半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构的形成方法，将若干待退火晶圆放置于晶舟中相应的晶圆卡槽内，且两相邻待退火晶圆之间空隔至少一个晶圆卡槽；对所述放置在晶圆卡槽中的待退火晶圆进行退火。采用前述特定的方式在晶舟中放置晶圆，使得两相邻待退火晶圆之间的距离变大，在后续进行退火时，使得炉管腔室中气体的分布均匀，从而使得待退火晶圆表面的温度差会减小，进而减小待退火晶圆中产生的热应力的大小，因而防止热应力带来的待退火晶圆的翘动或跳动，从而防止或减小待退火晶圆背面与晶舟的晶圆卡槽接触位置由于摩擦带来的损伤或划伤，从而防止或减少硅晶格滑移缺陷的产生。晶格滑移缺陷的产生。晶格滑移缺陷的产生。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]现有半导体技术中，很多工艺流程中都需要进行高温退火工艺，例如：阱区退火工艺、浅沟槽隔离线性氧化层退火工艺和外围电路的输入、输出、轻掺杂源漏退火工艺等。比如，现有进行阱区工艺一般包括：首先，采用高能量的离子注入工艺将所需的半导体杂质注入到衬底需要形成阱区的区域中，然后通过高温退火工艺修复离子注入对衬底带来的损伤，同时激活掺入到阱区中的杂质原子，从而形成N型阱区或N型阱区。
[0003]现有的高温退火工艺包括高温退火炉管工艺，高温退火炉管工艺在炉管设备中进行，通常的工艺温度为700℃
‑
1100℃，并且使用纯氮气作为高温退火的工艺气体。在进行退火前，先将晶圆放置于炉管设备的晶舟上的卡槽上，然后将晶舟置于炉管设备的退火腔中进行退火。但是现有在采用炉管设备进行高温退火时，在晶圆上容易产生硅晶格滑移缺陷(Si Slip Defect)。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是怎样本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供晶舟，所述晶舟中具有若干平行设置的晶圆卡槽；提供若干待退火晶圆；将所述若干待退火晶圆放置于晶舟中相应的晶圆卡槽内，且两相邻待退火晶圆之间空隔至少一个晶圆卡槽；对所述放置在晶圆卡槽中的待退火晶圆进行退火。2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，将所述若干待退火晶圆放置于晶舟中相应的晶圆卡槽内时，两相邻待退火晶圆之间空隔相同数量的晶圆卡槽。3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，将所述若干待退火晶圆放置于晶舟中相应的晶圆卡槽内时，两相邻待退火晶圆之间空隔不同数量的晶圆卡槽。4.如权利要求2或3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述若干晶圆卡槽中，每一个晶圆卡槽的高度是相同的。5.如权利要求2或...

【专利技术属性】
技术研发人员：王秉国，李劲昊，任爱，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：