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本申请实施例提供了一种基于单种光刻胶的多层胶膜、其图形化方法及其剥离方法。该图形化方法为使用单种光刻胶制备出底切结构的工艺，仅使用单一的光刻胶，制备出第一层光刻胶膜厚可控的双层胶膜，单次显影后第一层光刻胶形成包括底胶的底切结构；对第二层光刻...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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