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本发明实施例提供了一种半导体器件的形成方法。在本发明实施例中，在退火处理前，形成覆盖所述有源区的保护层，能够在退火过程中保护有源区，保护层能够隔离有源区和氧气，避免有源区中的硅和氧接触在高温下形成气态的氧化硅而导致有源区中出现孔洞。因此，本...
该专利属于中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。

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