或四氢二环戊二烯基，E为
‑
CH2‑
CH(CH3)
‑
基团，其中此基团的
‑
CH2‑
部分连接至该由y表示的重复单元的羧酸酯氧，且G为叔丁基或1
‑
乙基环戊基。93.根据权利要求1至3中任一项的正型光敏组合物，其中所述丙烯酸酯聚合物为这样的丙烯酸酯聚合物：其中t为0摩尔％，v为0摩尔％，w为约5摩尔％至约20摩尔％、x为约5摩尔％至约30摩尔％、y为约20摩尔％至约45摩尔％，且z为约20摩尔％至约45摩尔％，R3为H，R4、R5及R6为甲基。94.根据权利要求93的正型光敏组合物，其中A为亚乙基，B为甲基，D为亚甲基，Ar为苯基，E为
‑
CH2‑
CH(CH3)
‑
基团，其中此基团的
‑
...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘卫宏，卢炳宏，陈春伟，
申请(专利权)人：默克专利股份有限公司，
类型：发明
国别省市：