晶片的加工方法技术

提供晶片的加工方法，不降低品质而形成器件芯片。该晶片的加工方法将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，沿着该分割预定线对该晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光束，在该晶片中形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。烯烃系片拾取各个该器件芯片。烯烃系片拾取各个该器件芯片。

【技术实现步骤摘要】
晶片的加工方法


[0001]本专利技术涉及晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片。

技术介绍

[0002]在用于移动电话或个人计算机等电子设备的器件芯片的制造工序中，首先在由半导体等材料构成的晶片的正面上设定多条交叉的分割预定线(间隔道)。并且，在由该分割预定线划分的各区域内形成IC(Integrated Circuit：集成电路)、LSI(Large-Scale Integration circuit：大规模集成电路)、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等器件。
[0003]然后，将在具有开口的环状的框架上按照封住该开口的方式粘贴的被称为划片带的粘接带粘贴于该晶片的背面或正面上，形成晶片、粘接带以及环状的框架成为一体而得的框架单元。并且，当沿着该分割预定线对框架单元所包含的晶片进行加工而分割时，形成各个器件芯片。
[0004]在晶片的分割中例如使用激光加工装置。激光加工装置具有：隔着粘接带而对晶片进行保持的卡盘工作台；以及在将聚光点定位于该晶片的内部的状态下对该晶片照射对于晶片具有透过性的波长的激光束的激光加工单元。
[0005]在对晶片进行分割时，将框架单元载置于卡盘工作台上，隔着粘接带而将晶片保持于卡盘工作台。然后，一边使卡盘工作台和激光加工单元沿着与卡盘工作台的上表面平行的方向相对移动，一边从该激光加工单元沿着各分割预定线对晶片不断地照射该激光束。
[0006]当对晶片照射该激光束时，沿着分割预定线不断地形成被称为盾构隧道的丝状的区域。该盾构隧道由沿着晶片的厚度方向的细孔和围绕该细孔的非晶质区域构成，作为晶片的分割起点(参照专利文献1)。
[0007]然后，将框架单元从激光加工装置搬出，当将粘接带向径向外侧扩展时，将晶片分割而形成各个器件芯片。在从粘接带拾取所形成的器件芯片时，预先实施对粘接带照射紫外线等的处理而使粘接带的粘接力降低。作为器件芯片的生产效率较高的加工装置，已知有能够利用一个装置连续地实施晶片的分割和对粘接带的紫外线照射的加工装置(参照专利文献2)。
[0008]专利文献1：日本特许6151557号公报
[0009]专利文献2：日本特许第3076179号公报
[0010]粘接带例如包含由氯乙烯片等形成的基材层和配设在该基材层上的糊料层。在激光加工装置中，为了在晶片中形成作为分割起点的盾构隧道而向晶片的内部照射激光束。此时，该激光束的漏光的一部分到达粘接带的糊料层。并且，由于激光束的照射所带来的热的影响，粘接带的糊料层发生熔融，糊料层的一部分粘固在从晶片形成的器件芯片的背面侧或正面侧。
[0011]在该情况下，在从粘接带拾取器件芯片时，即使实施对粘接带照射紫外线等的处理，也会在所拾取的器件芯片的背面侧或正面侧残留糊料层的该一部分。因此，器件芯片的品质降低成为问题。

