一种半导体器件的形成方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明专利技术实施例中，在退火处理前，形成覆盖所述有源区的保护层，能够在退火过程中保护有源区，保护层能够隔离有源区和氧气，避免有源区中的硅和氧接触在高温下形成气态的氧化硅而导致有源区中出现孔洞。因此，本发明专利技术实施例的半导体器件的形成方法能够确保栅氧化层的完整性，提高半导体器件的耐压性，进而能够提高半导体器件的可靠性。够提高半导体器件的可靠性。够提高半导体器件的可靠性。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体器件的形成方法。

技术介绍

[0002]随着半导体制造工艺的不断发展，半导体器件的集成度越来越高，半导体器件的特征尺寸也逐渐缩小。然而，半导体器件的性能还需要提高。

技术实现思路

[0003]有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种半导体器件的形成方法，以提高半导体器件的性能。
[0004]本专利技术实施例所述方法包括：
[0005]提供前端器件层，所述前端器件层包括有源区和浅沟槽隔离结构；
[0006]形成至少覆盖所述有源区的保护层，以将所述有源区和外部气体隔离；
[0007]对所述有源区进行退火处理。
[0008]进一步地，所述保护层的材料为组织致密的材料。
[0009]进一步地，所述保护层的材料为致密二氧化硅。
[0010]进一步地，所述保护层的厚度为10纳米-20纳米。
[0011]进一步地，所述形成至少覆盖所述有源区的保护层具体包括：
[0012]采用化学气相沉积工艺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述方法包括：提供前端器件层，所述前端器件层包括有源区和浅沟槽隔离结构；形成至少覆盖所述有源区的保护层，以将所述有源区和外部气体隔离；对所述有源区进行退火处理。2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为组织致密的材料。3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料为致密二氧化硅。4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述保护层的厚度为10纳米-20纳米。5.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成至少覆盖所述有源区的保护层具体包括：采用化学气相沉积工艺，以正硅酸乙酯作为反应气体，在所述有源区上形成所述保护...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志坤，董天化，袁俊，兰启明，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：