铟柱及其制备方法技术

本申请公开了一种铟柱的及其制备方法。该方法包括：在衬底上涂覆第一光刻胶；对涂覆第一光刻胶后的衬底进行泛曝光；在第一光刻胶上涂覆第二光刻胶；对旋涂了双层光刻胶的衬底进行局部曝光，以光定义铟柱的位置和形状；对曝光后的样品进行显影，获得含有底胶和底切结构的胶结构；对第二光刻胶的第二通槽对应的底胶和第二通槽的边缘进行刻蚀，暴露出边缘修饰后的第二通槽所正对的衬底；蒸发镀铟，在定义图形位置处沉积铟柱；释放第一光刻胶和第二光刻胶，得到铟柱。本发明专利技术提供的方法只需要一次显影和一次去胶剥离，工艺简单且可以通过调整第一光刻胶层厚度来实现不同厚度铟柱的制备，并且得到的铟柱的形貌好，且实际尺寸与定义的尺寸一致。寸一致。寸一致。

【技术实现步骤摘要】
铟柱及其制备方法


[0001]本申请涉及微纳加工
，具体而言，本申请涉及一种铟柱及其制备方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路封装密度的提高，传统的引线键合技术已经很难满足要求，倒装焊技术的发展能够解决该问题，现已得到了广泛的应用。倒装焊技术(Flip Chip Technology)是指集成电路芯片(IC芯片，Integrated Circuit Chip)面朝下，与封装外壳或布线基板直接互连的一种技术，又称为倒扣焊技术。经倒装焊工艺得到的芯片称为倒装芯片(Flip-chip)。
[0003]根据倒装焊互连工艺的不同，倒装焊技术主要分为以下四种：焊料焊接法、凸点压焊法、树脂粘接法和热超声。由于凸点芯片倒装焊的芯片焊盘可采用阵列排布，所以芯片安装密度高，因此凸点压焊法在高I/O数的大规模集成电路(Large-scale integrated circuit，LSI)、以及超大规模集成电路(Very Large Scale Integration，VLSI)芯片以及高频、高速的电子产品中应用广泛。凸点压焊法需要在芯片上的焊盘位置本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铟柱的制备方法，包括：在衬底上涂覆第一光刻胶，并对涂覆有所述第一光刻胶的所述衬底进行第一烘烤；对涂覆所述第一光刻胶后的所述衬底进行第一时长的泛曝光；在所述第一光刻胶上涂覆第二光刻胶，然后对涂覆所述第二光刻胶后的所述衬底进行第二烘烤使所述第一光刻胶中与所述衬底的连接处形成底胶；对所述第二烘烤后的所述衬底进行局部曝光，以定义所述铟柱的位置和形状；对局部曝光后的所述衬底进行短第二时长的第三烘烤，以使所述底胶固化，其中，所述第二时长小于所述第一时长；对进行所述底胶固化后的所述衬底依次进行显影、定影，得到图形化的所述第一光刻胶和图形化的所述第二光刻胶，图形化的所述第一光刻胶包括所述底胶和位于所述底胶远离所述衬底一侧的第一通槽，图形化的所述第二光刻胶包括第二通槽，所述第二通槽在所述衬底上的正投影位于所述第一通槽在所述衬底上的正投影内；对所述第二通槽对应的所述底胶和所述第二通槽的边缘进行刻蚀，暴露出边缘修饰后的所述第二通槽所正对的所述衬底；在剩余的所述第二光刻胶上和暴露的所述衬底上沉积铟材料；剥离剩余的所述第一光刻胶和剩余的所述第二光刻胶，得到所述铟柱。2.根据权利要求1所述的铟柱的制备方法，其特征在于，所述第一光刻胶为AZ系列正性光刻胶，所述第二光刻胶为与所述第一光刻胶溶解于同一显影液的正性光刻胶。3.根据权利要求1所述的铟柱的制备方法，其特征在于，在衬底上涂覆第一光刻胶，包括：以一次匀胶或多次匀胶的方式在清洁后的所述衬底上旋涂所述第一光刻胶。4.根据权利要求1所述的铟柱的制备方法其特征在于，对涂覆所述第一层刻胶后的所述衬底进行第一时长的泛曝光，包括：采用紫外光刻或激光直写的方式，对涂覆所述第一光刻胶后的所述衬底进行第一时长的泛曝光...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文龙，杨楚宏，郑亚锐，张胜誉，冯加贵，熊康林，丁孙安，
申请(专利权)人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，
类型：发明
国别省市：