技术实现思路

[0012]本专利技术是鉴于该问题点而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，不会在所形成的器件芯片的背面侧或正面侧附着糊料层，不会在器件芯片上产生由于糊料层的附着所导致的品质的降低。
[0013]根据本专利技术的一个方式，提供晶片的加工方法，将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在该晶片的背面或正面上以及该框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使该晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，将对于该晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部，沿着该分割预定线对该晶片照射该激光束，在该晶片中连续地形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。
[0014]优选在该一体化工序中，通过红外线的照射来实施该热压接。
[0015]另外，优选在该一体化工序中，在实施了一体化之后，将从该框架的外周探出的聚烯烃系片去除。
[0016]另外，优选在该拾取工序中，对该聚烯烃系片进行扩展而使各器件芯片之间的间隔扩展，从该聚烯烃系片侧将该器件芯片顶起。
[0017]另外，优选该聚烯烃系片是聚乙烯片、聚丙烯片、聚苯乙烯片中的任意片。
[0018]另外，优选在该一体化工序中，在该聚烯烃系片为该聚乙烯片的情况下，加热温度为120℃～140℃，在该聚烯烃系片为该聚丙烯片的情况下，加热温度为160℃～180℃，在该聚烯烃系片为该聚苯乙烯片的情况下，加热温度为220℃～240℃。
[0019]另外，优选该晶片由Si、GaN、GaAs、玻璃中的任意材料构成。
[0020]在本专利技术的一个方式的晶片的加工方法中，在形成框架单元时，不使用具有糊料层的粘接带，而是使用不具有糊料层的聚烯烃系片而使框架和晶片一体化。借助聚烯烃系片而使框架和晶片一体化的一体化工序是通过热压接来实现的。
[0021]在实施了一体化工序之后，对晶片照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，沿着分割预定线连续地形成盾构隧道而将该晶片分割。然后，从聚烯烃系片拾取器件芯片。所拾取的器件芯片分别安装于规定的安装对象。
[0022]当在晶片的内部形成盾构隧道时，激光束的漏光到达聚烯烃系片。但是，聚烯烃系片不具有糊料层，因此不会产生该糊料层发生熔融而粘固于器件芯片的背面或正面侧的情况。
[0023]即，根据本专利技术的一个方式，能够使用不具有糊料层的聚烯烃系片来形成框架单元，因此不需要具有糊料层的粘接带，作为结果，不产生由于糊料层的附着所导致的器件芯片的品质降低。
[0024]因此，根据本专利技术的一个方式，提供晶片的加工方法，不会在所形成的器件芯片的
背面侧或正面侧附着糊料层，不会在器件芯片上产生由于糊料层的附着所导致的品质的降低。
附图说明
[0025]图1的(A)是示意性示出晶片的正面的立体图，图1的(B)是示意性示出晶片的背面的立体图。
[0026]图2是示意性示出将晶片和框架定位于卡盘工作台的保持面上的情况的立体图。
[0027]图3是示意性示出聚烯烃系片配设工序的立体图。
[0028]图4是示意性示出一体化工序的一例的立体图。
[0029]图5是示意性示出一体化工序的另一例的立体图。
[0030]图6是示意性示出一体化工序的又一例的立体图。
[0031]图7的(A)是示意性示出将聚烯烃系片切断的情况的立体图，图7的(B)是示意性示出所形成的框架单元的立体图。
[0032]图8的(A)是示意性示出分割工序的立体图，图8的(B)是示意性示出分割工序的剖视图，图8的(C)是示意性示出盾构隧道的立体图。
[0033]图9是示意性示出向拾取装置搬入框架单元的立体图。
[0034]图10的(A)是示意性示出固定于框架支承台上的框架单元的剖视图，图10的(B)本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的加工方法，将在由分割预定线划分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其特征在于，该晶片的加工方法具有如下的工序：聚烯烃系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口内，将聚烯烃系片配设在该晶片的背面或该正面上以及该框架的外周上；一体化工序，对该聚烯烃系片进行加热，通过热压接使该晶片与该框架借助该聚烯烃系片而一体化；分割工序，将对于该晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部，沿着该分割预定线对该晶片照射该激光束，在该晶片中连续地形成盾构隧道，将该晶片分割成各个器件芯片；以及拾取工序，从该聚烯烃系片拾取各个该器件芯片。2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征在于，在该一体化工序中，通过红外线的照射来实施该热压接。3.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：原田成规，松泽稔，木内逸人，淀良彰，荒川太朗，上里昌充，河村慧美子，藤井祐介，宫井俊辉，大前卷子，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：