半导体材料切割装置制造方法及图纸

本发明专利技术涉及一种用于将半导体条带切割成单个的半导体封装的半导体材料切割装置，特别是涉及一种无需单独的除焊设备而可利用超声波清洁部与单元拾取器对半导体封装的下表面及上表面两者进行清洁的半导体材料切割装置。及上表面两者进行清洁的半导体材料切割装置。及上表面两者进行清洁的半导体材料切割装置。

【技术实现步骤摘要】
半导体材料切割装置


[0001]本专利技术涉及一种用于将半导体条带切割成单个的半导体封装的半导体材料切割装置。

技术介绍

[0002]半导体材料切割装置是将完成封装的半导体条带(strip)切割成单个的半导体封装的设备。
[0003]除了简单地切割半导体条带的功能之外，半导体材料切割装置在执行半导体条带的切割、清洁及干燥过程后，还提供处理检查经切割的半导体封装的上表面、下表面以对产生制造不良的半导体封装进行分类的一系列工艺的功能，并且作为关于这种半导体材料切割装置的专利，已知在韩国公开专利第10-2017-0026751号(以下称为“专利文献1”)中所记载者。
[0004]在如上所述的专利文献1的半导体材料切割装置中，在利用刀片在卡盘台(chuck table)上将半导体条带切割成多个单个的半导体封装后，在清洁干燥部及吸附台中经过清洁工艺及干燥工艺。
[0005]然而，在专利文献1的清洁中，通过向半导体封装的下表面喷射清洁液或压缩空气来执行清洁工艺，但这种清洁工艺具有不能保证各种种类的半导体封装的高清洁质量(qualit本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体材料切割装置，其特征在于，包括：切割部，将卡盘台的上表面所吸附支持的半导体条带切割成单个的半导体封装；单元拾取器，包括吸附垫、供压部以及第一管路，所述吸附垫在底表面配备吸附孔以真空吸附经切割的所述半导体封装的球面，所述供压部对所述吸附孔供应负压，所述第一管路传递由所述供压部供应的所述负压并与所述吸附孔连通，所述单元拾取器对所述卡盘台的上表面所吸附支持的所述半导体封装进行拾取及移送；超声波清洁部，包括水槽及超声波产生部，所述水槽储存用于供所述单元拾取器所拾取的所述半导体封装浸入的液体，所述超声波产生部向所述水槽内部产生超声波，并在将所述单元拾取器所拾取的所述半导体封装浸入到所述水槽后进行超声波清洁；吸附台，在通过所述单元拾取器传递经超声波清洁的所述半导体封装之后，吸附所述半导体封装；以及控制部，在将所述单元拾取器所拾取的所述半导体封装浸入到所述水槽时，对通过所述第一管路向所述吸附孔施加的所述负压的强度进行控制，所述控制部降低所述负压的强度以在所述单元拾取器的所述吸附垫与所述吸附垫所吸附的所述半导体封装之间形成间隙，以使储存在所述水槽中的所述液体能够通过所述单元拾取器的所述吸附垫的所述吸附孔流入，若流入到所述单元拾取器的所述第一管路内的所述液体达到已设定的量，则所述控制部提高所述负压的强度。2.根据权利要求1所述的半导体材料切割装置，其特征在于，所述单元拾取器还包括：第二管路，一端与所述第一管路连通，以使外部空气流入到所述第一管路；阀，连接到所述第二管路的另一端，以对所述第二管路进行开关，所述控制部调节所述阀是开或是关或调节开关量来控制施加到所述吸附孔的所述负压的强度。3.根据权利要求2所述的半导体材料切割装置，其特征在于，所述控制部在所述单元拾取器向所述吸附台传递所述半导体封装之前打开所述阀，以去除残存在所述单元拾取器的所述第一管路内的所述液体。4.一种半导体材料切割装置，其特征在于，包括：切割部，将卡盘台的上表面所吸附支持的半导体条带切割成单个的半导体封装；单元拾取器，包括吸附垫、供压部、以及第一管路、第二管路及阀，所述吸附垫在底表面配备吸附孔以真空吸附经切割的所述半导体封装的球面，所述供压部对所述吸附孔供应负压，所述第一管路传递由所述供压部供应的所述负压并与所述吸附孔连通，所述第二管路的一端与所述第一管路连通以使外部空气流入到所述第一管路，所述阀连接到所述第二管路的另一端以对所述第二管路进行开关，所述单元拾取器对所述卡盘台的上表面所吸附支持的所述半导体封装进行拾取及移送；超声波清洁部，包括水槽及超声波产生部，所述水槽储存用于供所述单元拾取器所拾取的所述半导体封装浸入的液体，所述超声波产生部向所述水槽内部产生超声波，并在将所述单元拾取器所拾取的所述半导体封装浸入到所述水槽后进行超声波清洁；吸附台，在通过所述单元拾取器传递经超声波清洁的所述半导体封装之后，吸附所述半导体封装；以及
控制部，控制所...

【专利技术属性】
技术研发人员：林栽瑛，李龙构，金楠宪，赵英善，郑准宇，裵东锡，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：