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本申请公开了一种铟柱的及其制备方法。该方法包括：在衬底上涂覆第一光刻胶；对涂覆第一光刻胶后的衬底进行泛曝光；在第一光刻胶上涂覆第二光刻胶；对旋涂了双层光刻胶的衬底进行局部曝光，以光定义铟柱的位置和形状；对曝光后的样品进行显影，获得含有底胶和...
该专利属于中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所授权不得商用。

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