薄膜沉积用组合物、薄膜制造方法、薄膜及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种用于沉积薄膜的组合物，包含含有锶、钡或其组合的有机金属化合物和至少一个由化学式1表示的含非共用电子对的化合物；一种使用用于沉积薄膜的组合物制造薄膜的方法；以及一种由用于沉积薄膜的组合物制造的薄膜；以及一种包含薄膜的半导体装置。在式1中，R1到R3的定义如本说明书中所描述。[化学式1]R1R2R3N。N。N。

【技术实现步骤摘要】
[0019]在化学式2中，M为Sr或Ba，且A源自由化学式3表示的化合物，
[0020][化学式3][0021][0022]其中在化学式3中，R
a
到R
e
独立地为氢或经取代或未经取代的C1到C30烷基。
[0023]R
a
到R
e
中的至少一个可以是经取代或未经取代的C3到C30分支链烷基。
[0024]在化学式1中，R1到R3可相同。
[0025]R1到R3可独立地为经取代或未经取代的戊基、经取代或未经取代的己基、经取代或未经取代的庚基、经取代或未经取代的辛基、经取代或未经取代的壬基或经取代或未经取代的癸基。
[0026]按用于沉积薄膜的组合物的总重量计，含非共用电子对的化合物的含量可为约10重量％到约90重量％。
[0027]有机金属化合物(m1)与含非共用电子对的化合物(m2)的当量比(m2/m1)可为约0.1到约5。
[0028]当在氩(Ar)气氛下于1大气压下使用热解重量分析进行测量时，相对于有机金属化合物的初始重量发生50％重量损失的温度与相对于含本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于沉积薄膜的组合物，包括：有机金属化合物，包含锶、钡或其组合；以及至少一个由化学式1表示的含非共用电子对的化合物：[化学式1]R1R2R3N其中，在化学式1中，R1到R3独立地为经取代或未经取代的C3到C15烷基。2.根据权利要求1所述的用于沉积薄膜的组合物，其中所述有机金属化合物包括经取代或未经取代的环戊二烯类配体、经取代或未经取代的β-二酮类配体、经取代或未经取代的酮亚胺类配体、经取代或未经取代的吡咯类配体、经取代或未经取代的咪唑类配体、经取代或未经取代的脒基类配体、经取代或未经取代的醇盐类配体、经取代或未经取代的酰胺类配体或其组合。3.根据权利要求1所述的用于沉积薄膜的组合物，其中所述有机金属化合物由化学式2表示：[化学式2]M(A)2其中，在化学式2中，M为锶或钡，且A源自由化学式3表示的化合物，[化学式3]其中，在化学式3中，R
a
到R
e
独立地为氢或经取代或未经取代的C1到C20烷基。4.根据权利要求3所述的用于沉积薄膜的组合物，其中R
a
到R
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中的至少一个为经取代或未经取代的C3到C30分支链烷基。5.根据权利要求1所述的用于沉积薄膜的组合物，其中在化学式1中，R1到R3相同。6.根据权利要求1所述的用于沉积薄膜的组合物，其中R1到R3为经取代或未经取代的戊基、经取代或未经取代的己基、经取代或未经取代的庚基、经取代或未经取代的辛基、经取代或未经取代的壬基或经取代或未经取代的癸基。7.根据权利要求1所述的用于沉积薄膜的组合物，其中按所述用于沉积薄膜的组合物的总重量计，所述含非共用电子对的化合物的含量为10重量％到90重量％。8.根据权利要求1所述的用于沉积薄膜的组合物，其中所述含非共用电子对的化合物对所述有机金属化合物的当量比为0.1到5。9.根据权利要求1所述的用于沉积薄膜的组合物，其中当在氩气氛下于1大气压下使用
热解重量分析进行测量时，相对于所述有机金属化合物的初始重量发生50％重量损失的温度与相对于所述含非共用电子对的化合物的初始重量发生50％重量损失的温度之间的差小于或等于90℃。10.根据权利要求1所述的用于沉积薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：金容兑，吴釜根，朴景铃，成太根，任相均，林雪熙，田桓承，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：