基于单种光刻胶的多层胶膜、其图形化方法及其剥离方法技术

本申请实施例提供了一种基于单种光刻胶的多层胶膜、其图形化方法及其剥离方法。该图形化方法为使用单种光刻胶制备出底切结构的工艺，仅使用单一的光刻胶，制备出第一层光刻胶膜厚可控的双层胶膜，单次显影后第一层光刻胶形成包括底胶的底切结构；对第二层光刻胶的第二通槽对应的底胶和第二通槽的边缘进行刻蚀，暴露出边缘修饰后的第二通槽所正对的衬底，形成沉积层后，使用单种去胶剥离液即可达到完全剥离的效果。本实施例提供的图形化方法，使得后续剥离操作较为简单且剥离效果好，且获得的具有预设图形的待沉积结构的实际尺寸与定义尺寸一致。寸与定义尺寸一致。寸与定义尺寸一致。

【技术实现步骤摘要】
基于单种光刻胶的多层胶膜、其图形化方法及其剥离方法


[0001]本申请涉及微纳加工
，具体而言，本申请涉及一种基于单种光刻胶的多层胶膜、其图形化方法及其剥离方法。

技术介绍

[0002]在微纳加工
，为了获得微纳尺寸的结构，通常需要光刻和剥离技术来实现。
[0003]传统技术中，通常采用单种的正性光刻胶或单种的负性光刻胶，形成厚度为待制备的沉积材料的高度1～3倍的光刻胶层，该方法由于图形区域的光刻胶侧壁直接和沉积的材料接触，光刻胶侧壁上的沉积材料和焊接凸点通槽中的沉积材料相互粘连，不仅不易于光刻胶的剥离，还会导致制备出的沉积材料的图形的形貌较差。以倒装焊工艺中的焊接凸点为例，利用传统工艺制备出的焊接凸点的侧壁呈现出随机的突起和凹陷，具体如图1所示。
[0004]现有技术中也有采用多层光刻胶的工艺，为了避免作为牺牲层的第一层光刻胶的侧壁与沉积材料粘连，会将第一层光刻胶的底切结构做的很大，导致第一层光刻胶与衬底结合处的图形远远大于定义图形。而在利用如电子束蒸发、热蒸发、磁控溅射等方法沉积材料时，实验过程中往往会导致衬底温本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基于单种光刻胶的多层胶膜的图形化方法，其特征在于，包括以下步骤：在清洁后的衬底上涂覆第一层光刻胶，并对涂覆有第一层光刻胶的衬底进行第一烘烤；对涂覆所述第一层光刻胶后的所述衬底进行第一时长的全面曝光；在所述第一层光刻胶上涂覆第二层光刻胶，并进行第二烘烤以使所述第一层光刻胶中与所述衬底连接处形成底胶；对涂覆所述第二层光刻胶后的衬底进行局部曝光，对进行局部曝光后的所述衬底进行第二时长的第三烘烤，以使所述底胶固化，所述第二时长小于所述第一时长；对所述第二层光刻胶和所述底胶固化后的所述第一层光刻胶一并依次进行显影、定影，得到图形化的所述第一层光刻胶和图形化的所述第二层光刻胶，图形化的所述第一层光刻胶包括所述底胶和位于所述底胶远离所述衬底一侧的第一通槽，图形化的所述第二层光刻胶包括第二通槽，所述第二通槽在所述衬底上的正投影位于所述第一通槽在所述衬底上的正投影内；对所述第二通槽对应的所述底胶和所述第二通槽的边缘进行刻蚀，暴露出边缘修饰后的所述第二通槽所正对的所述衬底。2.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，所述第一层光刻胶和所述第二层光刻胶为同种正性光刻胶。3.根据权利要求2所述的图形化方法，其特征在于，对涂覆有第一层光刻胶的衬底进行第一烘烤，包括：在所述第一层光刻胶的软烘温度下对涂覆所述第一层光刻胶的所述衬底进行第一烘烤。4.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，在清洁后的衬底上涂覆第一层光刻胶，包括：以一次匀胶或多次匀胶的方式在清洁后的所述衬底上旋涂所述第一层光刻胶。5.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，对涂覆所述第一层光刻胶后的所述衬底进行第一时长的全面曝光，包括：采用紫外光刻或激光直写的方式，对涂覆所述第一层光刻胶后的所述衬底进行第一时长的全面曝光，所述第一时长大于或等于50s。6.根据权利要求1所述的图形化方法，其特征在于，进行第二烘烤以使所述第一层光刻胶中与所述衬底连接处形成底胶，包括：在所述第一层光刻胶的软烘温度下对涂...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文龙，杨楚宏，郑亚锐，张胜誉，冯加贵，熊康林，丁孙安，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：